據PC Watch報道，在英特爾宣布與軟銀旗下子公司SAIMEMORY合作開發Z軸角內存（Z-Angle Memory, ZAM）后不久，該產品于2026年2月3日在“Intel Connection Japan 2026”大會上首次公開亮相。

盡管ZAM與HBM（高帶寬內存）的全面性能對比尚待驗證，但早期報道已透露出若干突破性優勢。Wccftech指出，ZAM有望降低40%–50%的功耗，通過Z軸角互連技術簡化制造流程，并實現單芯片最高512GB容量。英特爾在其官方博客中補充稱，ZAM原型預計將于2027年推出，大規模量產則計劃在2030年實現。

SAIMEMORY：由軟銀、英特爾與東京大學聯合創立

PC Watch介紹，SAIMEMORY成立于2024年12月，并于2025年6月正式運營，是由軟銀、英特爾和東京大學共同成立的合資企業。在本次日本大會上，由總裁兼CEO 山口秀也（Hideya Yamaguchi）領導的SAIMEMORY正式發布了這款面向AI市場的下一代內存技術——ZAM。

此次活動還吸引了多位英特爾高管出席，包括英特爾政府技術部門首席技術官兼Fellow Joshua Fryman，以及英特爾日本公司CEO小野誠（Makoto Onho），Wccftech報道稱。

突破傳統內存的物理極限

PC Watch進一步解釋，傳統高帶寬內存（如HBM）采用平面堆疊（planar stacked）結構，但這種設計正因功耗與散熱限制而逼近物理極限。目前主流方案已堆疊至16層，業界普遍認為20層已是上限。

相比之下，ZAM（名稱源自Z軸）則采用垂直堆疊晶粒（die）的設計。據PC Watch描述，這種架構相比傳統DRAM可實現更低功耗、更高容量和更寬帶寬。更重要的是，熱量能從每一層晶粒均勻向上導出，有效緩解了長期困擾平面堆疊結構的熱堆積問題。

Wccftech援引英特爾的說法強調，ZAM架構的核心優勢正是其卓越的熱管理能力。

基于英特爾NGDB技術，彌合HBM與DDR之間的鴻溝

據《EE Times Japan》報道，這款新型內存預計將依托英特爾的下一代DRAM鍵合技術（Next Generation DRAM Bonding, NGDB）。美國桑迪亞國家實驗室（Sandia National Laboratories）在今年1月的一份更新中指出，當前的高帶寬內存往往以犧牲容量等其他性能為代價來換取帶寬提升。而NGDB旨在大幅減少此類權衡，在HBM與傳統DDR DRAM之間架起橋梁，同時顯著提升能效。

SAIMEMORY的合作生態不止于英特爾

值得注意的是，SAIMEMORY的合作網絡可能不僅限于英特爾。PC Watch提到，該公司強調其擁有強大的合作伙伴體系，除軟銀與英特爾外，還包括國內外投資者及供應鏈伙伴，為其技術研發與產業化提供全方位支持。

隨著AI對內存帶寬、容量與能效提出前所未有的要求，ZAM所代表的垂直堆疊+先進熱管理+高密度集成路徑，或將成為下一代AI硬件基礎設施的關鍵突破口。