按SEMI的資深分析師Christian Dieseldorff報道，SEMI的全球Fab預測于2010年時全球Fab投資再增加64%，達240億美元。

　　ICInsight的McClean認為，今年第三季度的全球產能利用率可達88%，接近去年金融危機之前的水平。它還認為2007年的產能利用率達90%，一直維持到去年的前三個季度。之后2008 Q4下降到68%，2009 Q1為最低水平是57%，到09 Q2由于OEM為補充庫存而使產能利用率又回復到78%。

　　按ICInsight觀點芯片產能利用率又回復到金融危機之前的水平

　　McClean表示，雖然產能利用率還沒有低到2001年時全年的最低水平71.2%，但是它認為09年的水平僅77.4%。由于08及09兩年的投資大幅減少，導致產能可能不足，而使 IC的ASP平均售價上升，并估計在2010-2012的三年期間，每年有5%的增長。

　　SEMI的全球Fab預測

　　據SEMI報道，2009年全球因為有31個fab關閉，而使總的產能下降2-3%。明年產能將緩慢的回升，估計增長4-5%，達每月總計2150萬片(等值200mm計) 。在2010年的投資，主要是用于fab的升級改造，而不再是產能的擴大。

　　SEMI的fab預測看到明年的fab升級改造是占投資的主要部分

　　在09年的240億美元投資中，有140億美元來自全球的六家公司，包括如Global Foundries，Inotera(Micron和南亞的合資廠)，Intel，Samsung，Toshiba及TSMC。這六家公司在挑戰經濟危機中仍將在未來兩年中大量的投資。

　　Global Foundries在阿布扎比的ATIC支持下，09年投6-7億美元，未來兩年中每年投資超過10億美元。ATIC已承諾在未來5年內為Global Foundries共計投資60億美元。

　　SEMI報告中指出，Inotera宣布，為推進70納米的溝槽式技術向50納米的堆疊電容器技術轉移，將采用浸入式光刻機，所以預計投資達16億美元。Inotera是在臺塑集團的支持下，因其是南亞的母公司。生產線的設備更新計劃從今年底開始，—直延續到明年，預計直到2010年的化費達10億美元。

　　Intel宣布在未來的兩年中投資70億美元，用來升級現在的生產線到32納米。預計2009年中化費30-40億美元，及剰下的在2010年中花完。

　　Samsung要將在美國Austin的200mm DRAM生產線轉成300mm的專為NAND生產的后道生產線(BEOL)，用來支持現有的300mm NAND生產線。SEMI的全球Fab預測報告中預計，三星與2010的投資合并在一起，總計達40-50億美元，主要用于Austin的改造以及在韓國的15 line與16 line中。

　　東芝正欲從全球股市中慕集30億美元，用來投資它的生產線。在過去的8年中作為一家非金融性公司的最大股市集資。東芝計劃今年有10億美元，明年再有20億美元。非常可能2011年更多。SEMI認為這些資金將用于全球日益增長的NAND 閃存的需求，2009年增加到70-150億gigabytes及2011/2012年時為300-500億 gigabytes。

　　TSMC的今年投資計劃修正已是第二次，在7月時更新為今年投資23億美元及2010年的大于20億美元。