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碳化硅 mosfet 文章 最新資訊

基本半導體榮獲“2018年度深圳市人才伯樂獎”

  • 　　近日，從深圳市人力資源和社會保障局傳來喜訊，基本半導體憑借在人才引進方面的突出成果，獲評“2018年度深圳市人才伯樂獎”。　　深圳市人才伯樂獎是由深圳市政府設立，旨在鼓勵企事業單位、人才中介組織等引進和舉薦人才，以增強企業科技創新能力，提升城市核心競爭力。每年市政府通過評選伯樂獎對在本市人才培養、引進過程中作出貢獻的單位及個人給予表彰和獎勵。　　基本半導體是第三代半導體領域的高新技術企業，從創立之初就非常重視人才的引進和培養。作為一家由海歸博士創立的公司，基本半導體依托廣泛的海外資源，成功引進了來自英
  • 關鍵字： 基本半導體  碳化硅  第三代半導體  

半導體發展經歷三代變革 推動社會發展

  • 第三代半導體材料技術正在成為搶占下一代信息技術、節能減排及國防安全制高點的最佳途徑之一，是戰略性新興產業的重要組成內容。
  • 關鍵字： 半導體  氮化鎵  碳化硅  

高功率單片式 Silent Switcher 2 穩壓器 滿足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并適合狹小的安放空間

  • 　　隨著汽車中電子系統數量的成倍增加，車內產生電磁干擾的風險也大幅升高了。因此，新式車輛中的電子產品常常必須符合 CISPR 25 Class 5 EMI 測試標準，該標準對傳導型和輻射型 EMI 發射做了嚴格的限制。由于其本身的性質，開關電源充斥著 EMI，并在整個汽車中“彌漫擴散”。如今，低 EMI 與小的解決方案尺寸、高效率、散熱能力、堅固性和易用性一起，成為了對汽車電源的一項關鍵要求。Silent Switcher 2 穩壓器系列可滿足汽車制造商嚴格的 EMI 要求，同時擁有緊湊的尺寸以及集成化
  • 關鍵字： MOSFET，LT8650S   

Power Integrations發布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關電源IC

  • 　　深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領域的知名公司Power Integrations公司今日發集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關電源IC。新IC的功率更大，適合設計8W以內的高效率隔離及非隔離反激式電源應用，適用于高達480VAC輸入三相工業電源以及專供電網不穩定地區、時常遭受雷擊的熱帶地區或者經常發生高能振蕩波和浪涌的地區的高質量消費電子產品的電源設計。　　900V版LinkSwitch-XT2 IC產品系列可提供高效率，使電源設計輕松滿足能源相關產品(ErP
  • 關鍵字： Power Integrations  MOSFET  

Power Integrations發布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關電源IC

  • 　　深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領域的知名公司Power Integrations公司今日發集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關電源IC。新IC的功率更大，適合設計8W以內的高效率隔離及非隔離反激式電源應用，適用于高達480VAC輸入三相工業電源以及專供電網不穩定地區、時常遭受雷擊的熱帶地區或者經常發生高能振蕩波和浪涌的地區的高質量消費電子產品的電源設計。　　900V版LinkSwitch-XT2 IC產品系列可提供高效率，使電源設計輕松滿足能源相關產品(ErP
  • 關鍵字： Power Integrations  MOSFET  

Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

  • 　　Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產品的重要補充，也是Littelfuse公司已發布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強有力補充。最終用戶將受益于更加緊湊節能的系統以及潛在更低的總體擁有成本。　　碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000　　碳化硅MOSFET技術帶來的高效性可為諸多要求嚴格的應用提供多
  • 關鍵字： Littelfuse  MOSFET  

