- IT之家 5 月 27 日消息，據新華社報道，當地時間 5 月 26 日下午，在首爾舉行的第九次中日韓領導人會議期間，韓國三星集團會長李在镕表示將“堅持在華發展，致力于做中國人民喜愛的企業”。報道稱，李在镕介紹了三星集團在華投資合作情況，感謝中國政府為三星在華生產經營提供的大力支持，表示三星將堅持在華發展，致力于做中國人民喜愛的企業，繼續為韓中互利合作作出自己的貢獻。此前消息稱，三星正在提高中國大陸手機產量，將 JDM（共同開發設計制造）產品產量從 4400 萬臺提升至 67
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- 5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片尚未通過英偉達測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發熱和功耗問題而受到影響。不過據韓媒Business Korea 報道，三星電子發布聲明否認了相關報道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進行 HBM 芯片測試過程”，同時強調“他們正與其他商業伙伴持續合作，以確保產品質量和可靠性”。三星最近開始批量生產其第五代
HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產品。在目前已量產的
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- 5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片尚未通過英偉達測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發熱和功耗問題而受到影響。不過據韓媒Business Korea 報道，三星電子發布聲明否認了相關報道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進行 HBM 芯片測試過程”，同時強調“他們正與其他商業伙伴持續合作，以確保產品質量和可靠性”。三星最近開始批量生產其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產品。在目前已量產的
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- 繼HBM之后，三星電子2024年的首要任務就是在代工業務方面搶下GPU大廠英偉達(NVIDIA)的訂單。尤其是，隨著晶圓代工龍頭臺積電面臨地震等風險，三星電子迫切尋求機會，為英偉達打造第二代3納米制程的供應鏈。韓國媒體報導，根據市場人士20日的透露，三星電子的晶圓代工部門已經在內部制定「Nemo」計劃，也就是要贏得英偉達3納米制程的代工訂單，成為2024年的首要任務。市場人士透露，三星電子晶圓代工部門的各單位正在全力以赴，把對英偉達的相關接單工作列為優先。不過，現階段三星代工部門內并未成立專門的組織。事實
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- 全球半導體大廠韓國三星即將在今年上半年量產的第2代3nm制程，不過據韓媒指出，三星3nm制程目前良率僅有20%，相較于臺積電N3B制程良率接近55%，還不及臺積電良率的4成，使得三星在爭奪英偉達（NVIDIA）代工訂單受挫。外媒分析稱，三星恐怕要在先進制程上多加努力，才有可能與臺積電競爭，留住大客戶的訂單。據《芯智訊》引述韓媒的報導說，本月初EDA大廠新思科技曾宣布，三星采用最新3nm GAA制程的旗艦行動系統單芯片（SoC），基于新思科技的EDA工具已成功完成設計定案（tape out）。外界認為，該芯
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- 三星電子宣布任命Young Hyun Jun為新的設備解決方案部負責人。設備解決方案部是三星半導體業務的一部分，Jun在公司工作了24年后被選中領導這一部門。在董事會和股東批準后，Jun將正式被任命為三星的總裁兼首席執行官。三星采用雙CEO系統，一位CEO負責半導體業務，另一位負責設備體驗（手機、顯示器等）。根據三星的說法，Jun的主要目標是“在不確定的全球商業環境中加強其競爭力。”Jun接替了現任總裁Kyehyun Kyung的職位，后者現在取代Jun擔任未來業務部的負責人，該部門于2023年成立，旨在
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- IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領域商業化研究集中在兩種結構上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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- 2024年第一季度全球OLED面板市場出貨量排名出爐，最新數據顯示中國廠商在OLED面板市場的表現令人矚目，前五名中獨占四席。隨著技術進步和市場需求增加，預計未來中國將繼續成為全球OLED產業的重要參與者之一。根據群智咨詢的統計數據，全球智能手機面板市場在本季度出貨量約為5.4億片，同比增長約24.4%。三星依然以42.4%的市場份額保持全球OLED智能手機面板市場的領頭羊地位，掌握著全球手機近一半市場。三星OLED面板利潤也是行業最高，主打高端定位，除了三星Galaxy S24系列自家產品使用，還有iP
