近年來，出于地球溫室化對策和減少空氣污染的考慮，對汽車的環保性能要求越來越高。世界各國均已制定了新能源汽車的開發和引進計劃，未來新能源汽車的普及將會進一步加速。其中，中國新能源汽車市場發展勢頭最為迅猛。隨著中國新能源汽車市場的迅速壯大和新能源汽車技術的快速發展，越來越多的中國新能源汽車品牌開始走出國門，投身到波瀾壯闊的世界新能源汽車市場。 作為全球知名半導體制造商， ROHM一直以來都將汽車市場為主要目標領域，通過開發并提供SiC元器件、電源IC、控制IC等滿足最新汽車電子化需求的創新型高
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ROHM SiC
電動工具、 園藝工具和吸塵器等家電使用低電壓(2至10節)鋰離子電池供電的電機驅動。這些工具使用有刷直流(BDC)或三相無刷直流(BLDC)電機。BLDC電機效率更高、維護少、噪音小、使用壽命更長。 驅動電機功率級的最重要的性能要求是尺寸小、效率高、散熱性能好、保護可靠、峰值電流承載能力強。小尺寸可實現工具內的功率級的靈活安裝、更好的電路板布局性能和低成本設計。高效率可提供最長的電池壽命并減少冷卻工作。可靠的操作和保護可延長使用壽命，有助于提高產品聲譽。 為在兩個方向上驅動BDC電機，您
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BLDC MOSFET
引言 在如今的汽車中，為了提高舒適度和行車體驗而設計了座椅加熱、空調、導航、信息娛樂、行車安全等系統，從這些系統很容易理解在車中為各種功能供電的電子系統的好處。現在我們很難想像僅僅 100 多年以前的景象，那時，在汽油動力汽車中，一個電子組件都沒有。在世紀交替時期的汽車開始有了手搖曲柄，前燈開始用乙炔氣照明，也可以用鈴聲向行人發出提示信息了。如今的汽車正處于徹底變成電子系統的交界點，最大限度減少了機械系統的采用，正在成為人們生活中最大、最昂貴的“數字化工具”。由于可用性和環保原因
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電源 MOSFET
隨著技術的不斷更新換代，以及電動汽車市場的巨大助力，SiC產品有望迎來快速增長期。
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電動汽車 SiC
MOSFET漲價何時能得到緩解?深圳市拓鋒半導體科技有限公司總經理陳金松表示可能要到2018年第四個季度，等國內的12寸晶圓量產之后，將8寸的產能騰出來，才有可能緩解。同時要看封測廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產能的釋放，如果封測廠商難以消化這么大的產能，漲價仍會持續，只是幅度不會像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴產，預計2018年6月可正式投產，擴產后的產能可多出一倍，每月達2億只左右。”陳金松說。
MOSFET作為應用廣泛的基礎類元器件
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MOSFET DFN
017年11月24日，德國慕尼黑訊—憑借600 V CoolMOSCFD7，英飛凌科技股份公司推出最新的高壓超結MOSFET技術。該600 V CoolMOS CFD7是CoolMOS 7系列的新成員。這款全新MOSFET滿足了高功率SMPS市場對諧振拓撲的需求。它的LLC和ZVS PSFB等軟開關拓撲具備業內領先的效率和可靠性。這使其非常適合服務器、電信設備電源和 電動汽車充電站等高功率SMPS應用。 &n
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英飛凌 MOSFET
MOSFET漲價何時能得到緩解?深圳市拓鋒半導體科技有限公司總經理陳金松表示可能要到2018年第四個季度，等國內的12寸晶圓量產之后，將8寸的產能騰出來，才有可能緩解。同時要看封測廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產能的釋放，如果封測廠商難以消化這么大的產能，漲價仍會持續，只是幅度不會像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴產，預計2018年6月可正式投產，擴產后的產能可多出一倍，每月達2億只左右。”陳金松說。
MOSFET作為應用廣泛的基礎類元器件
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MOSFET 晶圓
功率因數校正最佳策略：如何選取合適的MOSFET？-近年來，隨著汽車、通信、能源、綠色工業等大量使用MOSFET的 行業的快速發展，功率MOSFET備受關注。
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MOSFET 功率因數 Vishay
面對國際IDM大廠將旗下MOSFET芯片產能大量移轉到車用電子領域，并開始采取限量供應MOSFET芯片給PC、NB及移動裝置產品客戶的情形，大中、富鼎、尼克森等臺系MOSFET芯片三雄不僅2017年第3季終于有像樣的營收成長力道，客戶追加訂單的盛況更是前所未見。雖然第4季全球PC及NB市場需求照理說會開始下滑，但在英特爾(Intel)、AMD新款CPU平臺需增加3~5顆MOSFET芯片，加上客戶對于MOSFET芯片供需吃緊的議題抱持高度關注態度，臺系MOSFET芯片供應商多已表達淡季不淡的樂觀預期看法
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MOSFET 芯片
以MLCC為代表的被動元件在進入第三季度后，受產能供需吃緊影響，價格大漲，部分物料漲幅甚至超過10倍。而與被動元件市場行情相似的MOSFET芯片也出現缺貨潮，導致價格上漲，即便是在溢價20%的基礎上新增訂單，供應商仍難交出貨來。更嚴重的是，MOSFET芯片市場缺貨潮短期內將難以緩解，保守估計到2019年局面才能改觀。
據IHS數據顯示，2016年MOSFET芯片市場總規模為205億美元，2017年預計將增長到220億美元。MOSFET芯片可廣泛應用于消費類電子、電動汽車以及IIoT等領域，杭州士
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MOSFET MLCC
電源工程師最怕什么?炸機!用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問題了呢?這一切都和SOA相關。 我們知道開關電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關器件長期工作于高電壓大電流狀態，承受著很大的功耗，一但過壓或過流就會導致功耗大增，晶圓結溫急劇上升，如果散熱不及時，就會導致器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸，非常危險。這里就衍生一個概念，安全工作區。 一、什么是安全工作區? 安全工作區：SOA(Safe operating&nb
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MOSFET IGBT
近日，863計劃先進制造技術領域“大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究”課題通過了技術驗收。
通常，國際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料稱之為第三代半導體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度、熱導率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優勢，特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯，由于第三代半導體材料的制造裝備對設備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場分布、設備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質量和成品率的關鍵技術有很高的
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半導體 SiC
精華！兼容路創和Leviton調光器的LED燈絲燈解決方案-晶豐明源BP3216燈絲燈可控硅調光方案解決三大LED燈絲燈調光難題，BP3216內部集成MOSFET，體積小，特別適合燈絲燈的應用；采用源極驅動，DCMB的控制方式，沒有二極管反向恢復，開關損耗小。P3216系列芯片內部集成不同耐壓的MOSFET，可以滿足不同功率輸出的要求。
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MOSFET 可控硅調光 LED燈絲燈
導入柵極屏蔽結構 溝槽式MOSFET功耗銳減-更高系統效率和功率密度，是現今數據和電信電源系統設計的首要目標。為達此一目的，半導體開發商研發出采用柵極屏蔽結構的新一代溝槽式金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET），可顯著降低全負載及輕負載時的功率損耗。
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MOSFET 柵極屏蔽 快捷半導體
碳化硅(sic)mosfet介紹
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