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恒憶(Numonyx)作為相變存儲技術(PCM)的創(chuàng)新者，今天宣布正式推出全新系列相變存儲器。該系列產品采用被稱為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術，具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設計簡易性，適用于固線和無線通信設備......
以收入計全球第二大電腦記憶芯片制造商海力士半導體公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)平均售價季比上升3%，09年四季度漲幅為26%。 然而......
日韓DRAM大廠制程競賽延伸至產品規(guī)格之戰(zhàn)，在三星電子(Samsung Electronics)于3月底，宣布推出由32GB大容量服務器內存模塊后，日系內存大廠爾必達(Elpida)也宣布4Gb DDR3芯片正式問世......
在渡過困難的09年后,全球半導體業(yè)迎來新一輪的高潮。市場相繼出現(xiàn)存儲器, 模擬電路等缺貨現(xiàn)象及OEM庫存不足。具風向標意義的1Gb DDR2價格由1,5美元升至3,0美元, 所以虧損了近3年的美光, 爾必達及海力士都......
韓國半導體大廠海力士(Hynix)公布2010會計年度第1季 (2010年1~3月)財報，與2009年同期凈損1.18兆韓元(約10.62億美元)相比，海力士本季達成獲利8,220億韓元，比前季成長25%。營收則達2......
存儲器大廠三星電子(Samsung Electronics)器興廠3月底甫發(fā)生停電事件，海力士(Hynix)位于韓國M10廠房21日亦出現(xiàn)停電意外，海力士宣稱僅發(fā)生0.1秒瞬間電壓下降，由于有不斷電系統(tǒng)支應，并未造成......
我們一般把人腦的位細胞叫做突觸(synapses)，美國密西根大學研究人員指出，憶阻器(memristor)的功能特性是所有的電子組件中與突觸最相近的;他們最近展示單一憶阻器如何以與人腦相同的方式來學習同樣的技術。 ......
據(jù)國外媒體報道，日本最大的計算機內存芯片制造商爾必達周三發(fā)布了該公司2010財年初步財報。財報顯示，受內存芯片價格上漲及PC銷量增長的推動，爾必達在過去三年中首次實現(xiàn)盈利。 內存價格的大幅上漲，使得處于長期虧損......
英特爾(Intel)和美系記憶體大廠美光(Micron)所成立的合資企業(yè)IM Flash，為了趕上半導體業(yè)2010年牛氣沖天的景氣，決定讓新加坡廠重啟營運。 2005年英特爾和美光因看好NAND Flash市場......
TSMC今(21)日宣布該公司符合汽車電子AEC-Q100第一級(AEC-Q100 grade1)高規(guī)格要求之0.25微米嵌入式快閃記憶體工藝，累積出貨量已達到60萬片八吋晶圓，為客戶產出各種不同汽車電子應用之集成電......
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