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據(jù)報(bào)道,智能手機(jī)內(nèi)存庫(kù)存降至4周以下,低端設(shè)備成為攻擊目標(biāo)

作者: 時(shí)間:2025-12-09 來(lái)源: 收藏

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在近期新聞報(bào)道中——美光退出Crucalical消費(fèi)內(nèi)存業(yè)務(wù),三星和SanDisk據(jù)報(bào)道推遲NAND交付——超大規(guī)模企業(yè)強(qiáng)勁的內(nèi)存需求正在給消費(fèi)品,尤其是智能帶來(lái)壓力。據(jù)Calian Press引用TrendForce高級(jí)研究副總裁Avril Wu的話,健康的智能內(nèi)存庫(kù)存通常覆蓋8至10周,但當(dāng)前庫(kù)存已跌破四周。

Calian Press援引吳氏的話指出,庫(kù)存處于極低水平,制造商即使價(jià)格偏高也不得不購(gòu)買,否則生產(chǎn)線無(wú)法繼續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)。值得注意的是,報(bào)告強(qiáng)調(diào)低價(jià)庫(kù)存可能只會(huì)持續(xù)到2026年第一季度;之后,企業(yè)必須接受新的漲價(jià)以補(bǔ)充庫(kù)存。

中國(guó)Koobee智能制造商Coosea集團(tuán)發(fā)言人告訴彩聯(lián),中低端智能手機(jī)芯片——涵蓋部分4G和5G機(jī)型——仍然依賴DDR4x或更低,DDR5不被支持。報(bào)告補(bǔ)充說(shuō),預(yù)計(jì)在未來(lái)三年里,DDR4將繼續(xù)成為該細(xì)分市場(chǎng)的主流。

然而,這些產(chǎn)品面臨最緊迫的供需壓力,導(dǎo)致價(jià)格漲幅最為劇烈。強(qiáng)勁的AI服務(wù)器(CSP)需求正在消耗HBM和企業(yè)DDR5的晶圓產(chǎn)能,整體內(nèi)存生產(chǎn)緊張,制造商優(yōu)先考慮高利潤(rùn)率HBM,壓縮其他內(nèi)存類型的供應(yīng)。

值得注意的是,Calian報(bào)道稱DRAM價(jià)格今年已飆升超過(guò)四倍,F(xiàn)lash幾乎翻了三倍。據(jù)Calian引述Coosea稱,4GB DDR4x芯片從年初的7美元漲升至11月中旬的30多美元,漲幅達(dá)到4至5×。同期,64GB eMMC也從3.2美元躍升至超過(guò)8美元。

據(jù)韓國(guó)《美日財(cái)經(jīng)報(bào)》報(bào)道,目前三星和SK海力士只會(huì)將DDR4的生產(chǎn)延長(zhǎng)到明年,之后計(jì)劃停產(chǎn)。

DRAM成本上升預(yù)計(jì)將首先影響預(yù)算智能手機(jī)

正如TrendForce指出的,這波DRAM價(jià)格上漲將首先影響入門級(jí)智能手機(jī)。據(jù)TrendForce報(bào)道,2025年智能手機(jī)內(nèi)存價(jià)格激增主要源于DRAM價(jià)格上漲。DRAM合同價(jià)格預(yù)計(jì)同比增長(zhǎng)超過(guò)75%,鑒于內(nèi)存通常占總物料清單成本的10–15%,這導(dǎo)致2025年整體單價(jià)上漲約8–10%。

目前,TrendForce預(yù)測(cè)2025年全球智能手機(jī)產(chǎn)量同比增長(zhǎng)1.6%,但提醒持續(xù)的內(nèi)存供應(yīng)問(wèn)題可能導(dǎo)致進(jìn)一步下修。

據(jù)Calian引用的Coosea指出,公司正在調(diào)整內(nèi)存配置,以優(yōu)先考慮核心智能手機(jī)體驗(yàn)。例如,主流配置的12GB + 512GB可能會(huì)轉(zhuǎn)向更具成本效益的8GB + 256GB版本,Calian補(bǔ)充說(shuō),這表明近年來(lái)智能手機(jī)容量快速翻倍的趨勢(shì)明年可能會(huì)逆轉(zhuǎn)。

除了縮小規(guī)模,價(jià)格上漲也是不可避免的。小米總裁陸衛(wèi)冰此前告訴分析師,公司已確保2026年全年內(nèi)存供應(yīng),但警告稱,短缺可能導(dǎo)致智能手機(jī)價(jià)格上漲,產(chǎn)品成本反映零部件價(jià)格上漲。

在這一趨勢(shì)下,中國(guó)器制造商加快研發(fā)和生產(chǎn)步伐。《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》稱,GigaDevice計(jì)劃大規(guī)模生產(chǎn)LPDDR4X并正在開發(fā)LPDDR5X,而Montage Technology則在提升其DDR5內(nèi)存接口芯片(RAM)的滲透率,TWSC則宣布了私募計(jì)劃,以擴(kuò)大SSD和內(nèi)存的生產(chǎn)。

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