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mosfet 文章 最新資訊

TrenchFET器件典型RDS(ON)為 61 mΩ，優(yōu)值系數(shù)為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布，推出新型200V n溝道MOSFET--- SiSS94DN ，器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下典型導通電阻達到業(yè)內最低的61 mΩ。同時，經過改進的導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關應用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為854 mΩ*nC。節(jié)省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN 專門用來提高功率密度，占位面積比采
  • 關鍵字： MOSFET  FOM  

健康催生可穿戴多功能需求

  • 可穿戴設備廣泛用于娛樂、運動和醫(yī)療健康等領域，作為把多媒體、傳感器和無線通信等技術嵌入人們的衣著或配件的設備，可支持手勢和眼動操作等多種交互方式。作為消費電子業(yè)面臨的又一個新發(fā)展機遇，可穿戴設備經歷了前些年從概念火爆到實際產品大量普及的過程之后，行業(yè)前景一直穩(wěn)步成長。據(jù)統(tǒng)計，2019年全球可穿戴技術產品市場的規(guī)模超過了500億美元，是2014年的2倍以上，可以說可穿戴設備已成為過去5年來消費電子領域最成功的市場之一。1? ?市場需求持續(xù)爆發(fā)雖然2020年全球經歷了嚴重的新冠疫情影響，部
  • 關鍵字： MOSFET  VR  MR  CGM  IDC  202009  

ROHM為新基建帶來的功率器件和電源產品

  • 1 無線基站羅姆（ROHM）針對無線基站推出了多款解決方案，包括一系列高耐壓MOSFET和高效率DC/DC轉換器等，有助于降低功耗。?SiC MOSFET具有高耐壓、高速開關、低導通電阻的特性，即使在高溫環(huán)境下也能顯示出色的電器特性，有助于大幅降低開關損耗和周邊零部件的小型化。羅姆備有650V、1200V、1700V SiC?MOSFET產品。其中，第3代溝槽柵型SiC MOSFET?SCT3系列有650?V和1?200?V的六款產品，特點是導通
  • 關鍵字： 耐高壓  MOSFET  DC/DC  202009  

有助于減輕激光光源電路的設計負擔并提高測距精度

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日確立了一項VCSEL*1模塊技術，該技術通過提高VCSEL的輸出功率，進一步提高了空間識別和測距系統(tǒng)（TOF系統(tǒng)*2）的精度。以往采用VCSEL的激光光源中，作為光源的VCSEL產品和用來驅動光源的MOSFET產品在電路板上是獨立貼裝的。在這種情況下，產品之間的布線長度（寄生電感*3）無意中會影響光源的驅動時間和輸出功率，這就對實現(xiàn)高精度感應所需的短脈沖大功率光源帶來了局限性。ROHM此項新技術的確立，將新VCSEL元件和MOSFET元件集成于1個模塊
  • 關鍵字： MOSFET  VCSEL  TOF  AGV  

內置高壓MOS管和高壓啟動的AC/DC電源控制芯片

  • 一、芯片介紹繼推出5W和20W的開關電源控制IC后，為滿足客戶對更多功率段的需求，金升陽推出內置高壓MOS管和高壓啟動的AC/DC電源控制芯片——SCM1738ASA。SCM1738ASA是一款內置高壓MOS 管功率開關的原邊控制開關電源（PSR），采用PFM 調頻技術，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環(huán)路，穩(wěn)定性和平均效率非常高。由于集成高壓啟動，可以省去外圍的啟動電阻，實現(xiàn)低損耗可靠啟動。同時，該芯片具有可調節(jié)線性補償功能和內置峰值電流補償功能，輸出功率最大可達8W。二、產品應用可廣泛應用于AC
  • 關鍵字： MOSFET  PSR  IC  RFM  

減少開關損耗：儒卓力提供來自羅姆的節(jié)能SiC-MOSFET

  • 羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結構(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統(tǒng)3引腳封裝類型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開關性能，并將開關損耗降低多達35%。SiC-MOSFET特別適合在服務器電源、UPS系統(tǒng)、太陽能逆變器和新能源汽車充電站中的節(jié)能使用。通過使用TO-247-4L封裝，驅動器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著降低功耗，對于必須提供不間斷電源的高性能應
  • 關鍵字： MOSFET  碳化硅  UPS  

模塊化參考設計幫助用戶為各種應用選擇不同的功能塊 縮短上市時間、節(jié)省BOM成本及資源

  • 全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子集團 近日宣布推出一款48V電動車應用成功產品組合解決方案，可幫助用戶加快電動滑板車、電動自行車、混合動力汽車、UPS和儲能系統(tǒng)的開發(fā)。該參考設計在硬件和軟件中均采用模塊化方法以展示核心及可選功能塊，可用于多種24V-48V應用，如割草機、手推車、機器人清潔器、電動工具、移動電源等。該成功產品組合使用了15個瑞薩IC產品，包括三個關鍵器件：ISL94216 16芯電池前端（BFE）、強健的HIP2211 100V MOSFET驅動器以及用于電機控制的RX23T 32位
  • 關鍵字： MOSFET  PWM  BLDC  MCU  