CISSOID和泰科天潤（GPT）達成戰略合作協議， 攜手推動碳化硅功率器件的廣泛應用

  • 　　高溫與長壽命半導體解決方案領先供應商CISSOID和中國碳化硅(SiC)功率器件產業化倡導者泰科天潤半導體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：雙方已達成戰略合作伙伴關系，將共同開展研發項目，推動碳化硅功率器件在工業各領域尤其是新能源汽車領域實現廣泛應用。　　CISSOID和泰科天潤簽署戰略合作協議　　泰科天潤是中國首家第三代半導體材料碳化硅器件制造與應用解決方案提供商，既是碳化硅芯片的龍頭企業，也是支撐高端制造業的新興力量。CISSOID公司來自比利時，是高溫半導體解決方案的領導者，專為極端溫
  • 關鍵字： CISSOID  碳化硅  

宜特FSM化學鍍服務本月上線，無縫接軌BGBM晶圓減薄工藝

  • 　　隨電源管理零組件MOSFET在汽車智能化崛起后供不應求，為填補供應鏈中此一環節的不足，在半導體驗證分析領域深耕多年的宜特科技，近期正式跨攻「MOSFET晶圓后端工藝整合服務」，其中晶圓減薄-背面研磨/背面金屬化(簡稱BGBM，Backside Grinding/ Backside Metallization)工藝，在本月已有數家客戶穩定投片進行量產，在線生產良率連續兩月高于99.5%。　　同時為了協助客戶一站式接軌BGBM工藝，在前端的正面金屬化工藝(簡稱FSM)上，除了提供濺射沉積(Sputteri
  • 關鍵字： 宜特  MOSFET  

MOSFET管并聯應用時電流分配不均問題探究

  • 1 引言
    MOSFET管的導通電阻具有正的溫度特性，可自動調節電流，因而易于并聯應用。但由于器件自身參數(柵極電路參數及漏源極電路參數不一致)原因，并聯應用功率MOSFET管會產生電流分配不均的問題，關于此問題，
  • 關鍵字： MOSFET  并聯  電流  分配  

應用角：汽車 - 電動汽車電池斷開系統

  • 　　在電動和混合動力汽車中，需要一種方法將高壓電池與車輛的其他部分斷開連接。專門設計的大電流繼電器(接觸器)歷來一直是執行此功能的首選方案。此繼電器的設計必須支持在負載下斷開連接，而不受損壞。這是通過使用帶有真空封裝觸點的繼電器來實現的。這些接觸器通常充滿惰性氣體，包圍觸點以消除空氣。通常，在高壓電池系統中，需要三個接觸器：一個用于兩個主要電池導體，另一個更小的版本用于預充電功能。傳統的電池斷開電路圖如圖1所示。　　電動汽車制造商長期以來一直希望有一種更小、更輕、更便宜的方案，以解決電池斷開問題。功率半導
  • 關鍵字： MOSFET，混合動力  

開關電源設計：何時使用BJT而非MOSFET？

  • MOSFET已經是是開關電源領域的絕對主力器件。但在一些實例中，與MOSFET相比，雙極性結式晶體管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
  • 關鍵字： 開關電源  BJT  MOSFET  

教你看懂MOSFET數據表

  • 在看到MOSFET數據表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數會十分的含糊不清、模棱
  • 關鍵字： MOSFET  數據  電感器  連續電流  

大功率電源MOSMOSFET問題的分析

  • 本文主要介紹三極管原理最通俗的表達理解，希望對您的學習有所幫助。對三極管放大作用的理解，切記一點：能量不會無緣無故的產生，所以，三極管一定不
  • 關鍵字： MOSFET  電源  

大功率電源MOS工作溫度確定之計算功率耗散

  • 在電子電路設計中，散熱設計是非常重要的一項指標。但在很多設計環境下，空間的狹小程度限制了散熱功能設計與發揮。在大功率電源MOSFET當中這種情況尤
  • 關鍵字： 大功率電  MOSFET  功率耗散  

功率MOSFET在集成驅動電路中的設計應用簡析

  • 功率MOSFET目前在一些大中型開關電源的驅動電路中得到了廣泛的應用，此前我們曾經為大家總結了幾種MOSFET在驅動電路中的常見應用方式，在今天的文章中
  • 關鍵字： MOSFET  驅動電路  電源  
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碳化硅 mosfet介紹

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