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面向數(shù)據(jù)中心和AI熱門(mén)市場(chǎng) 美光推出多類(lèi)SSD產(chǎn)品
- 隨著數(shù)據(jù)中心特別是AIGC相關(guān)的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)于大容量高性能存儲(chǔ)的需求越來(lái)越高，存儲(chǔ)器產(chǎn)品的更新?lián)Q代成為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中的必然趨勢(shì)。近日，美光科技接連發(fā)布在SSD方面的多個(gè)量產(chǎn)信息，重點(diǎn)滿(mǎn)足數(shù)據(jù)中心和AI相關(guān)應(yīng)用對(duì)高性能SSD產(chǎn)品的最新需求。 在數(shù)據(jù)中心應(yīng)用方面，美光推出首款PCIe 5.0數(shù)據(jù)中心SSD—— 9550 SSD，專(zhuān)為高性能細(xì)分市場(chǎng)打造，在美光的產(chǎn)品組合中扮演著提供卓越數(shù)據(jù)中心SSD性能的角色，并吸引了眾多云和企業(yè)客戶(hù)。人工智能市場(chǎng)的興起，對(duì)SSD的性能提出了更高要求，同時(shí)提升數(shù)據(jù)中
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美光將在中國(guó)臺(tái)灣加碼投資，或聚焦HBM
- 行業(yè)人士消息，美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra在今年7月訪(fǎng)問(wèn)中國(guó)臺(tái)灣，將帶來(lái)更進(jìn)一步合作，例如在人工智能（AI）應(yīng)用扮演重要角色的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。據(jù)悉，美光將加碼在中國(guó)臺(tái)灣投資，除制造HBM先進(jìn)制程外，不排除有機(jī)會(huì)在中國(guó)臺(tái)灣創(chuàng)建第二個(gè)研發(fā)中心。據(jù)悉，中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部門(mén)于2021年5月申請(qǐng)領(lǐng)航企業(yè)研發(fā)深耕計(jì)劃（大A+），提出DRAM先進(jìn)技術(shù)暨高帶寬存儲(chǔ)器研發(fā)領(lǐng)航計(jì)劃，在中國(guó)臺(tái)灣設(shè)立第一個(gè)研發(fā)中心，獲補(bǔ)助47億元新臺(tái)幣，將研發(fā)先進(jìn)制程落腳在中國(guó)臺(tái)灣生產(chǎn)。2021年，美光在中國(guó)臺(tái)灣申請(qǐng)
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美光宣布量產(chǎn)第九代NAND閃存技術(shù)產(chǎn)品
- 美光科技股份有限公司近日宣布，其采用第九代（G9）TLC NAND技術(shù)的?SSD?產(chǎn)品已開(kāi)始出貨，成為業(yè)界首家實(shí)現(xiàn)這一里程碑的廠(chǎng)商之一。美光?G9 NAND?技術(shù)具備高達(dá)?3.6 GB/s?的數(shù)據(jù)傳輸速率，提供卓越的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)帶寬。該項(xiàng)?NAND?新技術(shù)為人工智能（AI）及其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用場(chǎng)景帶來(lái)出色的性能，適用于個(gè)人設(shè)備、邊緣服務(wù)器、企業(yè)和云數(shù)據(jù)中心。美光技術(shù)和產(chǎn)品執(zhí)行副總裁?Scott DeBoer?表
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美光推出全新數(shù)據(jù)中心SSD，性能業(yè)界領(lǐng)先
- 美光科技股份有限公司近日宣布，推出數(shù)據(jù)中心?SSD?產(chǎn)品美光?9550 NVMe? SSD，性能業(yè)界領(lǐng)先，同時(shí)具備卓越的?AI?工作負(fù)載性能及能效。美光?9550 SSD?集成了自有的控制器、NAND、DRAM?和固件，彰顯了美光深厚的專(zhuān)業(yè)知識(shí)和創(chuàng)新能力。該款集成解決方案為數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商帶來(lái)了業(yè)界領(lǐng)先的性能、能效和安全性。美光?9550 SSD?憑借?14.0 GB/s?的順序讀取速率和
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)再度“亮劍”，在美國(guó)起訴美光侵犯其 11 項(xiàng)專(zhuān)利
- IT之家 7 月 22 日消息，據(jù)外媒 Tomshardware 報(bào)道，中國(guó) 3D NAND 閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)，日前再次將美光告上法院，在美國(guó)加州北區(qū)指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 11 項(xiàng)專(zhuān)利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。長(zhǎng)江存儲(chǔ)還要求法院命令美光停止在美國(guó)銷(xiāo)售侵權(quán)的存儲(chǔ)產(chǎn)品，并支付專(zhuān)利使用費(fèi)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)指控稱(chēng)，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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美光新內(nèi)存模塊 開(kāi)始送樣
