富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業的技術服務，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域，富昌電子結合自身的技術積累和項目經驗，落筆于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進一步的交流。前兩篇文章我們分別探討了SiC MOSFET的驅動電壓，以及SiC器件驅動設計中的寄生導通問題。本文作為系列文章的第三篇，會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統Si MOS作比較，給出分析和計算過程，供設計工程師在選擇功率開關器件時
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富昌電子 MOSFET
高壓功率系統設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續創新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設計人員現在有機會在提高性能的同時，應對所有其他挑戰。 在過去20年間，額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來越高，如今的1700V SiC產品便是在其成功的基礎上打造而成。技術的進步推動終端設備取得了極大的發展；如今，隨著額定電壓為1700V的功率器件的推出，
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SiC MOSFET 功率轉換
現階段半導體市場，900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進口品牌壟斷，并存在價格高、交付周期長等問題，為填補國內該項系列產品的市場空白，瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術，利用特殊的耐壓環和晶胞設計，研發出電壓更高、導通內阻更低的超高壓系列MOS管，打破了進口品牌壟斷的局面 。一、破局進口品牌壟斷現階段半導體市場，900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進口品牌壟斷，并存在價格高、交付周期長等問題，為填補國內該項系列產品的市場空白，瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術，利用特殊的耐壓環和晶胞設
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RS瑞森半導體 MOSFET
目前影響著車輛運輸和半導體技術的未來有兩大因素。業界正在采用令人振奮的新方法，即以潔凈的能源驅動我們的汽車，同時重新設計支撐電動車（EV）子系統的半導體材料，大幅提升功效比，進而增加電動車的行駛里程。政府監管機構持續要求汽車OEM減少其車系的整體二氧化碳排放量，對于違規行為給予嚴厲的處罰，同時開始沿著道路和停車區域增設電動車充電基礎設施。但是，盡管取得了這些進展，主流消費者仍然對電動車的行駛里程存有疑慮，使電動車的推廣受到阻力。更復雜的是，大尺寸的電動車電池雖然可以增加其行駛里程，緩解消費者關于行駛里程的
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碳化硅 牽引逆變器 電動車 ADI
本文介紹最新的驅動器+ MOSFET（DrMOS）技術及其在穩壓器模塊（VRM）應用中的優勢。單芯片DrMOS組件使電源系統能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進而增強最終應用的整體性能。隨著技術的進步，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些組件需要的功率急劇增加。微處理器所需的此種電源由穩壓器模塊（VRM）提供。在該領域，推動穩壓器發展的主要有兩個參數。首先是穩壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿足系統的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個參數是功率轉換效率，高
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單芯片 驅動器 MOSFET DrMOS 電源系統設計
近日，安森美公布了2022年第三季度業績，其三季度業績直線上揚，總營收21.93億美元，同比增長25.86%；毛利10.58億美元，同比增長46.82%。財報數據顯示，其三大業務中，智能電源組營收為11.16億美元，同比增長25.1%；高級解決方案組營收7.34億美元，同比增長19.7%；智能感知組營收為3.42億美元，同比增長44.7%，三大業務全線保持增長。自安森美總裁兼首席執行官Hassane El-Khoury加入安森美后，安森美執行了一系列的戰略轉型，聚焦于智能電源和智能感知兩大領域，從傳統的I
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安森美 SiC MOSFET
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動的ASFET產品組合，推出10款全面優化的25V和30V器件。新款器件將業內領先的安全工作區(SOA)性能與超低的RDS(on)相結合，非常適合用于12V熱插拔應用，包括數據中心服務器和通信設備。 多年來，Nexperia致力于將成熟的MOSFET專業知識和廣泛的應用經驗結合起來，增強器件中關鍵MOSFET的性能，滿足特定應用的要求，以打造市場領先的ASFET。自ASFET推出以來，針對電池隔離(BMS)、直流
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Nexperia MOSFET ASFET SOA
