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DDR4瘋狂漲價，DRAM廠商爆賺
- 據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道，由于DDR4供應(yīng)減少，再加上市場神秘買家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來報價已翻漲一倍以上，不僅跨過DRAM廠損益平衡點，更達(dá)到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報價大漲，甚至比更高規(guī)格的DDR5報價更高，呈現(xiàn)“價格倒掛”，業(yè)界直言：“至少十年沒看過現(xiàn)貨價單日漲幅這么大。”根據(jù)DRAM專業(yè)報價網(wǎng)站DRAMeXchange最新報價顯示，6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，
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價格再看漲！ 美光親證實DDR4將停產(chǎn)大缺貨
- 全球三大DRAM原廠確定從DDR4規(guī)格，轉(zhuǎn)向先進(jìn)制程產(chǎn)品。 繼韓系兩大內(nèi)存業(yè)者先后釋出DDR4停產(chǎn)時程，美光（Micron）確定已向客戶發(fā)出信件通知DDR4將停產(chǎn)（EOL，End of Life），預(yù)計未來2~3季陸續(xù)停止出貨。美光執(zhí)行副總裁暨業(yè)務(wù)執(zhí)行長Sumit Sadana接受DIGITIMES專訪表示，DDR4將繼續(xù)「嚴(yán)重缺貨」，未來美光DDR4/LPDDR4 DRAM，僅會策略性針對三大領(lǐng)域長期客戶持續(xù)供應(yīng)，而DDR5/LPDDR5產(chǎn)品正進(jìn)入市場價格甜蜜點。美光同步釋出未來市場策略走向，會針對獲利
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美光開始向客戶提供HBM4內(nèi)存樣品 —36 GB容量和2 TB/s帶寬
- 美光本周宣布，該公司已開始向主要客戶運送其下一代 HBM4 內(nèi)存的樣品。適用于下一代 AI 和 HPC 處理器的新內(nèi)存組件具有 36 GB 的容量和 2 TB/s 的帶寬。美光的首批樣品是 12 層高器件，具有 36 GB 內(nèi)存，具有 2048 位寬接口以及約 7.85 GT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率。這些樣品依賴于采用該公司 1? （1-beta） DRAM 工藝技術(shù)制造的 24GB DRAM 器件，以及臺積電使用其 12FFC+（2nm 級）或 N5（5nm 級）邏輯工藝技術(shù)生產(chǎn)的邏輯基礎(chǔ)芯片。美光最新一代
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HBM4爭霸戰(zhàn)開打 美光領(lǐng)跑
- 生成式AI持續(xù)爆發(fā)，推升高帶寬記憶體（HBM）需求急遽攀升。 全球三大內(nèi)存廠—美光、SK海力士與三星電子全面投入HBM4戰(zhàn)局，爭搶AI加速器內(nèi)存主導(dǎo)權(quán)。 其中，美光搶先宣布送樣，技術(shù)領(lǐng)先態(tài)勢明顯。美光12日宣布，已將最新12層堆疊、容量達(dá)36GB的HBM4，送樣給多家全球客戶。 該產(chǎn)品采用先進(jìn)的1β DRAM制程，搭配2048位寬高速接口，單堆疊傳輸速率突破2.0 TB/s，效能較前一代HBM3E提升超過60%，能源效率亦提升逾20%，預(yù)計2026年正式量產(chǎn)。美光指出，HBM4具備內(nèi)存內(nèi)建自我測試（MBI
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美光出貨全球首個基于1γ的LPDDR5X 樣品，引領(lǐng)行業(yè)最薄的設(shè)計
- 隨著內(nèi)存巨頭加大對 10 納米級 DRAM 的投入，美光于 6 月 3 日宣布，已開始運送全球首款基于 1γ 節(jié)點的 LPDDR5X 內(nèi)存的認(rèn)證樣品，旨在增強旗艦智能手機的 AI 性能。正如 ZDNet 所指出的，1γ 工藝標(biāo)志著第六代 10nm 級 DRAM，預(yù)計將在今年晚些時候加速量產(chǎn)。該節(jié)點的線寬約為 11 至 12 納米，在韓國半導(dǎo)體行業(yè)通常稱為 1c DRAM。ZDNet 還指出，LPDDR5X 代表了目前市場上最先進(jìn)的一代低功耗 DRAM，主要應(yīng)用于移動設(shè)備。根據(jù)美光的新聞
