近日，上海市政府印發《上海市支持先進制造業轉型升級三年行動計劃（2026-2028 年）》，其中多次重點提及集成電路（IC）產業。根據該規劃，到 2028 年，上海力爭新增年總產值超 10 億元的制造業企業 100 家，累計總量突破 600 家；產業鏈新增規模以上工業企業 500 家，同時規模以上制造業企業研發經費占營業收入比重顯著提高。展望未來，上海將強化主導產業的戰略引領作用。該市將支持集成電路企業聚焦半導體設備、先進工藝、光刻膠材料及 3D 封裝等領域，力爭實現全產業鏈突破，培育一批具有全球競爭力的
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上海 集成電路 關鍵設備 光刻膠
最新消息表明日本似乎從本月中旬起全面停止向中國出口光刻膠，報道指出此次措施的執行范圍已具體涉及佳能、尼康、三菱化學等知名企業。盡管日本政府與企業并未正式官宣，但該消息已在業界流傳，《亞洲時報》稱此次中斷是“中國擔憂的最壞情況”。光刻膠是一種對光反應后化學性質發生變化的「感光物質」，特別具有將光線聚集到一處的特性，因此在半導體工藝的初期階段光刻工藝中被廣泛用作核心材料。涂覆在晶圓上后，能將射向晶圓的光線集中到一點，從而幫助繪制精細的電路圖案。公開資料顯示，目前全球市場70%的份額由日本企業占據，如日本合成橡
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隨著中國加倍強調技術獨立，華為及其合作伙伴生態系統在這一努力中發揮了關鍵作用。據日經報道，2019年美國制裁華為后，成立了包括全資子公司哈勃在內的投資部門，支持60多家半導體公司。這些與華為有關聯的芯片公司正加快收購和擴產，努力構建自給自足的國內供應鏈。報告指出，雖然華為未直接參與其支持企業的投資，但這些舉措正在加強其供應鏈，符合中國國家戰略。以下是華為相關公司的一些重要舉措。華為支持的HHCK著手整合中國包裝材料市場據日經報道，華為持有2%股份的江蘇HHCK先進材料，一家芯片封裝材料制造商，已完成以16
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在芯片制造過程中，光刻承擔著將集成電路圖案轉印至晶圓表面的任務，其中通過光刻膠溶解在顯影液中形成納米尺度的電路圖形。然而，光刻領域長期存在一個難以窺探的“黑匣子”：即光刻膠在顯影液中的微觀行為，該行為直接影響光刻圖案的精確度與缺陷率。人們對光刻膠聚合物的溶解機制、擴散行為、相互作用及其缺陷形成機理等基本問題仍知之甚少。這也導致工業界的工藝優化長期依賴于反復“試錯”，成為制約7nm及以下先進制程良率提升的關鍵瓶頸之一。近日，北京大學化學與分子工程學院彭海琳教授、高毅勤教授、鄭黎明博士與清華大學王宏偉教授、香
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據韓媒報道，稱三星電子在生產 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達到此前用量的一半。報道稱，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過精確控制涂布機的轉速（rpm）以及優化PR涂層后的蝕刻工藝，現在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個層，從而提高工藝效率，但同時也有均勻性問題。東進半導體一直是三星KrF光刻膠的獨家供應商，為三星第7代（11微米）和第
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據中國光谷官微消息，近日，武漢太紫微光電科技有限公司（以下簡稱“太紫微公司”）推出的T150 A光刻膠產品，已通過半導體工藝量產驗證，實現配方全自主設計，有望開創國內半導體光刻制造新局面。據悉，該產品對標國際頭部企業主流KrF光刻膠系列。相較于被業內稱之為“妖膠”的國外同系列產品UV1610，T150 A在光刻工藝中表現出的極限分辨率達到120nm，且工藝寬容度更大，穩定性更高，堅膜后烘留膜率優秀，其對后道刻蝕工藝表現更為友好，通過驗證發現T150 A中密集圖形經過刻蝕，下層介質的側壁垂直度表現優異。據了
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10 月 15 日消息，據武漢東湖新技術開發區管理委員會（中國光谷）今日消息，光谷企業在半導體專用光刻膠領域實現重大突破：武漢太紫微光電科技有限公司（以下簡稱“太紫微公司”）推出的 T150 A 光刻膠產品，已通過半導體工藝量產驗證，實現配方全自主設計，有望開創國內半導體光刻制造新局面。中國光谷官方介紹稱：“該產品對標國際頭部企業主流 KrF 光刻膠系列。相較于被業內稱之為‘妖膠’的國外同系列產品 UV1610，T150 A 在光刻工藝中表現出的極限分辨率達到 120nm，且工藝寬容度更大，穩定性更高，堅
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復旦大學報道功能性半導體光刻膠。
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4月25日，沈陽芯源微電子設備股份有限公司（以下簡稱“芯源微”）廣州子公司——廣州芯知科技有限公司半導體設備光刻膠泵及高純供液系統研發及產業化項目開工儀式在廣州舉行。據官網介紹，芯源微成立于2002年，是由中科院沈陽自動化研究所發起創建的國家高新技術企業，專業從事半導體生產設備的研發、生產、銷售與服務，致力于提供半導體裝備與工藝整體解決方案。芯源微所開發的涂膠機、顯影機、噴膠機、去膠機、濕法刻蝕機、單片清洗機等產品，已形成完整的技術體系和豐富的產品系列，產品適應不同工藝等級的客戶要求，廣泛應用于半導體生產
