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中國有錢也玩不來主流DRAM?

作者: 時間:2015-04-24 來源:technews 收藏
編者按:  資本公司聯合收購 ISSI,京東方宣告進入 DRAM 市場,中國搶進 DRAM市場的意圖愈發明顯,但是大把資金投入是否能得到預期收貨?DRAM市場是有錢就行嗎?

  三星、SanDisk、東芝等先進者紛紛轉進較具成本優勢的 TLC(3bit MLC),調研機構 eXchange 預估 2015 年 TLC 產出比重將逐漸攀升,第四季甚至接近整體 NAND Flash 產出,然從下圖表一可看出,2014 年第四季產業后進的美光與 SK 海力士還未能發展出 TLC 技術,此外,三星與海力士每年仍需付出收益的 2~3% 做為技術授權費用給 SanDisk(圖表二)。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/273124.htm



  ▲圖表一



  ▲圖表二

  存儲器產業技術日趨復雜,且單一技術發展已現瓶頸,如行動裝置需求爆發下,有望取代 成為 NAND Flash 的最大應用的 技術,就得結合 。存儲器也日漸講求解決方案,如何結合系統技術或軟體商也變得比以往都來得重要。除了武漢新芯與 Spansion 的合作,武漢新芯與中芯國際也曾找過臺灣 NOR 大廠旺宏尋求合作,但已遭拒,中國在存儲器產業上還未有更多合作伙伴現身。

  Bernstein 認為,鉅額資金與龐大技術壁壘,中國走向主流存儲器產業,發展高密度存儲器產品并非易事,相反地,在物聯網裝置蓬勃發展下,相關的低密度存儲器應用,可能是中國初進存儲器市場較可能的發展路徑。

存儲器相關文章:存儲器原理



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關鍵詞: DRAM eMCP eMMC

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