- 影像傳感器是手機最重要零件之一，SONY是全球第一大影像傳感器制造商，三星System LSI部門也生產ISOCELL品牌影像傳感器，與SONY競爭居全球第二。三星自家Galaxy手機多用自家System LSI研發的圖像傳感器，但未來可能生變。韓國媒體ETNews報導，三星手機可能使用更多SONY圖像傳感器，SONY半導體解決方案公司也計劃將部分相機傳感器生產線從日本轉到韓國，就是為了擴大加強供貨三星圖像傳感器。SONY已與韓國后段代工合作伙伴商討封裝和測試工序，包括LB Semicon、NGion、A
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三星 傳感器 索尼
- IT之家 3 月 11 日消息，博主 Revegnus 近日否認了三星旗艦手機未來將使用聯發科旗艦處理器的傳聞，但稱三星曾考慮在 S 系列手機上使用天璣 9000 處理器，但因供應不足而放棄。該博主稱當年聯發科曾考慮向三星供應 1000 萬顆天璣 9000，而這一供應量遠低于三星 Galaxy S 系列所需的 3000-3500 萬顆，協議最終沒有達成。此外，該博主曾于 2 月發文稱，傳言聯發科向三星提供了特殊價格，三星的入門手機系列將擴大聯發科處理器的使用范圍。Revegnus 強調聯發科與三
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天璣9000 三星
- Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，三星 Galaxy S24 系列的部分設備已搭載美光低功耗 LPDDR5X 內存和 UFS 4.0 移動閃存存儲，為全球手機用戶帶來強大的人工智能（AI）體驗。Galaxy S24 系列由三星的生成式人工智能工具套件 Galaxy AI 提供支持，能夠實現無障礙通信并且最大限度地實現創作自由，從而進一步提升用戶體驗。隨著數據密集型和功耗密集型應用不斷推動智能手機的硬件性能達到極致，美光 LPDDR5X 內存和 UFS 4.0
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美光 三星 Galaxy S24 移動AI
- AI服務器浪潮席卷全球，帶動AI加速芯片需求。DRAM關鍵性產品HBM異軍突起，成為了半導體下行周期中逆勢增長的風景線。業界認為，HBM是加速未來AI技術發展的關鍵科技之一。近期，HBM市場動靜不斷。先是SK海力士、美光科技存儲兩大廠釋出2024年HBM產能售罄。與此同時，HBM技術再突破、大客戶發生變動、被劃進國家戰略技術之一...一時間全球目光再度聚焦于HBM。1HBM：三分天下HBM（全稱為High Bandwidth Memory），是高帶寬存儲器，是屬于圖形DDR內存的一種。從技術原理上講，HB
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三星 半導體存儲器 HBM
- 三星電子今日宣布，已開始向客戶提供其256GB[1]SD Express[2] microSD存儲卡樣品，該款存儲卡順序讀取速度最高可達800MB/s，此外，1TB[3] UHS-1 microSD存儲卡現已進入量產階段。隨著新一代microSD存儲卡產品的推出，三星將著力打造差異化存儲解決方案，更好滿足未來移動計算和端側人工智能應用的需求。"來自移動計算和端側人工智能應用的需求與日俱增，三星推出的這兩款全新micro
SD卡為應對這一問題提供了有效解決方案。"三星電子品牌存儲事業
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三星 microSD 移動計算 端側AI
- IT之家 2 月 28 日消息，據韓媒 Chosunbiz 報道，三星電子近日在背面供電網絡（BSPDN）芯片測試中獲得了好于預期的成果，有望提前導入未來制程節點。傳統芯片采用自下而上的制造方式，先制造晶體管再建立用于互連和供電的線路層。但隨著制程工藝的收縮，傳統供電模式的線路層越來越混亂，對設計與制造形成干擾。BSPDN 技術將芯片供電網絡轉移至晶圓背面，可簡化供電路徑，解決互連瓶頸，減少供電對信號的干擾，最終可降低平臺整體電壓與功耗。對于三星而言，還特別有助于移動端 SoC 的小型化。▲&n
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三星 BSPDN 芯片測試
- 三星電子今日宣布，公司成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產品。 &n
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三星 HBM3E DRAM 人工智能
- 據三星官網消息，2月26日，AI-RAN 聯盟在巴塞羅那 MWC2024 世界通信大會上正式成立，旨在通過與相關公司合作，將人工智能（AI）技術融入蜂窩移動網絡的發展，推動5G及即將到來的6G通信網絡進步，以改善移動網絡效率、降低功耗和改造現有基礎設施。據悉，該組織共有11個初始成員，其中包括：三星、ARM、愛立信、微軟、諾基亞、英偉達、軟銀等行業巨頭。聯盟將合作開發創新的新技術，以及將這些技術應用到商業產品中，為即將到來的 6G 時代做好準備。據了解，AI-RAN 聯盟將重點關注三大研究和創新領域：AI
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- 半導體已經與我們的生活融為一體，我們日常生活的許多方面，包括手機、筆記本電腦、汽車、電視等，都離不開半導體。而制造半導體所需的多任務流程被分為幾個基本工藝，這些工藝的第一步就是晶圓制造。晶圓可以說是半導體的基礎，因為半導體集成電路包含許多處理各種功能的電氣元件。而集成電路是通過在晶圓的基板上創建許多相同的電路來制造的。晶圓是從硅棒上切成薄片的圓盤，由硅或砷化鎵等元素制成。大多數晶圓是由從沙子中提取的硅制成。美國的硅谷始于半導體產業，最終成為全球軟件產業的中心。據報道，它的名字是半導體原材料“硅”和圣克拉拉
