- 當地時間12月17日，模擬芯片大廠德州儀器（TI）宣布，其位于美國得州謝爾曼（Sherman）的首座300nm新晶圓廠SM1已正式量產。德州儀器指出，謝爾曼的首座晶圓廠SM1已開始向客戶交付芯片，并準備將產量提升至每日數千萬顆芯片。而第二座晶圓廠SM2 廠也已在建設中。據介紹，這兩座晶圓廠均為德州儀器今年早前宣布的600億美元美國半導體制造投資計劃的一部分。德州儀器計劃在謝爾曼投資400億美元建設四座晶圓廠，除了SM1、SM2 外，另外兩座晶圓廠SM3 及SM4 將于未來興建。德州儀器總裁兼首席執行官Ha
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德州儀器 謝爾曼 12英寸 晶圓廠 量產
- 德州儀器低成本的 C2000 MCU 能為吸塵器和空調等設備帶來更平穩的運行狀態、更高的轉速以及更強的啟動扭矩前沿動態德州儀器 (TI) 于近日推出了一款高性價比 C2000? 系列實時微控制器 (MCU)，助力工程師以更低成本設計出行業性能領先的產品。新推出的 F28E120SC 和 F28E120SB MCU 與之前在單電機和功率因數校正系統中使用的 C2000 MCU 相比，計算能力提高了 30%，有助于改變洗衣機、洗碗機、吸塵器等家用電器和電動工具的性能。該系列新型 MCU 搭載 TI 專有的 I
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- TI DLP? 技術造就高級封裝領域的無掩模數字光刻系統前沿動態德州儀器 (TI) 近日推出新型工業數字微鏡器件 (DMD) DLP991UUV ，助力新一代數字光刻技術發展。作為 TI 迄今最高分辨率的直接成像解決方案，該器件具備 890 萬像素、亞微米級分辨率能力及每秒 110 千兆像素的數據傳輸速率，在滿足日益復雜的封裝工藝對可擴展性、成本效益和精度要求的同時，消除對昂貴掩模技術的依賴。關鍵所在無掩模數字光刻機正廣泛應用于高級封裝制造領域，這類光刻機無需光掩?；蚋叨四０澹纯芍苯釉诓牧仙贤渡涔饩€進行
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德州儀器 DLP 高級封裝 高精度數字光刻
- 德州儀器的新設計資源和電源管理芯片幫助數據中心設計人員實施高效安全的電源管理綜合方法。德州儀器 (TI) 近日推出新的設計資源和電源管理芯片，助力各公司滿足日益增長的人工智能 (AI) 計算需求，并實現電源管理架構從 12V
到 48V 再到 800VDC的擴展。新的解決方案已于 10 月 13 日至 16 日在加利福尼亞州圣何塞舉行的開放計算峰會 (OCP)
上展出，這些新的解決方案及資料包括：白皮書：“為下一波 AI 計算增長做準備時的電力輸送權衡”：由于 IT 機架功率預計將在未來兩到三年內
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德州儀器 電源管理 AI 基礎設施
- 名為SM1的TI新建的舍曼半導體“晶圓廠”投資額高達400億美元。它計劃最終生產“每天數千萬顆芯片，這些芯片幾乎應用于所有電子設備”——從智能手機、汽車系統、救命醫療設備到工業機器人、智能家居電器和數據中心。在達拉斯德州儀器公司啟動一項價值400億美元計劃投資的項目三年后，現已在舍曼市（距離達拉斯北部50英里）開始生產其最新的300毫米半導體制造工廠。TI領導人以及州和地方民選官員周三參加了剪彩儀式，以紀念這座最先進的300毫米半導體“晶圓廠”的開幕。與會者包括州長格雷格·阿博特、德克薩斯州參議員布倫特·
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- 為什么電容的選擇至關重要？電容往往被人們所忽視。電容既沒有數十億計的晶體管，也沒有采用最新的亞微米制造工藝。在許多工程師的心目中，電容不過是兩個導體加上中間的隔離電解質?？偠灾?，它們屬于最低級的電子元件之一。工程師們通常通過添加一些電容的辦法來解決噪聲問題。這是因為他們普遍將電容視為解決噪聲相關問題的“靈丹妙藥”，很少考慮電容和額定電壓以外的參數。但是，和其他電子元器件一樣，電容也有缺陷，例如寄生電阻、電感、電容溫漂和電壓偏移等非理想特性。為許多旁路應用或電容實際容值非常重要的應用選擇電容時，必須考慮上
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- 圖 1. 色彩鮮活奪目，色準無與倫比得益于尖端技術的進步，彩虹效應已幾乎不復存在?，F代單芯片 DLP? 投影儀擁有時尚的全新設計、高刷新率，以及 LED 和 RGB 激光等新型照明技術。這些升級帶來了清晰流暢的視覺效果和穩定的色彩表現，讓彩虹偽影成為歷史。什么是彩虹效應?彩虹效應是部分老舊 DLP 投影儀中出現的短暫色閃現象，這在早期燈泡或較舊的激光熒光色輪系統中更為常見。這些機型的刷新率較低，會導致部分觀眾看到細微的色彩分離現象，在高對比度或快速移動的場景中尤為明顯。并非所有人都能察覺到彩虹效應，這因個
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TI DLP
- 圖一 Find My? Network 的基本架構Apple? 公司的 Find My? Network 是一個由數十億臺 Apple 設備組成的加密、匿名網絡，可用于查找任何整合了 Find My Network 功能的設備。CC2340R5器件可以嵌入到任意物品中，例如耳塞和錢包。如果這類物品丟失，但靠近 iOS、iPadOS、macOS、watchOS 和所有支持 Find My 的已認證第三方設備，那么物主可以使用“查找”App 輕松找到丟失的物品，如圖一 Find My Networ
