三星(samsung) 文章 最新資訊
可用面積達12吋晶圓3.7倍，臺積電發(fā)力面板級先進封裝技術(shù)
- 6月21日消息，據(jù)日媒報道，在CoWoS訂單滿載、積極擴產(chǎn)之際，臺積電也準(zhǔn)備要切入產(chǎn)出量比現(xiàn)有先進封裝技術(shù)高數(shù)倍的面板級扇出型封裝技術(shù)。而在此之前，英特爾、三星等都已經(jīng)在積極的布局面板級封裝技術(shù)以及玻璃基板技術(shù)。報道稱，為應(yīng)對未來AI需求趨勢，臺積電正與設(shè)備和原料供應(yīng)商合作，準(zhǔn)備研發(fā)新的先進封裝技術(shù)，計劃是利用類似矩形面板的基板進行封裝，取代目前所采用的傳統(tǒng)圓形晶圓，從而能以在單片基板上放置更多芯片組。資料顯示，扇出面板級封裝（FOPLP）是基于重新布線層（RDL）工藝，將芯片重新分布在大面板上進行互連的
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曝三星3nm良率僅20%！但仍不放棄Exynos 2500
- 6月23日消息，據(jù)媒體報道，Exynos 2500的良品率目前僅為20%，遠低于量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，但三星仍在積極尋求解決方案，以期在今年10月前將良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工藝的智能手機SoC，該工藝相較于前代4nm FinFET工藝，在能效和密度上預(yù)計有20%至30%的提升。然而，低良品率的問題可能導(dǎo)致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平臺，這將增加成本并可能影響產(chǎn)品定價。三星對Exynos 2500寄予厚望，該芯片在性能測試中顯示出超越高通第三代驍龍8的潛力
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英偉達、臺積、三星互搶 半導(dǎo)體挖角戰(zhàn)
- 眼看人工智能（AI）市場需求快速擴大，全球半導(dǎo)體業(yè)爭奪人才的競爭日益白熱化。韓媒披露，根據(jù)LinkedIn截至6月18日的數(shù)據(jù)，AI芯片龍頭英偉達有515名員工是從三星電子挖角，而三星也還以顏色，不但從英偉達挖來278人，還從臺積電挖走195人。但目前挾著AI芯片霸主光環(huán)的英偉達，還是最大贏家。 韓國朝鮮日報20日根據(jù)專業(yè)社交網(wǎng)站領(lǐng)英（LinkedIn）截至今年6月18日為止資料統(tǒng)計，英偉達近日新進員工有89人是從臺積電跳槽，反觀臺積電僅12名新進人員是從英偉達跳槽。英偉達也有515名新進員工是從三星電子
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三星新旗艦手機將棄自家芯片
- 三星下一代旗艦手機Galaxy S25系列，可能完全采用高通處理器，原因是三星自家Exynos 2500處理其3納米制程良率低于預(yù)期，導(dǎo)致無法出貨，而臺積電為高通Snapdragon 8 Gen 4處理器獨家代工廠，可望跟著受惠。若上述消息成真，對韓國最大企業(yè)三星是一大打擊，也凸顯其晶圓代工技術(shù)看不到臺積電車尾燈。天風(fēng)證券分析師郭明錤日前在社群平臺X發(fā)文表示，高通可能成為Galaxy S25系列唯一的處理器供貨商，關(guān)鍵在于三星的Exynos 2500處理器其3納米晶圓代工良率低于預(yù)期，可能導(dǎo)致無法出貨。而
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臺積電漲價卻滿手訂單 韓媒低頭認(rèn)三星2大敗筆
- 臺積電3納米產(chǎn)能供不應(yīng)求，預(yù)期訂單滿至2026年，日前傳出臺積電3納米代工價調(diào)整上看5％以上，先進封裝明年年度報價也約有10％～20％的漲幅。韓媒撰文指出，臺積電漲價三星并未獲得轉(zhuǎn)單好處，主因大客戶優(yōu)先考慮的并非價格，而是高良率與先進制程的可靠生產(chǎn)力。 韓媒BusinessKorea以「臺積電漲價仍留住客戶的原因是什么？」為題撰文指出，輝達執(zhí)行長黃仁勛6月初在臺北國際計算機展期間，曾表示支持臺積電提高代工價格，并表示蘋果、高通等也將會接受臺積電漲價。由于臺積電3納米供應(yīng)嚴(yán)重短缺，產(chǎn)生繼續(xù)漲價的空間，報導(dǎo)續(xù)
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NAND市場，激戰(zhàn)打響
- 隨著人工智能（AI）相關(guān)半導(dǎo)體對高帶寬存儲（HBM）需求的推動，NAND 閃存市場也感受到了這一趨勢的影響。目前，NAND 閃存市場的競爭正在加劇，存儲巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力，以提升 NAND 產(chǎn)品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產(chǎn)第九代 V-NAND 閃存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢？眾所周知，平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類型之分，
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AI人才爭奪戰(zhàn)白熱化！ 三星出招應(yīng)對員工跳槽英偉達
- 隨著AI風(fēng)潮席卷全球，相關(guān)人才爭奪戰(zhàn)已經(jīng)逐漸白熱化，而身為AI霸主的英偉達更是許多工程師心中的夢幻企業(yè)。不過據(jù)韓媒報導(dǎo)，在英偉達大力吸引韓國在內(nèi)的全球工程師之際，人才流失嚴(yán)重的三星電子也不甘示弱從英偉達挖角，連臺積電、美光與英特爾等半導(dǎo)體廠商都成為挖角對象。 韓國《朝鮮日報》以招聘平臺領(lǐng)英的數(shù)據(jù)所做的分析結(jié)果顯示，在英偉達的員工當(dāng)中，有515人（以加入領(lǐng)英為基準(zhǔn)）來自三星電子，而三星則從英偉達挖走278人。面對龐大的人才流失，三星除了從英偉達挖角，還從臺積電、英特爾與美光下手。三星電子有195名員工來自于
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三星殺進英偉達后院？投資GPU撈過界