- 美光18日宣布，該公司多重存取雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）開(kāi)始送樣，針對(duì)內(nèi)存需求高達(dá)每DIMM 插槽128GB以上的應(yīng)用，其效能更勝目前的硅晶穿孔型（TSV）RDIMM。光第一代MRDIMM，與IntelR XeonR 6處理器兼容。美光MRDIMM現(xiàn)已上市，將于2024年下半年開(kāi)始大量出貨。 美光指出，開(kāi)始送樣的內(nèi)存是美光MRDIMM系列的第一代產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)最高帶寬、最大容量、最低延遲，以及更高的每瓦效能，加速內(nèi)存密集型如虛擬化多租戶(hù)、HPC和AI數(shù)據(jù)中心等的工作負(fù)載。美光副總裁暨運(yùn)算產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)
- 關(guān)鍵字： 美光 新內(nèi)存模塊
美光首款M.2 2230 PCIe 4.0 SSD推出
- 美光宣布旗下消費(fèi)級(jí)品牌英睿達(dá)推出新款固態(tài)硬盤(pán)P310，這也是其首款M.2 2230 PCIe 4.0 SSD，將SSD帶到了最小尺寸的M.2規(guī)格上。據(jù)悉，此次發(fā)布的P310系列，精心準(zhǔn)備了1TB與2TB兩種大容量選項(xiàng)，以滿(mǎn)足不同用戶(hù)的存儲(chǔ)需求。其核心搭載了美光自主研發(fā)、業(yè)界領(lǐng)先的232層3D QLC NAND閃存技術(shù)，這一創(chuàng)新不僅大幅提升了存儲(chǔ)密度，更在性能上實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。具體而言，P310的順序讀取速度高達(dá)7100 MB/s，順序?qū)懭胨俣纫策_(dá)到了驚人的6000 MB/s，同時(shí)，在4K隨機(jī)讀寫(xiě)測(cè)試中，分
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美光MRDIMM創(chuàng)新技術(shù)打造最高性能、低延遲主存，為數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載加速
- 美光科技股份有限公司近日宣布，已出樣多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）。該款?MRDIMM?將賦能美光客戶(hù)應(yīng)對(duì)日益繁重的工作負(fù)載，從而最大化計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施的價(jià)值。對(duì)于需要每個(gè)?DIMM?插槽內(nèi)存超過(guò)?128GB?的應(yīng)用，美光?MRDIMM?提供最高帶寬、最大容量、最低延遲以及更高的每瓦性能，在加速內(nèi)存密集型虛擬化多租戶(hù)、高性能計(jì)算和?AI?數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載方面，表現(xiàn)優(yōu)于當(dāng)前的?TSV RDI
- 關(guān)鍵字： 美光 MRDIMM 低延遲主存 數(shù)據(jù)中心
HBM排擠效應(yīng) DRAM漲勢(shì)可期
- 近期在智慧手機(jī)、PC、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器上，用于暫時(shí)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的DRAM價(jià)格漲勢(shì)停歇，買(mǎi)家拉貨不積極，影響DRAM報(bào)價(jià)漲勢(shì)。 業(yè)者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠(chǎng)HBM產(chǎn)能增開(kāi)，對(duì)一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應(yīng)，加上產(chǎn)業(yè)旺季來(lái)臨，可帶動(dòng)DRAM重啟漲勢(shì)。 據(jù)了解，6月指針性產(chǎn)品DDR4 8GB合約價(jià)約2.10美元、容量較小的4GB合約價(jià)1.62美元左右，表現(xiàn)持平，主要是供需雙方對(duì)價(jià)格談判，呈現(xiàn)拉鋸狀況。而另一方面，三星新一代HBM3E，據(jù)傳有望通過(guò)輝達(dá)（NVIDIA）認(rèn)證，輝達(dá)GB200將于2025年放量，其
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全球三大廠(chǎng)HBM沖擴(kuò)產(chǎn) 明年倍增
- AI應(yīng)用熱！SK海力士、三星及美光等全球前三大內(nèi)存廠(chǎng)，積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃，市場(chǎng)人士估計(jì)，2025年新增投片量約27.6萬(wàn)片，總產(chǎn)能拉高至54萬(wàn)片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零組件，根據(jù)外媒拆解，英偉達(dá)H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超過(guò)生產(chǎn)封裝。HBM經(jīng)歷多次迭代發(fā)展，進(jìn)入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相繼采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場(chǎng)，而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿(mǎn)載。美光2