2022年11月17日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布推出新系列MOSFET器件，采用創新的頂部冷卻，幫助設計人員解決具挑戰的汽車應用，特別是電機控制和DC-DC轉換。 新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝，尺寸僅5mm x 7mm，在頂部有一個16.5 mm2的熱焊盤，可以將熱量直接散發到散熱器上，而不是通過傳統的印刷電路板（以下簡稱“PCB”）散熱。采用TCPAK57封裝能充分使用PCB的兩面，減少PCB發熱，從而提高功率密度
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安森美 Top Cool封裝 MOSFET
2022年11月16日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布梅賽德斯-奔馳在其主驅逆變器中采用安森美的碳化硅（以下簡稱“SiC”）技術，這是兩家公司戰略合作的一部分。安森美的VE-Trac SiC模塊提高了梅賽德斯-奔馳純電動汽車VISION EQXX主驅逆變器的能效并減輕了其重量，使電動汽車的續航里程增加10%。這款電動汽車完成了從德國斯圖加特到英國銀石的1,202公里（747英里）旅程，保持了單次充電后最遠的行駛距離記錄。VISION EQXX在電動車
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安森美 碳化硅 純電動汽車 充電
本文分析了目前不間斷電源（UPS）在互聯網數據中心中的應用和發展趨勢。對目前熱門的碳化硅材料和英飛凌碳化硅技術做了介紹，并著重說明了碳化硅器件在UPS應用中的優勢。分析給出了目前UPS常用拓撲及方案，最后基于50 kW的逆變部分做了各方案的損耗分析。1.引 言互聯網數據中心(Internet Data Center,IDC),是集中計算和存儲數據的場所，是為了滿足互聯網業務以及信息服務需求而構建的應用基礎設施。受新基建、數字經濟等國家政策影響以及新一代信息技術發展的驅動，我國數據中心市場規模增長迅猛。隨著
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Infineon 碳化硅 UPS
在各種電源應用領域，例如工業電機驅動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優性能。性能要求越來越嚴苛，已經超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構應運而生。在各種電源應用領域，例如工業電機驅動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優性能。性能要求越來越嚴苛，已經超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而
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Digi-Key MOSFET
SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導體器件，在高速開關性能和高溫環境中，優于目前主流應用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業設備應用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉換器和光伏逆變器在內的應用需求，實現系統的低損耗和小型化。東芝推出并已量產的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊MG600Q2YMS3和MG400V2YMS3就是這樣的產品，其最大亮點是全SiC MOSFET模塊，不同于只用SiC SBD（肖
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Toshiba MOSFET
2022年11月14日，美國北卡羅來納州達勒姆市、加利福尼亞州洛杉磯市與中國上海市訊 -- 全球碳化硅（SiC）技術引領者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布，電動交通電池管理和充電技術的全球引領者 AMP 公司將在其電動交通能量管理單元中采用 Wolfspeed E-系列碳化硅 MOSFET。通過采用 Wolfspeed 創新型碳化硅技術，將助力 AMP 優化電池性能、充電和成本。 AMP 公司硬件工程副總裁 Jia
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AMP 電動汽車充電 Wolfspeed 碳化硅
在最近召開的EEVIA第十屆年度中國硬科技媒體論壇暨2022產業鏈研創趨勢展望研討會上，來自英飛凌安全互聯系統事業部的汽車級WiFi/BT及安全產品應用市場管理經理楊大穩以“英飛凌賦能未來汽車低碳化和數字化發展“為題，詳細介紹了英飛凌在汽車電子領域的相關產品和未來趨勢。?新能源車是全球汽車市場增長最快也是需求最旺盛的領域，特別是在中國這個全球產銷第一的市場，2022年國有品牌汽車占據近一半的中國汽車市場份額，最大的驅動力是來自于新能源車和電動車。可以預想，隨著政府和車廠的支持，電動車未來幾年會迎
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英飛凌 SiC 電動汽車 無人駕駛
中國北京 – 2022 年 11 月 8 日–移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）與半導體晶圓制造商 SK Siltron CSS 今日宣布，雙方已簽署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供應協議。此次合作將提高半導體供應鏈的彈性，并更好地滿足汽車市場對先進碳化硅解決方案迅速增長的需求。隨著客戶采用 Qorvo 業界領先的第 4 代 SiC FET 解決方案，該協議還會為他們提供更好的保護并增強其信心。SiC 器件
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Qorvo SK Siltron CSS 碳化硅
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