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TI CC2340R5
- 在上期中，我們探討了死區時間內磁通自然衰減，可自動復位變壓器磁芯，防止飽和。本期，為大家帶來的是《選擇電機控制中的位置傳感器》，將討論電機控制中位置傳感器的選擇與應用，包括不同類型傳感器的特點、適用場景及技術考量。簡介既然趨勢是轉向“無傳感器”，電機中是否仍然需要使用位置傳感器？這個問題的完整答案相當復雜，但位置傳感器基本上將長期使用。在電動工具等應用中，采用無傳感器設計的方波驅動無刷直流電機或場定向控制 (FOC) 無刷交流電機均無需任何旋轉角度傳感器即可工作。但實際情況是，工業和類人機器人、自主移動機
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TI 電機控制 位置傳感器
- 太陽能系統的發展勢頭越來越強，光伏逆變器的性能是技術創新的核心。設計該項光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。其中一項創新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統。GaN 不僅能提高太陽能系統的性能，也能提升整個系統的效率，此外，在保證縮小系統尺寸的同時，還能降低熱損耗、易于安裝和降低成本。比較 GaN、SiC 和 IGBTGaN 憑借其每個裸片區更優的電阻（Rsp）、更低的輸入輸出電容（Ciss 和 Coss）以及零反向恢復電荷等特性，顯著提升了
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TOLL GaN 太陽能系統 GaN 德州儀器
- 太陽能系統的發展勢頭越來越強，光伏逆變器的性能是技術創新的核心。設計該項光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。其中一項創新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統。GaN 不僅能提高太陽能系統的性能，也能提升整個系統的效率，此外，在保證縮小系統尺寸的同時，還能降低熱損耗、易于安裝和降低成本。比較 GaN、SiC 和 IGBTGaN 憑借其每個裸片區更優的電阻（Rsp）、更低的輸入輸出電容（Ciss 和 Coss）以及零反向恢復電荷等特性，顯著提升了
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- 簡介在車輛電氣系統中，高壓到低壓的 DC/DC 轉換器是一種可逆的電子器件，它可以將車輛高壓電池（如 400V 或 800V）輸出的直流電轉換為較低的直流電壓 (12V)。這類轉換器可以是單向或雙向的。常見功率級別為 1kW 到 3kW，系統轉換器高壓側（初級側）通常需要使用額定電壓為 650V 到 1200V 的元件，12V 電源網（次級側）至少需要 60V。為實現更高的功率密度和更緊湊的動力總成系統，功率元件的開關頻率被提升至數百千赫茲，從而有助于減小磁性元件的體積。高壓轉低壓 DC/DC 轉換器的小
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TI 高開關頻率 整流器設計 有源鉗位電路
- 精確測量電機電流對于實現人形機器人安全高效運行非常重要。這些測量結果由機器人關節中致動器的控制算法使用，用于實現精確的移動和動態性能。在需要精細電機控制和靈敏行為的復雜任務中，保持高精度至關重要。每個關節中的致動器通常是永磁同步電機 (PMSM)，根據電機移動所需的負載大小具有不同的電流要求。電流電平通常在 0.2A 至 83A 之間變化，大多數驅動器在 0.2A 至 31A 之間變化。人形機器人由電池供電，供電電壓通常為 48V，或者在 39V 至 54V 之間，具體取決于電池的電量狀態。典型電流要求可
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TI 人形機器人 電流檢測
- 引言推挽式轉換器已成為一種常用拓撲，用于構建 1W 至10W 范圍內的隔離式電源。此拓撲可與數字隔離器、隔離式放大器、隔離式模數轉換器、隔離式接口（例如隔離式控制器局域網和隔離式 RS-485）以及隔離式柵極驅動器進行配對。請參閱圖 1。 圖 1：推挽式轉換器推挽式轉換器的普及源于其操作簡單、電磁輻射低、峰值電流低、效率高、抗擾度高和系統成本低。只需使用以下幾種分立式元件即可設計具有推挽式拓撲的隔離式電源軌：兩個電源開關、一個中心抽頭變壓器和一些整流器二極管。這是一種前饋拓撲，不需要基于光耦合器
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TI 推挽式轉換器 變壓器飽和
- 簡介汽車制造商正積極推動車載高速以太網主干的發展，采用新興技術趨勢，例如以太網環形架構以實現冗余，以及時間敏感網絡 (TSN) 和音頻視頻橋接 (AVB)，進而可靠地傳輸時間敏感型數據。該行業正面臨對更高帶寬與更快速通信網絡的迫切需求，以便在整車范圍內傳輸安全關鍵型和時間敏感型數據。在下一代區域架構中，他們正研究以太網環形架構，以實現冗余設計。同時，他們也在嘗試將更多類型的數據（包括音頻）整合至以太網主干中，以減少線束。區域架構通過區域控制模塊 (ZCM)，將來自各類傳感器與電子控制單元 (ECU) 的數
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德州儀器(ti)介紹
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