- 不當(dāng)AI芯片邊緣人？三星近日宣布重大決策，將投資圖形處理單元 （GPU）領(lǐng)域，外界聯(lián)想是否與GPU巨頭英偉達正面競爭。業(yè)界認(rèn)為，此投資案可望強化三星在GPU領(lǐng)域競爭力，美媒也直言，主要在于GPU研究，改善半導(dǎo)體制造流程，而不是推出新款GPU產(chǎn)品，游戲玩家別期待了。 韓媒Business Korea報導(dǎo)，三星投資GPU的細節(jié)并未對外揭露，但這次決策與以往專注于內(nèi)存、晶圓代工等服務(wù)有所不同，格外引人矚目。部分市場人士解讀，這項投資是三星的內(nèi)部策略，目的在于利用GPU來提升半導(dǎo)體制程創(chuàng)新，而不是要開發(fā)、制造GP
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4nm→2nm，三星或升級美國德州泰勒晶圓廠制程節(jié)點
- 根據(jù)韓國媒體Etnews的報導(dǎo)，晶圓代工大廠三星正在考慮將其設(shè)在美國德州泰勒市的晶圓廠制程技術(shù)，從原計劃的4納米改為2納米，以加強與臺積電美國廠和英特爾的競爭。消息人士稱，三星電子最快將于第三季做出最終決定。報導(dǎo)指出，三星的美國德州泰勒市晶圓廠投資于2021年，2022年開始興建，計劃于2024年底開始分階段運營。以三星電子DS部門前負(fù)責(zé)人Lee Bong-hyun之前的說法表示，到2024年底，我們將開始從這里出貨4納米節(jié)點制程的產(chǎn)品。不過，相較于三星泰勒市晶圓廠，英特爾計劃2024年在亞利桑那州和俄亥
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通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求，消息稱三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線開工率維持 80~90%
- IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱，這一情況同主要企業(yè)已實現(xiàn)生產(chǎn)正常化的 NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實現(xiàn) NAND 產(chǎn)線滿負(fù)荷運行。報道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規(guī) DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場仍呈現(xiàn)供大于求的局面，是下游傳統(tǒng)服務(wù)器、智能手機和 PC 產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇緩慢導(dǎo)致的
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有望改變 AI 半導(dǎo)體規(guī)則，消息稱三星電子年內(nèi)將推出 HBM 三維封裝技術(shù) SAINT-D
- IT之家 6 月 18 日消息，據(jù)韓媒《韓國經(jīng)濟日報》報道，三星電子將于年內(nèi)推出可將 HBM 內(nèi)存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術(shù)。報道同時指出，在今年發(fā)布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內(nèi)存中正式應(yīng)用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡寫）-D 技術(shù)。SAINT-D 是三星電子的一項 3DIC 先進封裝技術(shù)，旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內(nèi)存裸片。報道
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三星公布新工藝節(jié)點，2nm工藝SF2Z將于2027年大規(guī)模生產(chǎn)
- 據(jù)韓媒報道，當(dāng)?shù)貢r間6月12日，三星電子在美國硅谷舉辦“三星晶圓代工論壇2024（Samsung Foundry Forum,SFF）”，并公布了其晶圓代工技術(shù)戰(zhàn)略。活動中，三星公布了兩個新工藝節(jié)點，包括SF2Z和SF4U。其中，SF2Z是2nm工藝，采用背面電源輸送網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）技術(shù)，通過將電源軌置于晶圓背面，以消除與電源線和信號線有關(guān)的互聯(lián)瓶頸，計劃在2027年大規(guī)模生產(chǎn)。與第一代2nm技術(shù)相比，SF2Z不僅提高了PPA，還顯著降低了電壓降（IR drop），從而提高了高性能計算（HPC）的性能。
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三星Galaxy Watch FE進軍入門智能手表市場
- 三星樂觀看待智慧手表市場成長趨勢，今日宣布推出全新Galaxy Watch FE，集結(jié)耐用的藍寶石玻璃設(shè)計及亮眼外型、完善的運動追蹤與全方位健康監(jiān)測功能，以親民價格即享眾多優(yōu)異體驗。Galaxy Watch FE（藍牙版）共推出「曜石黑」、「玫瑰金」、「星夜銀」三款顏色，建議售價NT$5,990，自6月下旬起于全臺各大通路正式上市，消費者凡于7月16日前在全通路購買三星不限型號手機或平板，即可現(xiàn)折NT$1,000加購Galaxy Watch FE，五千有找輕松入手，開啟嶄新智慧生態(tài)圈體驗。三星電子行動通訊
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降低對臺積電的依賴！高通考慮臺積電三星雙代工模式
- 6月14日消息，高通公司首席執(zhí)行官Cristiano Amon近日在接受采訪時表示，公司正在認(rèn)真評估臺積電、三星雙源生產(chǎn)戰(zhàn)略。據(jù)悉，高通驍龍8 Gen4將在今年10月登場，這顆芯片完全交由臺積電代工，采用臺積電N3E節(jié)點，這是臺積電第二代3nm制程。因蘋果、聯(lián)發(fā)科等科技巨頭都采用臺積電3nm工藝，出于對臺積電產(chǎn)能有限的考慮，高通有意考慮雙代工廠策略。此前有消息稱驍龍8 Gen4原本計劃采用雙代工模式，但是三星3nm產(chǎn)能擴張計劃趨于保守，加上良品率并不穩(wěn)定，最終高通選擇延后執(zhí)行該計劃。不過高通并未放棄雙代工
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