- 隨著景氣逐漸復蘇，全球半導體市場持續出現整并風潮，繼晶圓代工、IC設計之后，硅智財(IP)產業近年來購并案亦頻傳，繼IP業者ARC被 VirageLogic買下，以及Chipidea出售給新思(Synopsys)之后，新思亦再度出手買下VirageLogic，顯示半導體業的IP 產業已漸趨成熟。
IP業者指出，半導體相對其他產業來說仍算年輕，其中IP產業時間更短，而要走向較穩定的階段，則必然會出現整并，剩下幾個大的廠商相互競爭，而近年包括安謀(ARM)、新思(Synopsys)及Virage等公
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晶圓代工 IC設計
- 新興市場的3G應用正逐步進入主流。主流的幾家3G核心芯片供貨商賽靈思及阿爾特拉以及3G芯片龍頭高通不僅財報亮眼，第三季財測也均優于預期。由于3G相關應用將成為接下來帶動半導體產業上下游成長動力所在，而通訊芯片廠業績紅火，晶圓代工龍頭臺積電將是最大受惠者。
印度3G執照在5 月底正式拍出，中國3G用戶數也在6月正式突破千萬人，由于中國及印度是全球人口最多的國家，因此中國及印度將成為接下來通訊芯片廠兵家必爭之地。另外，中國3G開臺后，目前中國移動、中國聯通、中國電信除了積極布建基地臺外，也把布建范圍
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高通 3G 晶圓代工
- 全球晶圓(Global Foundries)挑戰臺積電晶圓代工市場地位來勢洶洶，2010年初甫與安謀(ARM)攜手開發28納米制程，挑戰臺積電在先進制程領先優勢，然臺積電亦不干示弱，正式宣布與ARM簽訂長期合約，將技術世代延續至28與20納米制程，建立更長遠合作關系，在看好ARM平臺于可攜式電子產品發展潛力，臺積電與全球晶圓雙方熱戰互不相讓。
臺積電指出，已與ARM簽訂長期合約，在制程平臺上擴展ARM系列處理器及實體智財設計開發，從目前技術世代延伸到未來20納米制程，以ARM處理器為設計核心，并
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臺積電 晶圓代工 20納米
- 新興市場的3G應用正逐步發燒，帶動3G基地臺主要核心芯片供貨商賽靈思及阿爾特拉以及3G芯片龍頭高通不僅財報亮眼，第三季財測也均優于預期，由于3G相關應用將成為接下來帶動半導體產業上下游成長動力所在，而通訊芯片廠業績紅火，晶圓代工龍頭臺積電將是最大受惠者。
受惠于中國正在積極的布建3G環境，3G基地臺零組件在今年第二季需求相當強勁，帶動主要核心芯片供貨商賽靈思(Xilinx)及阿爾特拉(Altera)第二季財報繳出亮麗成績。其中賽靈思預估今年第三季營收季增率將達3%-7%;另外，阿爾特拉也預估本季
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臺積電 3G 通訊芯片 晶圓代工
- 臺積電日前表示，美國半導體公司STC.UNM針對公司的專利侵權指控是不實指控。
STC.UNM是新墨西哥大學(UniversityofNewMexico)旗下一家負責技術轉讓的公司。
臺積電在一份聲明中說，公司將積極應訴，拒絕接受美國國際貿易委員會(U.S.InternationalTradeCommission)調查中的有關指控。
STC在6月底針對臺積電提起訴訟，指控臺積電進口有侵權行為產品的做法有違專利法的規定，屬不正當競爭行為。
STC說，這項專利指的是微影制程技術(l
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臺積電 晶圓代工
- 7月20日消息，晶圓代工廠臺積電與ARM公司簽訂長期合約，在臺積制程平臺上擴展ARM系列處理器及實體智財設計開發，并規劃共同拓展28納米與20納米制程。
雙方合作內容包括，臺積將Cortex系列處理器及CoreLink AMBA協定系列完成制程最佳化實作。同時，也將與ARM合作，開發28奈米與20奈米制程嵌入式記憶體及標準元件庫等實體智財產品。
臺積電研究發展副主管許夫傑表示，雙方合作預期將可強化開放創新平臺價值，并促進整個半導體供應鏈創新。而未來系統單晶片應用客戶，將獲致最佳的產品效能。
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ARM 晶圓代工
- 晶圓代工搶攻高階制程市占率，積極擴充產能，臺積電、聯電、全球晶圓(Global Foundries)與三星電子(Samsung Electronics)皆大手筆添購設備，帶動半導體設備業再現產業循環高峰，包括應用材料(Applied Materials)、艾斯摩爾(ASML)等接單暢旺，不僅走出2009年金融海嘯虧損陰霾，2010年營收亦可望創佳績。
根據市場機構估計，到 2011年第4季時，臺積電、 Global Foundries與三星的45奈米以下制程產能總和的年增率可大幅成長約3倍。光是
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臺積電 晶圓代工 半導體設備
- 受惠于晶圓代工與DRAM廠推出先進制程，對浸潤式顯影機臺需求大增，讓半導體設備大廠艾斯摩爾(ASML)2010年接單暢旺，隨著半導體制程推進5x奈米以下先進制程，制程復雜度大增，亦需加緊提高量良率，讓ASML甫于2009年推出的整合微影技術(Holistic Lithography)系列產品，已獲得意法半導體(STMicroelectronics)采用于28奈米制程。
