2031 年，化合物半導體襯底與開放式外延片市場規(guī)模合計預計將接近 52 億美元，年復合增長率約為 14%。

汽車電動化推動碳化硅（SiC）襯底市場發(fā)展，射頻領域仍由砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN）主導，磷化銦（InP）助力光子學技術加速發(fā)展，發(fā)光二極管（LED）與微發(fā)光二極管（MicroLED）則依托氮化鎵、砷化鎵、藍寶石及硅基平臺發(fā)展。

化合物半導體供應鏈正圍繞頭部企業(yè)整合：碳化硅晶圓領域有沃爾夫速（Wolfspeed）、相干公司（Coherent），功率器件領域為英飛凌科技（Infineon Technologies），外延片領域是 IQE 公司，化合物材料領域則為住友化學（Sumitomo）。

技術發(fā)展的核心聚焦于晶圓尺寸升級：碳化硅晶圓向 8 英寸轉型，磷化銦晶圓邁向 6 英寸，硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術展現(xiàn)出 12 英寸晶圓的應用潛力。

盡管部分細分領域面臨短期價格壓力，但汽車電動化、人工智能基礎設施擴建以及新一代通信技術的發(fā)展，持續(xù)夯實了碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等化合物半導體材料的長期市場需求。

2025 至 2031 年，化合物半導體襯底與開放式外延片整體市場的年復合增長率約為 14%，到 2031 年市場規(guī)模合計將突破 50 億美元。

法國市場研究機構 Yole 的艾哈邁德?阿巴斯表示：碳化硅功率器件仍是市場擴張的核心支柱，值得關注的是市場增長的多元化發(fā)展。在本次發(fā)布的最新報告中，我們能看到這一行業(yè)的產業(yè)結構正變得更穩(wěn)固、發(fā)展更均衡。

憑借顯著的性能優(yōu)勢，化合物半導體的產業(yè)化應用正加速推進。Yole 集團分析師正密切關注各細分市場的這一轉型趨勢：

電力電子領域仍是市場增長的第一引擎。在電動汽車普及、800V 電氣架構推廣、車載充電器、可再生能源系統(tǒng)及工業(yè)電動化的推動下，僅 N 型碳化硅襯底一個品類，2031 年的市場規(guī)模就有望突破 20 億美元。

碳化硅晶圓正從 6 英寸向 8 英寸快速升級，這一轉型加速了成本下降與產業(yè)規(guī)?；l(fā)展；盡管近期受產能過剩、汽車市場需求回歸常態(tài)的影響，碳化硅領域面臨價格壓力，但晶圓尺寸升級仍鞏固了其長期市場競爭力。

氮化鎵功率器件的應用領域也在不斷拓展，從消費電子快充逐步切入汽車與數(shù)據中心應用場景，其作為功率半導體互補技術的戰(zhàn)略地位持續(xù)提升。

Yole 的邱歐順（Ooshun Chiu）表示：從碳化硅助力數(shù)據中心實現(xiàn)高效電力傳輸，到磷化銦支撐高速光互連技術發(fā)展，化合物半導體材料已成為人工智能基礎設施規(guī)?；ㄔO的核心支撐。

射頻市場中，砷化鎵仍在手機前端模組領域占據主導地位；氮化鎵則在通信基礎設施與國防軍工應用中持續(xù)突破，隨著 6G 技術的部署推進，其擁有廣闊的長期發(fā)展前景。

光子學領域：增長最具活力

光子學是化合物半導體所有細分領域中發(fā)展最具活力的板塊。在人工智能數(shù)據中心、高速光收發(fā)模塊及共封裝光學架構的驅動下，2031 年前磷化銦襯底市場的年復合增長率將超 18%。

磷化銦晶圓向 6 英寸平臺的升級，既實現(xiàn)了產品性能的提升，也提高了制造端的生產效率。

與此同時，LED 市場發(fā)展已趨于成熟，MicroLED 的產業(yè)化應用則穩(wěn)步推進，目前率先落地于高端可穿戴設備與顯示終端應用場景。