介紹了包括SiC、GaN在內的新一代功率器件，面向工業和汽車的新型功率模塊，可穿戴設備的電源管理IC的發展概況及相關新技術和熱門產品。
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SiC GaN 電源管理 201804
MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路。 在使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數。對一個確定的MOSFET，其驅動電路，驅動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的
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MOSFET 電源IC
使用單光子作為量子位的載體可以在量子數據傳輸期間實現可靠的安全性。研究人員發現，目前可以通過某現有材料建立一個系統，能在常溫條件下可靠地產生單光子。
來自莫斯科物理技術學院(MIPT)的一個研究小組展示通過使用基于碳化硅(SiC)光電子半導體材料的單光子發射二極管，每秒可以發射多達數十億個光子。研究人員進一步表明，SiC色心的電致發光可用于將無條件的安全量子通信線路中的數據傳輸速率提高到1Gbps以上。
量子密碼術與傳統的加密算法不同，它依賴于物理定律。在不改變原始信息的情況下，是無法
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SiC 量子通信
相較目前主流的硅晶圓(Si)，第三代半導體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優勢，不僅可使芯片面積可大幅減少，并能簡化周邊電路的設計，達到減少模組、系統周邊的零組件及冷卻系統的體積。根據估計，2018年全球SiC基板產值將達1.8億美元，而GaN基板產值僅約3百萬美元。
此外，除了輕化車輛設計之外，因第三代半導體的低導通電阻及低切換損失的特性，也能大幅降低車輛運轉時的能源轉換損失，兩者對于電動車續航力的提升有相當的幫助。因此，
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SiC GaN
全球知名半導體制造商ROHM于2018年3月14日--16日參加了在上海新國際展覽中心舉辦的"2018慕尼黑上海電子展(electronica?China?2018)"。 “慕尼黑上海電子展"不僅是亞洲領先的電子行業展覽，還是行業內最重要的盛會之一。ROHM在此次展會上以“汽車電子”和“工業設備”為軸，為大家呈現包括“汽車電子”、?“模擬”、“電源”、“傳感器”以及“移動設備”在內的5大解決方案展區，囊括了業界領先的強大產品陣容。另外，為此
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ROHM SiC
慕尼黑上海電子展舉辦，作為亞洲第一電子大展，展會吸引了數萬名電子行業的觀眾到場參觀學習。而全球先進的元件分銷商——世強元件電商，則攜物聯網、汽車、微波通信、功率電子、工業控制及自動化、結構件、阻容感、材料、測試測量等九大領域的最新產品及方案亮相。 憑借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示，以及NB-IOT、工業物聯網、無線充電與快充、工業4.0、人工智能、樓宇照明、智能網聯汽車、新能源汽車、5G通信、藍牙Mesh等眾多熱門市場的最新產品的展示，世強元件電商吸引了大批工程師
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SiC GaN
據麥姆斯咨詢報道，一些非常重要的市場趨勢正在推動化合物半導體器件在關鍵行業的應用，化合物半導體正在強勢回歸。這些趨勢主要包括第五代(5G)無線網絡協議、無人駕駛和自動汽車、交通電氣化、增強現實和虛擬現實(AR/VR)。這些應用正在推動3D傳感的應用，提高功率模塊效率和更高頻率的通信應用。所有這些新發展背后的關鍵器件都是由化合物半導體制造而成。科銳(Cree)和英飛凌(Infineon)近日關于SiC材料、SiC功率器件和GaN射頻(RF)器件的最新公告，還僅僅是化合物半導體應用的冰山一角。
我們
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5G SiC
全球電路保護領域的領先企業Littelfuse,?Inc.與從事碳化硅技術開發的德州公司Monolith?Semiconductor?Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC)?n通道增強型MOSFET，為其日益擴展的第一代電源半導體器件組合注入新鮮血液。?Littelfuse與Monolith在2015年結成戰略合作關系，旨在為工業和汽車市場開發電源半導體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯手打造的最新產品。?這些產品在應用電力電子
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Littelfuse MOSFET
EPC公司的管理及技術團隊將在中國深圳及上海于3月14至16日舉行的各大業界論壇及展會上，與工程師會面并作技術交流。屆時，EPC團隊將分享如何發揮氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)及集成電路的最高性能、創新設計，從而為工程師及其客戶，打造共創共贏新局面。 AirFuel無線充電大會暨開發者論壇 2018 (中國深圳 - 3月14至16日) 首屆AirFuel無線充電大會暨開發者論壇將于3月14至16日在深圳南山凱賓斯基酒店舉行。由AirFuel?
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宜普 MOSFET
Analog Devices, Inc. (ADI)與Microsemi Corporation近日聯合推出市場首款用于半橋SiC功率模塊的高功率評估板，在200kHz開關頻率時該板提供最高1200V電壓和50A電流。隔離板的設計旨在提高設計可靠性，同時減少創建額外原型的需求，為電源轉換和儲能客戶節省時間、降低成本并縮短上市時間。ADI公司和Microsemi將在2018年3月4日至8日于美國得克薩斯州圣安東尼奧舉行的APEC 2018展會上展示該評估
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ADI SiC
推動高能效創新的安森美半導體?(ON?Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)推出最新650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產品，擴展了SiC二極管產品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術提供更高的開關性能、更低的功率損耗，并輕松實現器件并聯。 安森美半導體最新發布的650?V?SiC?二極管系列提供6安培(A)到50?A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復、低正向壓、不受溫度影響的電流穩定性、高浪涌容
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安森美 SiC
當前具有更高整體效率的電子系統需要更高的功率密度，這為非隔離負載點穩壓器(niPOL)?帶來了大量變革。為了提高整體系統效率，設計人員選擇避免多級轉換，以獲得他們所需要的穩壓負載點電壓。這就意味著niPOL需要支持更高的工作輸入電壓，提供更高的轉換率。除此之外，niPOL還需要在保持最高效率的同時，繼續縮小電源解決方案的總體尺寸。而且隨著產品性能的提升，niPOL的功率需求會進一步提高。 電源行業通過對niPOL進行多項技術升級來應對這一挑戰。過去幾年，行業已經看到器件封裝、半導體集成和M
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ZVS MOSFET
MOSFET缺貨潮來勢洶洶，看著突然實則必然，畢竟消費電子的更新迭代速度加快以及新能源汽車飛速發展已成必然之勢。
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MOSFET 芯片
隨著工藝水平的提高，MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor?Field-Effect?Transistor，即金屬-氧化物半導體場效應晶體管)閾值電壓的失配常數Avt越來越小，電流源之間的匹配程度越來越高，然而隨著DAC(Digital?to?Analog?Converter，即數模轉換器)分辨率的提高，?DAC對電流源誤差的要求越來越高[1]。其中閾值電壓失配不僅與Avt有關，由于閾值電壓的溫度系數存在，DAC工作
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DAC MOSFET
納微 (Navitas)半導體宣布其現場應用及技術營銷總監黃萬年將在2018年1月30日于中國臺北舉辦的“2018前瞻電源設計與功率組件技術論壇”上發表“利用氮化鎵(GaN)功率IC實現下一代電源適配器設計”的主題演講。他將分享如何利用業內首個及唯一的氮化鎵(GaN)功率IC在各種電力系統中顯著提高速度、效率和密度的嶄新見解。納微是這項活動的銀級贊助商，該活動為具有創新性的制造商、合作伙伴及客戶提供了一個交互論壇，以交流加速采用新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件的專業知識。 黃萬年
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納微 SiC
碳化硅(sic)mosfet介紹
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