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- 據報道，三星已在硅谷成立了一個新的半導體研發組織，旨在開發下一代AGI芯片。三星不打算就此止步，因為他們決定抓住潛在的“黃金礦藏”與AGI半導體部門一擁而上，比其他公司更早
三星電子，特別是其鑄造部門，在擴大半導體能力方面正在迅速進展，公司宣布新的下一代工藝以及最終的客戶。然而，在人工智能時代，與像臺積電這樣的競爭對手相比，三星在AI方面沒有取得顯著進展，因為該公司未能引起像NVIDIA這樣的公司對半導體的關注，但看起來這家韓國巨頭計劃走在前面，隨著世界轉向AGI主導的技術領域。相關故事報告顯示去年銷售
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- IT之家 2 月 20 日消息，三星半導體業務雖然面臨著持續的挑戰，但該公司仍對今年下半年的市場前景持樂觀態度。為了提高效率并更好地響應市場需求，三星正在對其芯片工廠進行一些調整。具體而言，三星正在調整位于韓國平澤的 P4 工廠的建設進度，以便優先建造 PH2 無塵室。此前，三星曾宣布暫停建設 P5 工廠的新生產線。三星正在根據市場動態調整其建設計劃。平澤是三星主要的半導體制造中心之一，是三星代工業務的集中地，也是該公司生產存儲芯片的地方。目前，P1、P2 和 P3 工廠已經投入運營，P4 和
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- 最新報道，三星的3nm GAA生產工藝存在問題，原計劃搭載于Galaxy S25/S25+手機的Exynos 2500芯片在生產過程中被發現存在嚴重缺陷，導致良品率直接跌至0%。報道詳細指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產質量問題，未能通過三星內部的質量檢測。這不僅影響了Galaxy S25系列手機的生產計劃，還導致原定于后續推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無法如期進入量產階段。值得關注的是，Exynos 2500原計劃沿用上一代的10核CPU架構，升級之處在于將采用全新的
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三星 Exynos 芯片 3nm GAA
- ?2 月 6 日消息，和 iPhone 15 Pro Max 一樣，三星 Galaxy S24 Ultra 也采用了鈦合金框架，以提升手機的耐用性和輕量化程度。然而，兩款手機的鈦合金含量和品質卻并不相同。知名 Youtube 科技頻道 JerryRigEverything 通過火燒測試，揭示了其中的奧秘。此前，JerryRigEverything 已經對 iPhone 15 Pro Max 進行了同樣的測試，發現其鈦合金框架在高溫灼燒下依然完好無損。這并不令人意外，因為測試所用的熔爐溫度不足以熔
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三星 Galaxy S24 Ultra 鈦合金 Phone 15 Pro Max
- 2 月 5 日消息，據報道，三星將在即將到來的 2024 年 IEEE 國際固態電路峰會上推出多款尖端內存產品。除了之前公布的 GDDR7 內存（將在高密度內存和接口會議上亮相），這家韓國科技巨頭還將發布一款超高速 DDR5 內存芯片。這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 納米 (nm) 級工藝技術開發，在相同封裝尺寸下提供兩倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。雖然三星沒有提供太多關于將在峰會上發布的 DDR5 芯片的信息，但我們知道，這款 DDR5 的 I / O 速度高達每個引
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- 2月5日消息，據媒體報道，三星計劃明年在韓國開始2nm工藝的制造，并且在2047年之前，三星將在韓國投資500萬億韓元，建立一個巨型半導體工廠，將進行2nm制造。據悉，2nm工藝被視為下一代半導體制程的關鍵性突破，它能夠為芯片提供更高的性能和更低的功耗。作為三星最大的競爭對手，臺積電在去年研討會上就披露了2nm芯片的早期細節，臺積電的2nm芯片將采用N2平臺，引入GAAFET納米片晶體管架構和背部供電技術。臺積電推出的采用納米片晶體管架構的2nm制程技術，在相同功耗下較3nm工藝速度快10%至15%，在相
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三星介紹
韓國三星電子成立于1969年，正式進入中國市場則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有logo限公司在中國惠州投資建廠。此后的10年，三星電子不斷加大在中國的投資與合作，已經成為對中國投資最大的韓資企業之一。2003年三星電子在中國的銷售額突破100億美元，躍入中國一流企業的水平。2003年，三星品牌價值108.5億美元，世界排名25位，被商務周刊評選為世界上發展最快的高科技品牌。
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