晶圓 文章 最新資訊
全球半導(dǎo)體搶攻7納米 各大廠商表現(xiàn)大不同
- 在全球晶圓代工廠積極搶攻 7 納米先進(jìn)制程，都想在 7 納米制程領(lǐng)域搶下龍頭寶座的情況之下，三大陣營臺(tái)積電 (TSMC) 、三星、以及由 IBM 提供協(xié)助的格羅方德 (GlobalFoundries) 誰最后終將出線，結(jié)果將牽動(dòng)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的生態(tài)。 根據(jù)外媒表示： 2016 年晶圓代工的主流制程是 14 及 16 納米的 FinFET 制程，其主要業(yè)者包含了英特爾 (Intel) 、臺(tái)積電及三星 / 格羅方德三大陣營，而且戰(zhàn)場(chǎng)延伸到下一代 10 納米先進(jìn)制程，同樣的此三大陣營都宣布將在 201
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MIC：今年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值估衰退3.2%；臺(tái)逆勢(shì)增5.5%
- 資策會(huì)MIC于今(26)日表示，預(yù)估今(2016)年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)值為3291億美元，將較2015年衰退近3.2%，但今年臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值成長幅度將優(yōu)于全球，并預(yù)期下半年晶圓代工和封測(cè)展望看好。 資策會(huì)產(chǎn)業(yè)情報(bào)研究所今日舉辦“2016前瞻ICT產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)”記者會(huì)，MIC指出，受到終端PC產(chǎn)業(yè)大幅度衰退，和智慧型手機(jī)出貨僅個(gè)位數(shù)成長影響，預(yù)估今年全球半導(dǎo)體表現(xiàn)不佳，產(chǎn)值將較去年衰退近3.2%。不過，MIC也預(yù)估，今年臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將達(dá)2兆2410億元，年成長5.5%，
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創(chuàng)新之路 中芯國際是怎么打破“摩爾定律”的
- 近年來，在國內(nèi)許多生產(chǎn)代工企業(yè)普遍面臨出口下滑、訂單縮減的情形下，位于上海的中芯國際集成電路制造有限公司和上海中昊針織有限公司則屢創(chuàng)佳績，在外貿(mào)低谷中實(shí)現(xiàn)逆勢(shì)增長。 中芯國際成立于2000年，是中國內(nèi)地規(guī)模最大的集成電路晶圓制造企業(yè)。公司今年第一季度營收6.343億美元，同比增長達(dá)到24.4%，創(chuàng)下歷史新高，連續(xù)16個(gè)季度實(shí)現(xiàn)盈利;第一季度，其收入增幅超過行業(yè)平均增幅，整體產(chǎn)能利用率達(dá)到了98.8%。 集成電路代工是一個(gè)完全國際化的行業(yè)，服務(wù)的是全球性客戶，面臨的是全球性競(jìng)爭(zhēng)。要想在這一領(lǐng)
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MIC：今年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值估衰退3.2%；臺(tái)逆勢(shì)增5.5%
- 資策會(huì)MIC于今(26)日表示，預(yù)估今(2016)年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)值為3291億美元，將較2015年衰退近3.2%，但今年臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值成長幅度將優(yōu)于全球，并預(yù)期下半年晶圓代工和封測(cè)展望看好。 資策會(huì)產(chǎn)業(yè)情報(bào)研究所今日舉辦“2016前瞻ICT產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)”記者會(huì)，MIC指出，受到終端PC產(chǎn)業(yè)大幅度衰退，和智慧型手機(jī)出貨僅個(gè)位數(shù)成長影響，預(yù)估今年全球半導(dǎo)體表現(xiàn)不佳，產(chǎn)值將較去年衰退近3.2%。不過，MIC也預(yù)估，今年臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將達(dá)2兆2410億元，年成長5.5%，
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晶圓代工產(chǎn)能需求大增 28納米供不應(yīng)求
- 聯(lián)發(fā)科中高階晶片本月開始缺貨，啟動(dòng)追單，加上蘋果iPhone 7新機(jī)基頻訂單加持，晶圓代工產(chǎn)能需求大增，導(dǎo)致臺(tái)積電與聯(lián)電28奈米HPM(移動(dòng)高性能)制程產(chǎn)能供不應(yīng)求，一路滿到第3季底。 28奈米并非目前晶圓廠最先進(jìn)的制程，因制程相對(duì)成熟、良率穩(wěn)定，成為晶圓廠推升獲利的重要推手。據(jù)了解，臺(tái)積電、聯(lián)電28奈米產(chǎn)能利用率大增，訂單一路排到9月，帶動(dòng)毛利率跳高。 臺(tái)積電、聯(lián)電先前在法說會(huì)都表示，本季28奈米制程需求強(qiáng)勁，是挹注營運(yùn)的要角，聯(lián)電預(yù)估，本季毛利率可望大增近9個(gè)百分點(diǎn)、上看23%，增幅傲
