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在射頻(RF)技術(shù)、計(jì)量學(xué)等諸多領(lǐng)域的應(yīng)用場景中，都需要極低噪聲的電源電壓。本文將闡釋并對比傳統(tǒng)設(shè)計(jì)方法與一種創(chuàng)新的高集成度設(shè)計(jì)方案，致力于為敏感的負(fù)載提供超低噪聲電源。新技術(shù)不僅帶來了更緊湊的設(shè)計(jì)，使用起來也更加便捷。......
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET因其低功耗、高臨界電場強(qiáng)度和優(yōu)異的熱導(dǎo)率，被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)和軌道交通等高壓高頻場景。然而，如何在確保擊穿電壓（BV）的同時優(yōu)化導(dǎo)通電阻（Ron），一直是行業(yè)亟......
通常我們使用LDO穩(wěn)壓器IC（以下簡稱LDO），可以簡單地實(shí)現(xiàn)DC-DC轉(zhuǎn)換。作為電壓調(diào)節(jié)工具，LDO在輸入輸出電壓差小的時候效率非常好，但是在電壓差大的時候，由于其工作特性，會導(dǎo)致較高的功率損耗并發(fā)熱嚴(yán)重。因此，適當(dāng)?shù)?.....
首先，我們來了解一下“升壓電源負(fù)載短路時的過電流引發(fā)的問題”。關(guān)于升壓電源的輸出短路引發(fā)的問題，作為示例我們在這里探討“二極管整流方式的輸出短路”、“同步整流方式的輸出短路”、“背柵控制”、“低邊開關(guān)的限流工作”。1、二......
關(guān)鍵要點(diǎn)BM6337xS系列 配備了可監(jiān)控LVIC（Low Side Gate Driver）溫度的熱關(guān)斷電路，當(dāng)LVIC的 T j 達(dá)到規(guī)定溫度以上時，熱關(guān)斷電路將啟動，會關(guān)斷下......
功率因數(shù)是電源電路使用有功功率的效率指標(biāo)，用從0到1的值來表示。其值越接近1，功率因數(shù)越高，意味著功率的使用效率越好。交流電功率與功率因數(shù)密切相關(guān)，如果功率因數(shù)低，那么功率波動和損耗就有可能增加。因此，改善功率因數(shù)有助于......
線性穩(wěn)壓器IC的軟啟動在輸入電源導(dǎo)通（啟動）時，通過在一定時間內(nèi)逐步提升輸出電壓，可以抑制為輸出電容器充電時流過的浪涌電流的最大值，這就是采用軟啟動的主要目的。BDxxIC0系列 的軟啟動上升時間在IC內(nèi)部固定......
在數(shù)字存儲領(lǐng)域中，固態(tài)硬盤（SSD）憑借其更高的可靠性、更快的速度、更低的功耗、更佳的性能以及輕巧緊湊的設(shè)計(jì)，已經(jīng)成為現(xiàn)代計(jì)算環(huán)境中的核心組件。預(yù)計(jì)到2028年，全球SSD市場將達(dá)到670億美元，其中電源斷電保護(hù)（PLP......
安森美推出了具有卓越 R DS（on） *A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 ......
本文闡釋了在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵(GaN)開關(guān)所涉及的獨(dú)特考量因素和面臨的挑戰(zhàn)。文中提出了一種以專用GaN驅(qū)動器為形式的解決方案，可提供必要的功能，打造穩(wěn)固可靠的設(shè)計(jì)。此外，本文還建議將LTspice?作為合適的工具......
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