最初為高壓器件開發的超級結MOSFET，電荷平衡現在正向低壓器件擴展。雖然這極大地降低了RDS(ON) 和結電容，但電荷平衡使后者非線性進一步加大。MOSFET有效儲存電荷和能量減少，而且顯著減少，但計算或比較不同MOSFET參數以獲得最佳性能變得更加復雜?！ OSFET三個相關電容不能作為VDS的函數直接測量，其中有的需要在這個過程中短接或懸空。數據手冊最終測量給出的三個值定義如下： CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD 三者中，輸入電容CG
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MOSFET 非線性電容
4月9日上午，國家集成電路產業投資基金總裁丁文武一行蒞臨基本半導體考察調研。 基本半導體董事長汪之涵博士向丁文武介紹了公司自主研發的碳化硅功率器件產品，包括性能達到國際一流水平的碳化硅JBS二極管和MOSFET三極管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圓片?！ ‰S后丁文武一行聽取了基本半導體總經理和巍巍博士對公司發展情況的匯報。丁文武對基本半導體的技術創新和戰略定位予以充分肯定，并鼓勵公司團隊再接再厲，立足創新驅動，不斷發展壯大，成為中國第三代半導體產業的領軍企業。 國家集成電路產業投資基金是為促進集
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基本半導體 碳化硅 功率芯片 集成電路
雖然碳化硅有成本方面的問題，但是其眾所周知的在各個高端應用中所表現出的高性能也能夠彌補其在價格方面的短板，尤其是在電動車與再生能源越來越受到重視，將為中功率、高功率應用領域帶來大量需求。氮化鎵技術能夠降低成本，又能夠保持半導體器件的優越性能，在中、低功率應用領域具備擁有巨大潛力。但也并不是說將來所有的功率器件都會被碳化硅替代，我們認為碳化硅和現存的IGBT或MOSFET都能在其有優勢的領域中共同發揮所長，共生共棲。
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瑞薩，碳化硅
3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、基本半導體和南方科技大學等單位發起共建的深圳第三代半導體研究院在五洲賓館宣布正式啟動。深圳第三代半導體研究院的成立具有里程碑意義，將對中國乃至全球第三代半導體產業發展產生深遠影響?！ 】萍疾吭辈块L、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟決策委員會主任、深圳第三代半導體研究院理事長曹健林，廣東省委常委、深圳市委書記王偉中，深圳市委副書記、市長陳如桂，科技部高新司原司長、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟決策委員會副主任、深圳第三代半
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青銅劍科技 半導體 碳化硅 功率器件
MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路?！ ≡谑褂肕OSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數。對一個確定的MOSFET，其驅動電路，驅動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的
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MOSFET 電源IC
全球電路保護領域的領先企業Littelfuse,?Inc.與從事碳化硅技術開發的德州公司Monolith?Semiconductor?Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC)?n通道增強型MOSFET，為其日益擴展的第一代電源半導體器件組合注入新鮮血液。?Littelfuse與Monolith在2015年結成戰略合作關系，旨在為工業和汽車市場開發電源半導體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯手打造的最新產品。?這些產品在應用電力電子
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Littelfuse MOSFET
EPC公司的管理及技術團隊將在中國深圳及上海于3月14至16日舉行的各大業界論壇及展會上，與工程師會面并作技術交流。屆時，EPC團隊將分享如何發揮氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)及集成電路的最高性能、創新設計，從而為工程師及其客戶，打造共創共贏新局面?！ irFuel無線充電大會暨開發者論壇 2018 (中國深圳 - 3月14至16日) 首屆AirFuel無線充電大會暨開發者論壇將于3月14至16日在深圳南山凱賓斯基酒店舉行。由AirFuel?