ASML指出，隨著半導體制程推進到50x奈米以下制程，業者投入的經費越來越高昂，生產時程亦拉得更長，良率更難提升，制程容許度(p
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ASML DRAM 晶圓代工
- 臺積電公司近日透露，為了滿足大陸市場的需求，公司將擴增其設在上海松江的8英寸廠Fab10的產能。臺積電公司高級副總裁劉德音表示，目前該工廠的月產 能為2萬片(按8英寸計算)，而公司的計劃是將其月產能增加到6萬片，不過他并沒有透露產能增加計劃將于何時完成。
另注：
--WaferTech為臺積電在7年前于美華盛頓州設立的合資企業
--SSMC為臺積電在新加坡與NXP公司合資的公司
--TSMC China則為臺積電在中國上海成立的公司，文中所提8英寸Fab10工廠即屬此分公司
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臺積電 晶圓代工
- 繼晶圓代工大廠臺積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術后，全球晶圓(Global Foundries)也在美國時間14日于SEMICON West展會中宣布，投入EUV微影技術，預計于2012年下半將機臺導入位于美國紐約的12寸晶圓廠(Fab 8)，將于2014~2015年間正式量產。
由于浸潤式微影(Immersion Lithography)機臺與雙重曝光(double-patterning)技術，讓微影技術得以發展至2x奈米，不過浸潤式微影機臺采用的是 193nm波長的光源，走到22奈米已
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臺積電 EUV 晶圓代工
- 臺積電董事長張忠謀看好半導體市場景氣持續復蘇，決定加大12吋廠擴產力道，包括竹科Fab12第5期第4季投產，南科Fab14明年上半年投產，及中科 Fab15加速建廠等。設備商預估，臺積電應會在月底法說會中再度上修今年資本支出，以目前投資力道來看，有機會上看55億美元。若果達此水平，則將超越英特爾日前修正后的52億美元目標。
臺積電原本預期今年資本支出達48億美元，但今年以來12吋廠高階制程產能一直供不應求，下半年雖然法人及分析師認為景氣復蘇力道將趨緩，不過臺積電第3季先進制程接單仍然滿載，第4季
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臺積電 晶圓代工
- TSMC于16日在中國臺灣臺中科學園區舉行第三座十二吋超大型晶圓廠(GIGAFABTM)--晶圓十五廠動土典禮，為TSMC“擴大投資臺灣”的承諾寫下另一個重要的里程碑。
動土典禮由TSMC張忠謀董事長兼總執行長主持。張忠謀董事長表示，科學園區在臺灣高科技產業的發展過程中，扮演關鍵的角色，也是TSMC之所以能夠“立足臺灣、放眼全球、在全球半導體業發光”的重要支持。過去二十幾年來，TSMC陸續在竹科及南科茁壯成長，如今位于中科的晶圓十五廠開始動土興建，
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臺積電 晶圓代工
- X-FAB Silicon Foundries，業界領先的模擬/混合信號晶圓廠及“超越摩爾定律”技術的專家，今天公布了業界首款100V高壓0.35微米晶圓廠工藝。它能用于電池管理,提供新類型的可靠及高性能電池監控與保護系統。它也非常適合用于功率管理設備，以及用于使用壓電驅動器的超聲波成像和噴墨打印機的噴頭。此外，X-FAB加入了新興改良式N類與P類雙擴散金屬氧化物半導體(DMOS)晶體管，對于達到100V的多運作電壓，導通電阻可降低45%，晶片的占位能夠降低40%，從而降低了晶
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X-FAB 晶圓代工
- 臺積電位于臺中科學園區的12寸廠本周五(16日)舉行動土典禮，將由董事長張忠謀親自主持。這座簡稱為“15廠”的12吋廠，將朝月產能10萬片的超大晶圓廠發展，為臺積電營運增加增長動能，持續在全球芯片工產業拓大市占率。
臺積電董事長張忠謀在今年初說明會中首度對外透露將在中科內建全新的12寸芯片廠，并預計今年中動土，因此臺積電選在16日對外舉行動土典禮。因動土典禮將由張忠謀親自主持，預期他將對外說明臺積電對15個廠的整體投資金額，具體的量產時程以及發展重點。
臺積電規劃，
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臺積電 晶圓代工
- 臺積電最近對外發放了一批動工儀式邀請函，邀請函稱該公司定于本月16日在臺灣臺中科技園區將舉辦其Fab15工廠的破土動工儀式。據臺積電CEO張忠謀 今年4月份透露，臺積電Fab15工廠建成的初期將采用適合于40nm制程的規格進行布置，不過未來這間工廠將負責為臺積電開發28nm及更高級別的制程 技術。
除了興建Fab15工廠之外，臺積電同時還在積極發展其現有兩家12英寸工廠的制程技術。今年第三季度，臺積電Fab12工廠第五期擴建工程將正式投入生產使用;而Fab14工廠的第四期擴建工程也將于今年年底前
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