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美光發(fā)布2024年可持續(xù)發(fā)展報(bào)告，聚焦進(jìn)展與長(zhǎng)期愿景
- 全球內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日發(fā)布了2024 年可持續(xù)發(fā)展報(bào)告，詳細(xì)介紹了美光在可持續(xù)發(fā)展方面的進(jìn)展，彰顯了其屢獲殊榮的可持續(xù)發(fā)展成果，并進(jìn)一步強(qiáng)化了對(duì)可持續(xù)發(fā)展和前沿技術(shù)的承諾。美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 表示：“美光正在助推技術(shù)進(jìn)步，這將在未來(lái)幾年創(chuàng)造新的重大機(jī)遇。2024 年可持續(xù)發(fā)展報(bào)告彰顯了我們當(dāng)前的承諾和未來(lái)的雄心，即通過(guò)技術(shù)惠及我們的社區(qū)和地球。通過(guò)不懈努力，我們已經(jīng)取得了穩(wěn)步進(jìn)展，我期待公
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什么是GDDR7內(nèi)存——有關(guān)即將推出的圖形VRAM技術(shù)
- 什么是 GDDR7 內(nèi)存？它是用于 GPU 的下一代圖形內(nèi)存，例如即將推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它將在未來(lái)幾年內(nèi)用于各種產(chǎn)品，為現(xiàn)有的 GDDR6 和 GDDR6X 解決方案提供代際升級(jí)，從而提高游戲和其他類(lèi)型的工作負(fù)載的性能。但這個(gè)名字下面還有很多事情要做。自從第二代GDDR內(nèi)存（用于“圖形雙倍數(shù)據(jù)速率”）推出以來(lái)，這種模式就非常清晰。GDDR（前身為 DDR SGRAM）早在 1998 年就問(wèn)世了，每隔幾年就會(huì)有新的迭代到來(lái)，擁有更高的速度和帶寬。當(dāng)前一代
- 關(guān)鍵字： GDDR7 內(nèi)存 圖形VRAM 美光 三星
美光愛(ài)達(dá)荷與紐約晶圓廠(chǎng)預(yù)計(jì)分別于2027、2028年投產(chǎn)
- 日前，美光（Micron）舉行2024年Q3財(cái)報(bào)電話(huà)會(huì)議。美光總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在報(bào)告中提到，其位于愛(ài)達(dá)荷州博伊西的晶圓廠(chǎng)預(yù)計(jì)將于2027財(cái)年投入運(yùn)營(yíng)，而紐約州的克萊晶圓廠(chǎng)則預(yù)計(jì)將在2028財(cái)年或之后開(kāi)始生產(chǎn)。2022年，美光曾宣布擬于未來(lái)20年投資1000億美元，在紐約州克萊建設(shè)大型晶圓廠(chǎng)項(xiàng)目。其中包含2座晶圓廠(chǎng)的首階段項(xiàng)目將耗資200億美元，定于2029年投運(yùn)。此外，美光還計(jì)劃未來(lái)在紐約州克萊再建設(shè)兩座晶圓廠(chǎng)，目標(biāo)2041年投運(yùn)。同年，美光還宣布計(jì)劃在10年內(nèi)投資150億美
- 關(guān)鍵字： 美光 晶圓廠(chǎng) 存儲(chǔ)芯片
傳ASMPT與美光聯(lián)合開(kāi)發(fā)下一代HBM4鍵合設(shè)備
- 據(jù)韓媒報(bào)道，韓國(guó)后端設(shè)備制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高帶寬內(nèi)存 (HBM) 生產(chǎn)的演示熱壓 (TC) 鍵合機(jī)。雙方已開(kāi)始聯(lián)合開(kāi)發(fā)下一代鍵合機(jī)，用于HBM4生產(chǎn)。根據(jù)報(bào)道，美光還從日本新川半導(dǎo)體和韓美半導(dǎo)體采購(gòu)TC鍵合機(jī)，用于生產(chǎn)HBM3E，于今年4月向韓美半導(dǎo)體提供了價(jià)值226億韓元的TC Bonder采購(gòu)訂單。據(jù)透露，美光正在使用熱壓非導(dǎo)電薄膜 (TC-NCF) 工藝制造 HBM3E，該種工藝很可能會(huì)在下一代產(chǎn)品 HBM4 中采用。HBM4 16H產(chǎn)品正在考慮使用混合鍵合。此外，目前美光最大的
- 關(guān)鍵字： ASMPT 美光 HBM4
美光預(yù)計(jì)愛(ài)達(dá)荷州、紐約州新晶圓廠(chǎng)分別于 2027、2028 財(cái)年投運(yùn)
- IT之家 6 月 28 日消息，美光在業(yè)績(jī)演示文稿中表示，其位于美國(guó)愛(ài)達(dá)荷州博伊西總部和紐約州克萊的新 DRAM 內(nèi)存晶圓廠(chǎng)將分別于 2027、2028 財(cái)年正式投運(yùn)：譯文：愛(ài)達(dá)荷州晶圓廠(chǎng)要到 2027 財(cái)年才會(huì)帶來(lái)有意義的位元供應(yīng)，而紐約（州）的建設(shè)資本支出預(yù)計(jì)要到 2028 財(cái)年或更晚才會(huì)帶來(lái)位元供應(yīng)的增長(zhǎng)。原文：This Idaho fab will not contribute to meaningful bit supply until fiscal 2027 and the New
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