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宜普 MOSFET
當前具有更高整體效率的電子系統需要更高的功率密度，這為非隔離負載點穩壓器(niPOL)?帶來了大量變革。為了提高整體系統效率，設計人員選擇避免多級轉換，以獲得他們所需要的穩壓負載點電壓。這就意味著niPOL需要支持更高的工作輸入電壓，提供更高的轉換率。除此之外，niPOL還需要在保持最高效率的同時，繼續縮小電源解決方案的總體尺寸。而且隨著產品性能的提升，niPOL的功率需求會進一步提高?！ ‰娫葱袠I通過對niPOL進行多項技術升級來應對這一挑戰。過去幾年，行業已經看到器件封裝、半導體集成和M
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ZVS MOSFET
MOSFET缺貨潮來勢洶洶，看著突然實則必然，畢竟消費電子的更新迭代速度加快以及新能源汽車飛速發展已成必然之勢。
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MOSFET 芯片
隨著工藝水平的提高，MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor?Field-Effect?Transistor，即金屬-氧化物半導體場效應晶體管)閾值電壓的失配常數Avt越來越小，電流源之間的匹配程度越來越高，然而隨著DAC(Digital?to?Analog?Converter，即數模轉換器)分辨率的提高，?DAC對電流源誤差的要求越來越高[1]。其中閾值電壓失配不僅與Avt有關，由于閾值電壓的溫度系數存在，DAC工作
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DAC MOSFET
電動工具、 園藝工具和吸塵器等家電使用低電壓(2至10節)鋰離子電池供電的電機驅動。這些工具使用有刷直流(BDC)或三相無刷直流(BLDC)電機。BLDC電機效率更高、維護少、噪音小、使用壽命更長?！ ◎寗与姍C功率級的最重要的性能要求是尺寸小、效率高、散熱性能好、保護可靠、峰值電流承載能力強。小尺寸可實現工具內的功率級的靈活安裝、更好的電路板布局性能和低成本設計。高效率可提供最長的電池壽命并減少冷卻工作。可靠的操作和保護可延長使用壽命，有助于提高產品聲譽。 為在兩個方向上驅動BDC電機，您
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BLDC MOSFET
引言 在如今的汽車中，為了提高舒適度和行車體驗而設計了座椅加熱、空調、導航、信息娛樂、行車安全等系統，從這些系統很容易理解在車中為各種功能供電的電子系統的好處。現在我們很難想像僅僅 100 多年以前的景象，那時，在汽油動力汽車中，一個電子組件都沒有。在世紀交替時期的汽車開始有了手搖曲柄，前燈開始用乙炔氣照明，也可以用鈴聲向行人發出提示信息了。如今的汽車正處于徹底變成電子系統的交界點，最大限度減少了機械系統的采用，正在成為人們生活中最大、最昂貴的“數字化工具”。由于可用性和環保原因
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電源 MOSFET
MOSFET漲價何時能得到緩解?深圳市拓鋒半導體科技有限公司總經理陳金松表示可能要到2018年第四個季度，等國內的12寸晶圓量產之后，將8寸的產能騰出來，才有可能緩解。同時要看封測廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產能的釋放，如果封測廠商難以消化這么大的產能，漲價仍會持續，只是幅度不會像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴產，預計2018年6月可正式投產，擴產后的產能可多出一倍，每月達2億只左右。”陳金松說。
MOSFET作為應用廣泛的基礎類元器件
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MOSFET DFN
017年11月24日，德國慕尼黑訊—憑借600 V CoolMOSCFD7，英飛凌科技股份公司推出最新的高壓超結MOSFET技術。該600 V CoolMOS CFD7是CoolMOS 7系列的新成員。這款全新MOSFET滿足了高功率SMPS市場對諧振拓撲的需求。它的LLC和ZVS PSFB等軟開關拓撲具備業內領先的效率和可靠性。這使其非常適合服務器、電信設備電源和 電動汽車充電站等高功率SMPS應用。 &n
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英飛凌 MOSFET
MOSFET漲價何時能得到緩解?深圳市拓鋒半導體科技有限公司總經理陳金松表示可能要到2018年第四個季度，等國內的12寸晶圓量產之后，將8寸的產能騰出來，才有可能緩解。同時要看封測廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產能的釋放，如果封測廠商難以消化這么大的產能，漲價仍會持續，只是幅度不會像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴產，預計2018年6月可正式投產，擴產后的產能可多出一倍，每月達2億只左右。”陳金松說。
MOSFET作為應用廣泛的基礎類元器件
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MOSFET 晶圓
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