- 碳化硅電力電子器件的發展現狀分析-SiC電力電子器件中，SiC二極管最先實現產業化。2001年德國Infineon公司率先推出SiC二極管產品，美國Cree和意法半導體等廠商也緊隨其后推出了SiC二極管產品。
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碳化硅
- MOSFET 安全工作區對實現穩固熱插拔應用的意義所在-即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調整容量時，任務關鍵的伺服器和通信設備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統中插入或移除電路板，從而避免了出現連接火花、背板供電干擾和電路板卡復位等問題。控制器 IC 驅動與插入電路板之電源相串聯的功率 MOSFET 開關 （圖 1）。電路板插入后，MOSFET 開關緩慢接通，這樣，流入的浪涌電流對負載電容充電時能夠保持在安全水平。
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mosfet linear
- 摘要 本文評測了主開關采用意法半導體新產品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結果證明，新SiC碳化硅開關管提升了開關性能標桿，讓系統具更高的能效，對市場上現有系統設計影響較大。 前言 市場對開關速度、功率、機械應力和熱應力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限。 寬帶隙半導體器件因電、熱、機械等各項性能表現俱佳而被業界看好，被認為是硅半導體器件的替代技術。在這些新材料中，兼容硅
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MOSFET SiC
- 什么是同步整流器？開關MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何？-同步整流是采用通態電阻極低的專用功率MOSFET，來取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區電壓。
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整流器 mosfet 二極管
- 用GaN重新考慮功率密度-電力電子世界在1959年取得突破，當時Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實驗室發明了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。首款商業MOSFET在五年后發布生產，從那時起，幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現了雙極性早期產品不可能實現的性能和密度級別。
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mosfet 氮化鎵 pfc
- 平面式高壓MOSFET的結構
圖1顯示了一種傳統平面式高壓MOSFET的簡單結構。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷，這會增加開關損耗和成本。另外還存在對于總硅片電阻能夠達到多低的限制。器件的總RDS(on)可表示為通道、epi和襯底三個分量之和：
RDS(on) = Rch + Repi + Rsub
圖1：傳統平面式MOSF
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MOSFET 超級結
- 今天，做一個產品或系統的電路保護方案，特別是智能電網等工業應用的端口保護設計，就像是組織一場足球比賽的防御戰：你需要有大牌的球(yuan)星(jian)，還需要有將他們捏合在一起的戰術，去抵御來自對手的每一次可能的“進攻”。這其中的門道兒不少，但也有套路可尋，今天我們就來看看世健(Excelpoint)作為工業電路保護界的“豪門”，是怎么玩兒的。 那些明星元件 先來細數一下世健帳下那些在智能電網上可堪重用的電路保護元件“球星”，它們大多來自Bourns公司，每顆料都很有“料”。比如： TBU高速
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智能電網 MOSFET
- 效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優勢。c科技股份公司開始批量生產EASY 1B——英飛凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年PCIM展會上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產品系列的其他模塊平臺和拓撲。如今，英飛凌能夠更好地發揮碳化硅技術的潛力。 英飛凌工業功率控制事業部總裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已達到轉折點，考慮到成本效益，它
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英飛凌 碳化硅
- SiC在電源轉換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優勢。當然，要進行大批量生產，逆變器除了靜態和動態性能之外，還必須具備適當的可靠性，以及足夠的閾值電壓和以應用為導向的短路耐受能力等。可與IGBT兼容的VGS=15V導通驅動電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
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電源轉換器 SiC MOSFET 逆變器 201707
- 效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優勢。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)開始批量生產EASY 1B——英飛凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年PCIM展會上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產品系列的其他模塊平臺和拓撲。如今，英飛凌能夠更好地發揮碳化硅技術的潛力。 英飛凌工業功率控
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英飛凌 碳化硅
- 三菱電機于6月27至29日在上海世博展覽館舉行的PCIM Asia 2017(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)展會中，以十款新型功率器件強勢登場，其中第7代IGBT模塊更首次作全電壓、全封裝及全系列展出(三菱電機展位號：E06)。 三菱電機以“創新功率器件構建可持續未來”為主題，今年展出的功率器件應用范圍跨越五大領域，包括：變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業應用和新能源發電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產品。 變頻家電市場 在變頻家電應用方面，三菱電機展出
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三菱電機 碳化硅
- 全球出現的能源短缺問題使各國政府都開始大力推行節能新政。電子產品的能耗標準越來越嚴格，對于電源設計工程師，如何設計更高效率、更高性能的電源是一個永恒的挑戰。本文從電源PCB的布局出發。
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電源模塊性能 PCB布局技術 MOSFET
- 功率因數校正（PFC）市場主要受與降低諧波失真有關的全球性規定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標準。EN61000-3-2規定了所有功耗超過75W的離線設備的諧波標準。由于北美沒有管理PFC的規定，能源節省和空間/成本的考慮成為在消費類產品、計算機和通信領域中必須使用PFC的
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碳化硅 肖特基二極管 電源 DCM PFC
- 實際上就是三極管比較便宜，用起來方便，常用在數字電路開關控制。MOS管用于高頻高速電路，大電流場合，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來說低成本場合，普通應用的先考慮用三極管，不行的話考慮MOS管
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三極管 MOSFET
- “MOSFET(場效應管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(場效應管)(Power MOSFET(場效應管))是指它能輸出較大的工作電流
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功率MOSFET MOSFET
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