碳化硅 mosfet 文章 最新資訊
IGBT掃盲文,IGBT基礎與運用知識學習
- IGBT基礎與運用 IGBT, 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快 的特點(控制和響應),又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(功率級較為耐用),頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內。 理想等效電路與實際等效電路如圖所示: IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到,暫時不用考慮,重點考慮動態(tài)特性(開關特性)。 動態(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取
- 關鍵字: IGBT,MOSFET
意法半導體推出離線轉換器 提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性
- 意法半導體的VIPer11離線轉換器內置800V耐雪崩MOSFET,可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器,其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓,并提高諸多消費和工業(yè)電源的靈活性。 邏輯級原邊MOSFET讓VIPer11能夠在4.5V至30V的寬電源電壓范圍內工作,可用于設計高效的5V輸出開關電源。結合內部高壓啟動、誤差放大器和降低EMI干擾的抖動振蕩器等功能,這種優(yōu)勢可簡化設計,節(jié)省空間和物料清單成本。 VIPer11高壓轉換器可實現由整流的AC線或其它直流電源直接供電的反激
- 關鍵字: 意法半導體,MOSFET
工業(yè)設備輔助電源驅動用的SiC電源解決方案
- 前言 包括光伏逆變器、電氣驅動裝置、UPS及HVDC在內的功率轉換系統(tǒng),需要柵極驅動器、微控制器、顯示器、傳感器及風扇來使系統(tǒng)正常運行。這類產品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術優(yōu)勢且設計簡單、性價比高的電源解決方案。 小型輔助電源用SiC MOSFET 圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下,MOSFET的最高耐壓
- 關鍵字: SiC,MOSFET
碳化硅 mosfet介紹
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