首頁 > 新聞中心 > 網絡與存儲 > 數字存儲
半導體工藝技術日新月異。記得當年P3的末期，P3 Tualatin憑借著130nm的技術，讓原本已經P3的性能再一次的爆發。不過好景不長，隨著P4的上市，P3 Tualatin漸漸淡出市場。初期的Will......
意法半導體(ST)完成NAND閃存產品70nm技術升級，新產品開始批量生產 技術領先的512-Mbit小頁閃存和1、2、4、 8-Gbit 大頁閃存產品現已上市， 為各種消費電子和無線通信......
在單芯片中提供全部關鍵的定時功能 ——新的時鐘IC具有低抖動、高集成度特性，提高了系統的可靠性并且降低了成本。 美國模擬器件公司（Analog Devices, Inc.，紐約證券交易所代......
愛特梅爾推出業界首款支持千兆字節以上SDRAM、NAND Flash及CompactFlash存儲容量的ARM7 閃存微控制器 通用內存接口 (UMI) 配有錯誤糾正代碼控制器， ......
海力士與ST的合資晶圓制造廠終于落戶無錫，這座占地800余畝的新廠位于無錫新區，主要制造NAND閃存和DRAM存儲器芯片。這個晶圓廠的一期工程總投資為20億美元，成為迄今為止我國單體投資最大的半導體項目，同時它也是無錫市......
1 引言 閃速存儲器（FLASH Memory）以其集成度高、成本低、使用方便等許多優點，廣泛應用于通訊設備、辦公設備、家用電器、醫療設備等領域。利用其保存信息的非易失性和在線更新數據參數的特性，可將其作為具有......
1 引言 FLASH（閃速存儲器）作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數據不丟失等一系列優點，已成為嵌入式系統中數據和程序最主要的載體。由于FLASH在結構和操作方式上與硬盤、E2ROM等其他存......
全球最大的半導體公司之一意法半導體公司（紐約證券交易所：STM)和另一家大型半導體廠商海力士半導體（Bloomberg:000660KS）今天為在中國江蘇省無錫市合資建立的存儲器芯片前端制造廠舉行了正式的開業典禮。中國地......
在經過半年的降價之后，全球NAND閃存市場最近出現了復蘇的一些跡象。 據悉，NAND閃存芯片的合同價格最近開始反彈。根據內存閃存市場機構DRAMeXchan......
美國半導體廠商Micron美光表示，他們將于2007年在NAND閃存業務上投入35億美金的巨資，以擴充生產NAND閃存的設備之用。 產業分析師認為，美光之所......
43.2%在閱讀
23.2%在互動