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美光為Motorola最新款Razr 60 Ultra注入AI創(chuàng)新動能
- 美光科技今日（5?月?27?日）宣布，Motorola?最新功能強大的翻蓋手機Motorola Razr 60 Ultra采用美光高性能、高能效的LPDDR5X內(nèi)存以及先進(jìn)的UFS 4.0解決方案。該款智能手機搭載Motorola基于大型語言模型的AI功能Moto AI，美光的LPDDR5X和UFS解決方案為其提供了所需的容量、能效、速率和性能。美光企業(yè)副總裁暨手機和客戶端業(yè)務(wù)部門總經(jīng)理Mark Montierth表示：“美光LPDDR5X內(nèi)存和UFS 4.0存儲解
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美光12hi HBM3e在CSP的強勁支持下，到8月出貨量可能超過8hi
- 當(dāng)三星全速推進(jìn)其 12hi HBM3e 驗證和 HBM4 開發(fā)時，美光一直處于低調(diào)狀態(tài)。但據(jù) New Daily 報道，這家美國內(nèi)存巨頭正在悄然崛起——其 12hi HBM3e 良率正在迅速提高，贏得了主要 CSP 的好評。該報告援引美光在投資者會議上的言論，表明該公司對 12hi HBM3E 押下重注，并預(yù)計該產(chǎn)品最早在 8 月的出貨量將超過目前的 8hi HBM3e，目標(biāo)是在第三季度末達(dá)到穩(wěn)定的良率水平。此外，據(jù) New Daily 報道，由于 NVIDIA 可能會加快其下一代 R
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三大內(nèi)存廠持續(xù)減產(chǎn)DDR4
- 三大原廠紛紛縮減舊制程產(chǎn)能，除三星電子已傳宣布4月終止1y nm及1z nm制程的DDR4生產(chǎn)，美光亦通知客戶停產(chǎn)服務(wù)器用舊制程DDR4模組，SK海力士據(jù)傳也將DDR4產(chǎn)出比重降至20%。法人認(rèn)為，市場景氣低迷，上游存儲器廠加速產(chǎn)品迭代，降低單位成本以提升獲利，同時將資源轉(zhuǎn)向高帶寬記憶體（HBM）及DDR5等高階產(chǎn)品。短期內(nèi)內(nèi)存價格受到關(guān)稅備貨與供給控制支撐，但整體環(huán)境不確定性高，未來基本面仍存隱憂。三星已通知供應(yīng)鏈，1y nm及1z nm制程的8GB LPDDR4內(nèi)存將于2025年4月停止生產(chǎn)（EOL）
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關(guān)稅轉(zhuǎn)嫁美國客戶第一槍！美光將加收產(chǎn)品附加費
- 全球前三的內(nèi)存制造商美光，不堪自家總統(tǒng)的對等關(guān)稅壓力，在全球開起漲價第1槍，要將關(guān)稅轉(zhuǎn)嫁給客戶，因其海外生產(chǎn)基地主要位于亞洲，包括中國大陸、中國臺灣、日、星和大馬等，被加征10%-104%關(guān)稅，雖然半導(dǎo)體產(chǎn)品豁免關(guān)稅，但用于汽車、筆電和服務(wù)器等的內(nèi)存模組和固態(tài)硬盤（SSD）仍要收關(guān)稅，不得不告知美國客戶，從美國時間4月9日起將加收產(chǎn)品附加費。據(jù)路透報道，美光透過信函告知美國客戶，從今（4/9）起部分產(chǎn)品將額外收費，以抵銷特朗普的對等關(guān)稅沖擊。 但美光并未回應(yīng)路透報道。美國總統(tǒng)特朗普在4/2解放日，宣布4/
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美光、SK海力士跟隨中！三星對內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價3-5%：客戶已開始談判新合同
