- 相較于硅,碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術,提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流,且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能,因此被視為下一代功率半導體?! “采腊雽w擴展了其650伏(V) SiC二極管系列,提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統成本。工程師在設計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車(EV / HEV)充電器、電信電源和數據中心電源等各類應用的PFC和升壓轉換器時,往往面對在更小尺寸實現更高能效的挑戰。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑
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肖特基二極,SiC
- 意法半導體的VIPer11離線轉換器內置800V耐雪崩MOSFET,可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器,其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓,并提高諸多消費和工業電源的靈活性?! ∵壿嫾壴匨OSFET讓VIPer11能夠在4.5V至30V的寬電源電壓范圍內工作,可用于設計高效的5V輸出開關電源。結合內部高壓啟動、誤差放大器和降低EMI干擾的抖動振蕩器等功能,這種優勢可簡化設計,節省空間和物料清單成本?! IPer11高壓轉換器可實現由整流的AC線或其它直流電源直接供電的反激
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意法半導體,MOSFET
- 前言 包括光伏逆變器、電氣驅動裝置、UPS及HVDC在內的功率轉換系統,需要柵極驅動器、微控制器、顯示器、傳感器及風扇來使系統正常運行。這類產品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業設備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術優勢且設計簡單、性價比高的電源解決方案?! ⌒⌒洼o助電源用SiC MOSFET 圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下,MOSFET的最高耐壓
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SiC,MOSFET
- 6月5日,在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產大樓內,100臺碳化硅(SiC)單晶生長設備正在高速運行,SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長?! ≈袊娍贫谝皇聵I部主任李斌說:“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發和生產的。我們很自豪,正好咱們自己能生產了?!薄 iC單晶是第三代半導體材料,以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性, 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發光及光電集成器件的理想材料,是新一代雷達、衛星通訊、高壓
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SiC
- 6月5日,在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產大樓內,100臺碳化硅(SiC)單晶生長設備正在高速運行,SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長。 中國電科二所第一事業部主任李斌說:“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發和生產的。我們很自豪,正好咱們自己能生產了。” SiC單晶是第三代半導體材料,以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性, 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發光及光電集成器件的理想材料,是新一代雷達、衛星通訊、高壓
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SiC
- 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),發布了碳化硅(SiC)肖特基二極管的擴展系列,包括專門用于要求嚴苛的汽車應用的器件。新的符合AEC-Q101車規的汽車級SiC二極管提供現代汽車應用所需的可靠性和強固性,以及等同于寬禁隙(WBG)技術的眾多性能優勢。 SiC技術提供比硅器件更佳的開關性能和更高的可靠性。SiC二極管沒有反向恢復電流,開關性能與溫度無關。極佳的熱性能、增加的功率密度和降低的電磁干擾(EMI),減小的系統尺寸和降低的成本使SiC
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安森美 SiC
- 最初為高壓器件開發的超級結MOSFET,電荷平衡現在正向低壓器件擴展。雖然這極大地降低了RDS(ON) 和結電容,但電荷平衡使后者非線性進一步加大。MOSFET有效儲存電荷和能量減少,而且顯著減少,但計算或比較不同MOSFET參數以獲得最佳性能變得更加復雜?! OSFET三個相關電容不能作為VDS的函數直接測量,其中有的需要在這個過程中短接或懸空。數據手冊最終測量給出的三個值定義如下: CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD 三者中,輸入電容CG