低導通電阻的-30 V P溝道MOSFET，可提高能效和功率密度

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，首度推出-30 V p溝道功率MOSFET---?SiRA99DP?，10?V條件下導通電阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET?第四代?SiRA99DP?導通電阻達到業(yè)內最低水平，采用熱增強型6.15 mm x 5.15?mm PowerPAK? SO-8單體封裝，專門用來提高功率密度。日前發(fā)布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43
  • 關鍵字： MOSFET  

儲能系統(tǒng)助推電動汽車快速充電基礎設施建設

  • 電動汽車(EV)將獲得越來越多的市場份額，最終取代內燃機汽車。直流快速充電站將取代或整合加油站。太陽能、風能等可再生能源將為它們提供動力。人們將希望能在不到15分鐘的時間內為電動汽車充滿電，他們不愿排隊等候唯一的充電樁。
  • 關鍵字： MOSFET  PWM  BMS  

東芝與MikroElektronika展開合作，為電機驅動IC開發(fā)評估板

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，與MikroElektronika（“Mikroe”）合作推出基于東芝電機驅動IC的Click boards?開發(fā)評估板。Mikroe是一家設計和制造用于嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的軟硬件工具的公司?？蛻衄F(xiàn)在可通過由Mikroe制造和銷售的評估板Click boards?對東芝電機驅動IC進行評估。東芝高度集成的電機驅動IC擁有四十多年的歷史，因得到電機控制系統(tǒng)的普遍采用而在業(yè)界廣受推崇。為控制多種應用中的直流有刷電機、直流無刷電機和步進電機，東芝提供豐富的電機驅動
  • 關鍵字： NVM  IC  MOSFET  

英飛凌旗下IR HiRel公司助力NASA毅力號火星探測車創(chuàng)造新里程碑

  • 美國國家航空航天局(NASA) 噴氣推進實驗室于7月30日將毅力號 (Perseverance) 探測車送上了太空，展開火星探測之旅。這輛探測車預計將于 2021 年 2 月在火星著陸。英飛凌科技股份公司 旗下的企業(yè)IR HiRel，為該探測車提供了數(shù)千個經過抗輻射強化 (Rad Hard) 的關鍵組件。這是該公司電力電子組件第五次登上 NASA 的火星探測車。IR HiRel曾相繼為 1997 年的索杰納號 (Sojourner)、 2004 年的機遇號 (Opportunity) 和勇氣號 (Spir
  • 關鍵字： MOSFET  IC  NASA  IR  

5A、3.3V和5V電源符合嚴格的EMI輻射標準

  • 嚴苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內置MOSFET功率開關的單片式降壓穩(wěn)壓器，與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對較小。可在高頻率（遠高于AM頻段的2 MHz范圍內）下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩(wěn)壓器的最小導通時間(TON)較低，則無需中間穩(wěn)壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節(jié)約空間并降低復雜性。減少最小導通時間需要快速開關邊沿和最小死區(qū)時間控制，以有效減少開關損耗并支持高開關頻率操作
  • 關鍵字： EMI  FET  AM  SSFM  PWM  IC  MOSFET  

GaN 器件的直接驅動配置

  • 受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現(xiàn)提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現(xiàn)此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優(yōu)點，包括更低的開關損耗、更佳
  • 關鍵字： MOSFET  HEMT  GaN  PFC  IGBT  IC  

PFC電路MOS管應用電路振蕩問題分析

  • 本文介紹了傳統(tǒng)PFC電路MOS管在應用過程中產生振蕩的機理，通過具體的案例詳細分析了因MOS振蕩引起損壞的原因，并結合實際應用給出具體的解決措施和方案，通過實驗及大批量的生產驗證表明，措施有效，穩(wěn)定且可靠，對PFC電路MOS管應用電路及參數(shù)匹配具有重要的借鑒和參考意義。
  • 關鍵字： 202008  PFC電路  MOS管  振蕩  MOSFET  202008  

超結結構的功率MOSFET輸出電容特性

  • 本文主要分析了超結結構的功率MOSFET的輸出電容以及非線性特性的表現(xiàn)形態(tài)，探討了內部P柱形成耗盡層及橫向電場過程中，耗盡層形態(tài)和輸出電容變化的關系，最后討論了新一代超結技術工藝采用更小晶胞單元尺寸，更低輸出電容轉折點電壓，降低開關損耗，同時產生非常大的du/dt和di/dt，對系統(tǒng)EMI產生影響。
  • 關鍵字： 202008  功率  MOSFET  超結結構  輸出電容  橫向電場  
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