導讀】事物皆有兩面：SiC MOSFET以更快的開關速度，相比IGBT可明顯降低器件開關損耗，提升系統效率和功率密度；但是高速的開關切換，也產生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機控制領域的電機絕緣和EMI設計都帶來了額外的挑戰。應用痛點氫燃料系統中的高速空壓機控制器功率35kW上下，轉速高達10萬轉以上，輸出頻率可達2000Hz，調制頻率50kHz以上是常見的設計，SiC MOSFET是很好的解決方案。但是，SiC的高dv/dt和諧波會造成空壓機線包發熱和電機軸電流。一般的對策有二：1.采用大的柵
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英飛凌 MOSFET 2L-SRC
_____開關特性是功率半導體開關器件最重要的特性之一，由器件在開關過程中的驅動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試，而在電路設計時直接測量在運行中的變換器上的器件波形，為了得到正確的結論，獲得精準的開關過程波形至關重要。SiC MOSFET相較于 Si MOS 和 IGBT 能夠顯著提高變換器的效率和功率密度，同時還能夠降低系統成本，受到廣大電源工程師的青睞，越來越多的功率變換器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 與 Si 開關器件的一個重要區別是它
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Tektronix SiC MOSFET
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)近日宣布，為世界排名前列的電源模塊系統廠商賽米控（Semikron）的eMPack?電動汽車電源模塊提供碳化硅(SiC)技術。該供貨協議是兩家公司為期四年的技術合作開發成果。采用意法半導體先進的 SiC 功率半導體，雙方致力于在更緊湊的系統中實現卓越的能效，并在性能方面達到行業標桿。SiC 正迅速成為汽車行業首選的電動汽車牽引驅動的電源技術，有助于提高行駛里程和可靠性。賽米控最近宣布已獲得一筆價值 1
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意法半導體 賽米控 電動汽車 碳化硅
在線性模式供電的電子系統中，功率 MOSFET器件被廣泛用作壓控電阻器，電磁干擾 (EMI) 和系統總體成本是功率MOSFET的優勢所在。?在線性模式工作時，MOSFET必須在惡劣工作條件下工作，承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS)，然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿足一些技術要求才能提高耐用性，還必須符合熱管理限制，才能避免熱失控。?意法半導體 (ST) 推出了一款采用先進的 STPOWER STripFET F7制造技術和H2PAK 封裝的 100V功率 MOSFE
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意法半導體 功率 MOSFET 耐用性
提高功率密度已經成為電源變換器的發展趨勢。為達到這個目標，需要提高開關頻率，從而降低功率損耗、系 統整體尺寸以及重量。對于當今的開關電源(SMPS)而言，具有高可靠性也是非常重要的。零電壓開關(ZVS) 或零電流開關(ZCS) 拓撲允許采用高頻開關技術，可以 大限度地降低開關損耗。ZVS拓撲允許工作在高頻開 關下，能夠改善效率，能夠降低應用的尺寸，還能夠降 低功率開關的應力，因此可以改善系統的可靠性。LLC 諧振半橋變換器因其自身具有的多種優勢逐漸成為一種 主流拓撲。這種拓撲得到了廣泛的應用，包括高端服務
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MOSFET
移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構，這種架構常見于電動汽車車載充電器、工業電池充電器、工業電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過
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Mentor P Qorvo SiC FET
意法半導體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設計數據中心服務器、5G基礎設施、平板電視機的開關式電源 (SMPS)。首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產品的單位面積導通電阻(RDS(on))都非常低，可以極大程度提高功率密度，并有助于縮減系統尺寸。兩款產品的最大導通電阻(RDS(on)max)都處于同類領先水平，STP65N045M9 為 45mΩ，STP60N043DM9 為 43
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意法半導體 MDmesh MOSFET
移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構，這種架構常見于電動汽車車載充電器、工業電池充電器、工業電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過
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SiC FET
2022年5月10日-12日，一年一度的PCIM Europe盛大開幕，作為全球領先的功率半導體供應商，瑞能半導體攜SiC?Diodes和SiC?MOSFETs，第三代肖特基二極管G3 SBD、第五代軟恢復二極管 G5 FRD等多款旗艦產品重磅回歸PCIM Europe展會，全方位展示行業領先的技術、產品應用和解決方案，和諸多業內伙伴共話智能制造行業在全球范圍內的可持續發展。PCIM Europe即歐洲電力電子系統及元器件展，是電力電子、智能運動、可再生能源和能源管理領域最具影響力的博
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SiC MOSFET 瑞能半導體 PCIM Europe
基礎半導體器件領域的專家Nexperia推出了用于自動化安全氣囊應用的專用MOSFET (ASFET)新產品組合，重點發布的BUK9M20-60EL為單N溝道60 V、13 mOhm導通內阻、邏輯控制電平MOSFET，應用于LFPAK33封裝。ASFET是專門為用于某一應用而設計并優化的MOSFET。此產品組合是Nexperia為電池隔離、電機控制、熱插拔和以太網供電(PoE)應用提供的一系列ASFET中的最新產品。 BUK9M20-60EL采用Nexperia的新型增強安全工作區(SOA)技術
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Nexperia 自動安全氣囊 MOSFET
深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations近日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列門極驅動板。新款驅動器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊，其應用范圍包括電動汽車、混合動力和燃料電池汽車（包括巴士和卡車）以及建筑、采礦和農用設備的大功率汽車和牽引逆變器。SCALE EV板級門極驅動器內部集成了兩個增強型門極驅動通道、相關供電電源和監控遙測電路。新驅動板已通過汽車級認證和ASIL B認證，可實現AS
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Power Integrations IGBT SiC 模塊驅動器 SCALE EV PI
安森美（onsemi，美國納斯達克股票代號：ON）在PCIM Europe展會發布全球首款To-Leadless（TOLL）封裝的碳化硅（SiC）MOSFET。該晶體管滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關組件迅速增長的需求。直到最近，SiC組件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7接腳封裝。TOLL封裝的尺寸僅為9.90mm x 11.68mm，比D2PAK封裝的PCB面積節省30％。而且，它的外形只有2.30mm，比D2PAK封裝的體積小60％。除了更小尺寸之外，TOLL封裝還提供比D2PAK 7接
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安森美 TOLL封裝 碳化硅 MOSFET
英飛凌科技股份公司近日發布了一項全新的CoolSiC?技術，即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。這款先進的碳化硅（SiC）芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列，以及采用基于.XT互連技術的分立式封裝，具有非常廣泛的產品組合。M1H芯片具有很高的靈活性，適用于必須滿足峰值電力需求的太陽能系統，如光伏逆變器。同時，這款芯片也是電動汽車快充、儲能系統和其他工業應用的理想選擇。CoolSiC技術取得的最新進展使得柵極驅動電壓窗口明顯增大，從而降低了既定芯片面積下的導通電阻。與此同時，隨著柵極運行
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SiC 太陽能 MOSFET
1、放大電路場效應管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點，因此經常作為多級放大電流的輸入級，與三極管一樣，根據輸入、輸出回路公共端選擇不同，將場效應管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態，如下圖是場效應管共源放大電路，其中：Rg是柵極電阻，將Rs壓降加至柵極；Rd是漏極電阻，將漏極電流轉換成漏極電壓，并影響放大倍數Au；Rs是源極電阻，為柵極提供偏壓；C3是旁路電容，消除Rs對交流信號的衰減。2、電流源電路恒流源在計量測試應用很廣泛，如下圖是主要是由場效應管組成的恒流源電路，這是可作為磁電式儀表調標尺工序。由于場
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MOSFET MOS 場效應管
碳化硅(sic)mosfet介紹
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