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- 存儲器大廠美光、SK海力士和三星2023年7月底、8月中旬、10月初向英偉達送樣八層垂直堆疊24GB HBM3E，美光和SK海力士HBM3E于2023年初通過英偉達驗證，并獲訂單，三星HBM3E卻未通過驗證。外媒報導，三星至今未通過英偉達驗證，是卡在臺積電。身為英偉達數據中心GPU制造和封裝廠，臺積電也是英偉達驗證重要參與者，傳聞采合作伙伴SK海力士HBM3E驗證標準，而三星制程與SK海力士有差異，SK海力士采MR-RUF，三星則是TC-NCF，對參數多少有影響。三星2024年第一季財報表示，八層垂直堆疊
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- 近兩年，DRAM市場已經開始從DDR4內存向DDR5內存過渡，此外在存儲器市場經歷低迷后，供應商普遍減少了DDR3內存的生產并降低了庫存水平。DDR3內存的市場需求量進一步減少，更多地被DDR4和DDR5內存所取代。據市場消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應DDR3內存，全力沖刺高帶寬內存（HBM）與主流DDR5規格內存。隨著三星和SK海力士停產DDR3內存，很可能帶動DDR3內存的價格上漲，預計漲幅最高可達20%。三星已經通知客戶將在本季度末停產DDR3；而SK海力士則在去年
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- 5月15日消息，據市場消息稱，三星、SK海力士將在下半年停止生產、供應DDR3內存，轉向利潤更豐厚的DDR5內存、HBM系列高帶寬內存。DDR3雖然在技術、性能上已經落伍，PC、服務器都不再使用，但因為非常成熟，功耗和價格都很低，在嵌入式領域依然大有可為，尤其是Wi-Fi路由器、網絡交換機等。但對于芯片廠商來說，DDR3利潤微薄，無利可圖，形同雞肋。而在AI的驅動下，HBM高帶寬內存需求飆升，產能遠遠無法滿足，2024年和2025年的大部分產能都已經被訂滿，HBM2E、HBM3、HBM3E等的價格預計明年
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- 三星電子計劃實現“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實現目標，且可能是關鍵。目前，三星已經推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據業內消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術，堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現超過1000 TB的存儲容量里程碑，為大數據、云計算等領域的發展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的研究
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- 三星電子計劃實現“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實現目標，且可能是關鍵。目前，三星已經推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據業內消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術，堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現超過1000
TB的存儲容量里程碑，為大數據、云計算等領域的發展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的
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- IT之家 5 月 14 日消息，據韓媒 Hankyung 報道，兩大存儲巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動時表示，整體 DRAM 生產線中已有兩成用于 HBM 內存的生產。相較于通用 DRAM，HBM 內存坐擁更高單價，不過由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對晶圓的消耗量是傳統內存的兩倍乃至三倍。內存企業唯有提升產線占比才能滿足不斷成長的 HBM 需求。正是在這種“產能占用”的背景下，三星電子代表預計，不僅 HBM 內存，通用 DRAM（如標準 DDR5）的價格年內也不會
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- 5月14日消息，近日，據外媒報道，三星電子已停止自動駕駛汽車研究，并且將研發人員轉移到機器人領域。負責三星中長期發展的三星先進技術研究院（SAIT），已經將自動駕駛排除在研究項目之外，將開發人員轉移到機器人領域，作為三星中長期發展的一部分。在2023年的公開活動中，三星電子曾透露，由SAIT研發的自動駕駛技術已接近"L4級"，并在2022年10月在韓國完成了長達200公里的測試，且開發了自動駕駛汽車的半導體、顯示器和傳感器等相關技術。然而，由于開發難度超出預期、高級別自動就愛是商業化困
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