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近日，華中科技大學與湖北九峰山實驗室的研究團隊在光刻膠技術領域取得重大進展，成功突破“雙非離子型光酸協同增強響應的化學放大光刻膠”技術。在半導體制造環節，光刻膠是不可或缺的材料，其質量和性能是影響集成電路電性、成品率及可靠性的關鍵因素。但光刻膠技術門檻高，市場上制程穩定性高、工藝寬容度大、普適性強的光刻膠產品屈指可數。當半導體制造節點進入到100nm甚至是10nm以下，如何產生分辨率高且截面形貌優良、線邊緣粗糙度低的光刻圖形，成為光刻制造的共性難題。為此，華中科技大學與九峰山實驗室聯合研究團隊通過巧妙的化
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4月2日消息，據湖北九峰山實驗室官微消息，九峰山實驗室、華中科技大學組成聯合研究團隊，支持華中科技大學團隊突破“雙非離子型光酸協同增強響應的化學放大光刻膠”技術。據介紹，該研究通過巧妙的化學結構設計，以兩種光敏單元構建“雙非離子型光酸協同增強響應的化學放大光刻膠”，最終得到光刻圖像形貌與線邊緣粗糙度優良、space圖案寬度值正態分布標準差（SD）極小（約為0.05）、性能優于大多數商用光刻膠。且光刻顯影各步驟所需時間完全符合半導體量產制造中對吞吐量和生產效率的需求。作為半導體制造不可或缺的材料，光刻膠質量
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日本芯片材料廠商Resonac的首席執行官Hidehito Takahashi正在為日本分散的芯片材料行業的另一輪整合做準備，并表示公司可能會出手收購JSR的關鍵股份。source：ResonacHidehito
Takahashi表示，JIC（日本投資公司）斥60億美元收購全球最大光刻膠制造商JSR，這將促進日本供應鏈急需的變革。他說，Resonac是由Showa
Denko （昭和電工）和Hitachi Chemical （日立化成）合并而成的化學品集團，正在考慮如何在JSR的未來中發揮積極作
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JSR捷時雅株式會社自1979年4月開始銷售光刻膠，至今向半導體行業供應光刻材料、CMP材料和封裝材料等已有四十余載。日本JSR、東京日化、信越化工幾近掌握著全球EUV光刻膠的市場份額。此次JSR如若成功被收購，或將對全球光刻膠市場帶來重要影響。看重JSR這塊香餑餑，JIC準備收購6月24日，日經新聞報道，日本政府支持的日本投資公司（JIC）正商談以1萬億日元收購JSR。日本投資公司計劃最早今年提出初步收購意向。如果進展順利，JSR可能會在2024年被東京證交所摘牌。官方資料顯示，JSR成立于1957年，
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據報道，三星首次引入韓國本土公司東進世美肯（Dongjin Semichem）研發的EUV光刻膠（EUV PR）進入其量產線，這也是三星進行光刻膠本土量產的首次嘗試。在2019年經歷與日本的光刻膠等關鍵原料的供應風波之后，三星就在嘗試將關鍵原料的供應本土化，經過三年的努力，韓國實現了光刻膠本地化生產。在日本限制出口、三星嘗試重構EUV光刻膠的供應鏈之后，東進世美肯就已開始研發EUV光刻膠，并在去年通過了三星的可靠性測試，隨后不到一年就被應用于三星的大規模生產線。不過，EUV光刻膠可用于3-50道程序，目前
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12 月 4 日消息，據 ETNews 消息，三星電子首次引入東進世美肯半導體的光刻膠進入其量產線，這也是三星進行光刻膠本土量產的首次嘗試。不過考慮到三星與海外光刻膠供應商的關系，目前具體產量尚不清楚，且三星是否會額外引進其他品種的光刻膠也并沒有得到回應。報道稱，三星電子已將韓國公司開發的用于高科技工藝的極紫外光刻膠（PR）引入其大規模生產線。2019 年 7 月，日本方面宣布限制向韓國出口包括含氟聚酰亞胺、光刻膠以及高純度氟化氫在內的三項重要半導體及 OLED 面板原材料，經過三年的努力，韓國實現了光刻
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光刻膠介紹
光刻膠-正文 又稱光致抗蝕劑，由感光樹脂、增感劑（見光譜增感染料）和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。感光樹脂經光照后，在曝光區能很快地發生光固化反應，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發生明顯變化。經適當的溶劑處理，溶去可溶性部分，得到所需圖像（見圖）。光刻膠廣泛用于印刷電路和集成電路的制造以及印刷制版等過程。光刻膠的技術復雜，品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理， [
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