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MOSFET 非線性電容
- 致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領先半導體技術方案供應商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產品組合,包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品,及下一代700 V、50 A 肖特基勢壘二極管(SBD)和相應的裸片。美高森美將參展6月5日至7日在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展,在6號展廳318展臺展示這些SiC解決方案以及SiC SBD
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美高森美 SiC
- 全球知名半導體制造商ROHM為加強需求日益擴大的SiC功率元器件的生產能力,決定在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)的筑后工廠投建新廠房?! ⌒聫S房為地上3層建筑,總建筑面積約11,000㎡?,F在,具體設計工作正在有條不紊地進行,預計將于2019年動工,于2020年竣工。 ROHM自2010年開始量產SiC功率元器件(SiC-SBD、SiC-MOSFET)以來,于世界首家量產“全SiC”功率模塊和溝槽結構SiC-MOSFET,不斷進行著領先業界的技
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ROHM SiC
- 4月9日上午,國家集成電路產業投資基金總裁丁文武一行蒞臨基本半導體考察調研。 基本半導體董事長汪之涵博士向丁文武介紹了公司自主研發的碳化硅功率器件產品,包括性能達到國際一流水平的碳化硅JBS二極管和MOSFET三極管,以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圓片?! ‰S后丁文武一行聽取了基本半導體總經理和巍巍博士對公司發展情況的匯報。丁文武對基本半導體的技術創新和戰略定位予以充分肯定,并鼓勵公司團隊再接再厲,立足創新驅動,不斷發展壯大,成為中國第三代半導體產業的領軍企業?! 壹呻娐樊a業投資基金是為促進集
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基本半導體 碳化硅 功率芯片 集成電路
- ROHM不久前亮相"2018慕尼黑上海電子展",并占據館內的入口人氣位置,以炫動的賽車和動感十足的汽車產品,吸引觀眾的眼球。那么,這次ROHM重點帶來了什么汽車新品? 據悉,此次展會圍繞“汽車電子”和“工業設備”,重點展示了功率電源產品及解決方案。 圖:ROHM展臺設在展館入口處,動感賽車吸引眼球 賽車性能突破極限,因為有SiC 視頻上吸睛的車隊是文圖瑞電動方程式車隊?(Venturi?Formula?E?Team)?,RO
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ROHM SiC
- 雖然碳化硅有成本方面的問題,但是其眾所周知的在各個高端應用中所表現出的高性能也能夠彌補其在價格方面的短板,尤其是在電動車與再生能源越來越受到重視,將為中功率、高功率應用領域帶來大量需求。氮化鎵技術能夠降低成本,又能夠保持半導體器件的優越性能,在中、低功率應用領域具備擁有巨大潛力。但也并不是說將來所有的功率器件都會被碳化硅替代,我們認為碳化硅和現存的IGBT或MOSFET都能在其有優勢的領域中共同發揮所長,共生共棲。
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瑞薩,碳化硅
- 硅半導體器件在過去數十年間長期占據著電子工業的統治地位,它鑄就了電子世界的核心,覆蓋我們日常生活中的絕大部分應用。寬禁帶電子器件,以碳化硅和氮化鎵的形式,因其自身有著傳統的硅技術無法克服的優勢正在日益普及。
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力特,SiC,GaN
- 更為嚴格的行業標準和政府法規的變遷是更高能效產品的關鍵驅動因素。例如數據中心正呈指數級增長以跟上需求,其耗電量約占全球總電力供應量(+ 400TWh)的3%,也占總溫室氣體排放量的2%,與航空業的碳排放量相同。在這些巨大的能源需求之下,各地政府正加緊實施更嚴格的標準和新的法規,以確保所有依賴能源的產品必須達到最高能效。
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安森美,SiC,GaN
- 3月31日,在深圳市委市政府的大力支持下,由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、基本半導體和南方科技大學等單位發起共建的深圳第三代半導體研究院在五洲賓館宣布正式啟動。深圳第三代半導體研究院的成立具有里程碑意義,將對中國乃至全球第三代半導體產業發展產生深遠影響。 科技部原副部長、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟決策委員會主任、深圳第三代半導體研究院理事長曹健林,廣東省委常委、深圳市委書記王偉中,深圳市委副書記、市長陳如桂,科技部高新司原司長、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟決策委員會副主任、深圳第三代半
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青銅劍科技 半導體 碳化硅 功率器件
碳化硅(sic)mosfet介紹
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