- 4月7日消息，據(jù)國外媒體報道稱，三星公司領(lǐng)導(dǎo)層將對主要全球客戶提高內(nèi)存芯片價格——從當(dāng)前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導(dǎo)致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價格上漲，預(yù)計2025年和2026年價格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示：去年全年供應(yīng)過剩，但隨著主要公司開始減產(chǎn)，供應(yīng)量最近有所下降，目前三星漲價后部分新合同的談判已然啟動。此外，人工智能 (AI) 設(shè)備在中國接連出現(xiàn)，由于工業(yè)自動化，對半導(dǎo)體的需求正在逐漸增加。市場研究機構(gòu)DRAMeXchange給出的統(tǒng)計顯示，
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AI和數(shù)據(jù)中心需求激增，美光確認(rèn)內(nèi)存價格上漲
- 美光已確認(rèn)其提高內(nèi)存價格的計劃，理由是未來幾年對 DRAM 和 NAND 閃存的需求強勁。該公司的最新公告表明，隨著供應(yīng)限制以及人工智能、數(shù)據(jù)中心和消費電子產(chǎn)品的需求增長推高了成本，價格將在 2025 年和 2026 年繼續(xù)上漲。價格上漲之際，內(nèi)存市場正從供應(yīng)過剩和收入下降的時期反彈。在過去的一年里，由于主要供應(yīng)商的減產(chǎn)以及對高性能計算和 AI 工作負(fù)載的需求增加，DRAM 和 NAND 閃存的價格穩(wěn)步回升。隨著美光確認(rèn)有意提高價格，三星和 SK 海力士等其他內(nèi)存制造商預(yù)計將效仿，進(jìn)一步鞏固價格上漲趨勢。
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美光斷電減產(chǎn) NAND原廠4月提前調(diào)漲
- NAND Flash價格由谷底翻漲正蓄勢待發(fā)，繼SanDisk日前發(fā)函通知4月1日將調(diào)漲報價，近期市場傳出，美光（Micron）、三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）以及中國的存儲廠均將從4月起提高報價。由于二大韓廠減產(chǎn)措施發(fā)酵，美光日前新加坡NAND廠發(fā)生跳電，導(dǎo)致NAND供貨轉(zhuǎn)趨吃緊，長江存儲旗下SSD品牌也將于4月起調(diào)漲代理價格，漲幅可望將超過10%，全球各大原廠不約而同推動漲價，NAND價格回漲速度優(yōu)于原先預(yù)期。存儲器業(yè)界觀察，近期整體終端市場的需求并
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驚人的27GB/s讀速！美光全球最快PCIe 6.x SSD首秀
- 3月7日消息，美光推出了一款新的基于PCIe 6.x協(xié)議的固態(tài)硬盤原型產(chǎn)品，順序讀取速度達(dá)到了驚人的27GB/s，成為目前全球最快的PCIe 6.x SSD。這一速度不僅超越了美光去年推出的26GB/s的PCIe 6.x SSD，更是將現(xiàn)有PCIe 5.0 SSD的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后。在數(shù)據(jù)中心連接解決方案提供商Astera Labs的展示中，美光的PCIe 6.x SSD原型搭配了Astera Labs的Scorpio P系列交換機，該交換機擁有64個PCIe 6.x通道和四端口架構(gòu)。此外通過NVIDIA
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兩項閃存技術(shù)革新，美光、鎧俠各有動作
- DeepSeek等AI模型驅(qū)動之下，存儲器市場備受青睞。長遠(yuǎn)來看，AI等熱潮將推動NAND Flash市場需求上漲，高容量存儲需求有望為NAND Flash（閃存）市場提供新的增長動力。這一過程中，少不了技術(shù)升級與產(chǎn)品迭代。值得一提的是，為了提升存儲技術(shù)的創(chuàng)新能力和市場競爭力，一些存儲廠商之間正在進(jìn)行技術(shù)共享和聯(lián)合研發(fā)的合作。近期，美光、鎧俠等公司閃存技術(shù)迎來革新，涉及3D NAND Flash與PCIe 6.0 SSD。鎧俠X閃迪革新3D閃存技術(shù)：4.8Gbps、332層堆疊！在近期召開的2025年IE
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