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中芯國際上調(diào)全年資本支出至25億美元
- 隨著各季每月平均晶圓產(chǎn)能與出貨量不斷成長，以及對(duì)未來4年市場(chǎng)需求看好，大陸最主要晶圓代工業(yè)者中芯國際，于2016年第1季財(cái)報(bào)法說會(huì)中表示，將再次上調(diào)2016全年晶圓代工資本支出(CapEx)至25億美元。 該公司甫于2月中旬舉行2015年第4季財(cái)報(bào)法說會(huì)時(shí)表示，由于大陸半導(dǎo)體市場(chǎng)需求快速成長，因此計(jì)劃將2016年晶圓代工資本支出，由2015年的15.7億美元，提高為21億美元，調(diào)幅達(dá)33.7%。如今再次宣布調(diào)高至25億美元，較先前21億美元又提高19.0%。 中芯國際執(zhí)行長邱慈云表示，面對(duì)
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三星晶圓代工找聯(lián)發(fā)科搶單更接觸海思
- 三星電子為了不讓晶圓廠產(chǎn)線空轉(zhuǎn)，直接找上聯(lián)發(fā)科、海思半導(dǎo)體與Nvidia洽談晶片代工訂單。 南韓英文媒體Korea Times報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電(2330)吃下蘋果iPhone 7的全部A10處理器訂單，使三星電子面臨國內(nèi)晶圓廠產(chǎn)線稼動(dòng)率過低的危機(jī)。 為了救亡圖存，不讓產(chǎn)線空轉(zhuǎn)，三星電子被迫出狠招，不僅直接殺來臺(tái)灣，找上聯(lián)發(fā)科(2454)洽談下單，也接觸了聯(lián)發(fā)科重要對(duì)手、華為科技旗下的海思半導(dǎo)體，以及美國繪圖芯片大廠Nvidia，尋求晶片代工訂單。 一位三星高層主管也說：“三星
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中國大陸功率半導(dǎo)體專利大飛躍，日企如何競(jìng)爭(zhēng)？
- 功率半導(dǎo)體器件是日本的優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域，如今在這個(gè)領(lǐng)域，中國的實(shí)力正在快速壯大。日本要想在這個(gè)領(lǐng)域繼續(xù)保持強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力，重要的是大力研發(fā)SiC、GaN、組裝等關(guān)鍵技術(shù)，以確保日本的優(yōu)勢(shì)地位，并且向開發(fā)高端IGBT產(chǎn)品轉(zhuǎn)型，以避開MOSFET領(lǐng)域的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)。
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聯(lián)華電子Fab 12i廠取得ISO22301營運(yùn)持續(xù)管理系統(tǒng)證書
- 聯(lián)華電子于今(29)日宣佈，其位于新加坡的Fab12i廠已取得臺(tái)灣檢驗(yàn)科技股份公司(SGS, Societe Generale de Surveillance)頒發(fā)之ISO 22301營運(yùn)持續(xù)管理(BCM)系統(tǒng)證書，達(dá)成全公司12吋晶圓廠皆通過認(rèn)證之目標(biāo)。聯(lián)華電子于2013年即領(lǐng)先業(yè)界，成為全球首家獲該項(xiàng)認(rèn)證的晶圓專工公司，爾后更擴(kuò)大全公司營運(yùn)持續(xù)管理活動(dòng)，并于今年將認(rèn)證范疇從原先竹科總部及南科Fab 12A廠，擴(kuò)充到新加坡Fab
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聯(lián)電半導(dǎo)體庫存調(diào)整完畢 將回歸正常周期
- 晶圓代工大廠聯(lián)電首季因認(rèn)列地震損失，單季每股純益僅0.02元，不過，聯(lián)電執(zhí)行顏博文昨(27)日強(qiáng)調(diào)，第2季28奈米將明顯放量，帶動(dòng)第2季晶圓出貨季增約5%，平均銷售單價(jià)上揚(yáng)1~2%，毛利率也由上季的14.6%，跳升至21~23%。 聯(lián)電董事會(huì)也決定去年盈余每股配發(fā)0.55元現(xiàn)金股息，以昨天收盤價(jià)12.55元計(jì)算，現(xiàn)金殖利率4.4%。 法人預(yù)估，聯(lián)電本季28奈米訂單大增，主要受惠聯(lián)發(fā)科及高通增加對(duì)聯(lián)電釋出，帶動(dòng)聯(lián)電本季產(chǎn)能利用率將由上季的82%，本季達(dá)87%~89%。 此外，8寸同樣受
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晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細(xì) ]
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