在看到MOSFET數據表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數很顯眼，也一目了然，其它的一些參數會十分的含糊不清、模棱兩可，而其它的某些參數自始至終就毫無用處(比如說：開關時間)。在這個即將開始的博文系列中，我們將試著破解FET數據表，這樣的話，讀者就能夠很輕松地找到和辨別那些對于他們的應用來說，是最常見的數據，而不會被不同的生產商為了使他們的產品看起來更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄。
自從20世紀80年代中期在MOSFET 數據表中廣泛使用的以來，無鉗位電感開關 (UIS) 額定值就已經被
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MOSFET UIS
全球SiC領先者CREE推出了業界首款900V MOSFET：C3M0065090J。憑借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM場效應晶體管技術，該n溝道增強型功率器件還對高頻電力電子應用進行了優化。超越同樣成本的Si 基方案，能夠實現下一代更小尺寸、更高效率的電力轉換系統，并大幅降低了系統成本。C3M0065090J突破了電力設備技術，是開關模式電源(spm)、電池充電器、太陽能逆變器，以及其他工業高電壓應用等的電源管理解決方案。
世強代理的該900V SiC具有更寬的終端系統功率范圍，
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世強 SiC
提出了一種小型可調壓DC-DC降壓變換器的結構。主電路由MOSFET管、電感器及濾波電容器構成。通過PWM波控制，由于PWM波的驅動能力較差，設計驅動電路通過與PWM發生器一同控制MOSFET管的通斷。通過改變PWM波的占空比來改變輸出電壓以達到可調壓的目的。該降壓變換器設計簡單、經濟適用、體積較小，輸出電壓可調。主要由主電路和驅動電路組成。該變換器適用于較低壓工作場合，輸入電壓在5V至20V之間，輸出電壓在3V至18V之間。對電路的工作原理和結構進行了深入分析，并通過實物制作驗證其可行性。
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DC-DC降壓 PWM MOSFET 驅動電路 201601
意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)針對汽車市場推出了新系列高壓N溝道功率MOSFET。新產品通過AEC-Q101汽車測試認證，采用意法半導體最先進、內置快速恢復二極管的MDmeshTM DM2超結制造工藝，擊穿電壓范圍為400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝?！ ?00V和500V兩款新產品是市場上同級產品中首個獲得AEC-Q101認證的功率MOSFET，而600V和650V產品性能則高于現有競爭產品。全
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意法半導體 MOSFET
在溫度高達 210 攝氏度或需要耐輻射解決方案的惡劣環境應用中，集成型降壓解決方案可充分滿足系統需求。有許多應用需要負輸出電壓或諸如 +12V 或 +15V 等隔離輸出電壓為 MOSFET 柵極驅動器電路供電或者為運算放大器實現偏置。我們將在本文中探討如何使用 TPS50x01 配置降壓轉換器，提供負輸出電壓。此外，我們還將討論如何通過提供高于輸入壓的電壓來滿足應用需求?！ PS50601-SP和TPS50301-HT都是專為耐輻射、地質、重工業以及油氣應用等惡劣環境開發的集成型同步降壓轉換器解決方
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MOSFET TPS50601-SP 電壓隔離
DIGITIMES Research觀察，傳統以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎的功率半導體逐漸難提升其技術表現，業界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優勢，預計未來功率半導體市場將三分天下。
更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運作頻率，分別適用在不同的應用，對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動通訊基地臺，或資料中心機房設備而言
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GaN SiC
2016年11月16日-21日，全球知名半導體制造商ROHM亮相在深圳舉辦的“第十七屆高交會電子展(ELEXCON?2015)”。在本次展會上展出了ROHM所擅長的模擬電源、業界領先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子、以及能夠為IoT(物聯網)的發展做出貢獻的傳感器網絡技術和小型元器件等品類眾多，并且融入了最尖端技術的產品。ROHM所帶來的高新領先技術、強勢多元化的產品、以及多種解決方案，受到來場參觀者的廣泛好評。 ROHM模擬電源“領銜”業內標準 近年來，全世
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ROHM SiC
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出符合國際零待機功耗標準的新電源管理芯片，率先為白色家電(white good)、照明及工業設備提供喚醒功能智能管理方式。這也代表著電能吸血鬼(裝置在被關掉或處于閑置狀態時仍在消耗電能)將不復存在。
最大限度降低用電設備的待機耗電量(也稱：電能吸血鬼)是設計人員長期努力的目標，這也推動了全世界啟用IEA[1]等國際組織提出的節能建議，即在2010年和2013年前將電器待機功耗分別降至1W和0
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意法半導體 MOSFET
意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實現產品效能最大化，同時提升工作穩健性和安全系數。MDmeshTM K5產品是世界首款兼備超結技術優點與1500V漏源(drain-to-source)擊穿電壓(breakdown voltage)的晶體管，并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設計中。
新產品瞄準計算機服務器及工業自動化市場。服務器要求更高的輔助開關式電源輸出功率，同時電源穩健性是最大限度減少斷電停機時間的關鍵要素，電焊、工廠自
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意法半導體 MOSFET
2015年3月份，一份由國家能源局制定的草案引爆了整個新能源汽車圈，沒錯，這份眾人期盼已久的草案就是《電動汽車充電基礎設施建設規劃》。該草案的完成對于汽車充電設施制造商帶來說堪稱一場“及時雨”。草案提到2020年國內充換電站數量要達到1.2萬個，充電樁達到450萬個，這意味著一個千億級市場將在國內的充電行業產生。
充電樁通常被譽為新能源汽車的“加油站”，可以固定在墻壁或地面，根據不同的電壓等級為各種型號的電動汽車充電。如圖1所示，目前的充電樁可以提
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Cree SiC
Wolfspeed (原CREE Power產品)推出業界首款900V SiC MOSFET系列產品，拓展了高頻電力電子應用的范圍。相比于相當于硅MOSFET，這一突破900V SiC使我們的產品的新市場通過擴大我們在終端系統解決功率范圍。該系列產品提供了更高的開關速率和更低的開關損耗，從而為電力電子工程師們提供了設計出更小，更快，更酷，更高效的電源解決方案可能。
新的900V SiC MOSFET系列產品極大的擴大了產品應用空間，能夠更好的應對不斷發展變化的應用領域，更高的直流母線電壓可以覆蓋
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Wolfspeed MOSFET
Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數低和熱導率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時又具有通態電阻低和開關損耗小等特點，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。
SiC與Si性能對比
簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
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SiC MOSFET
當人們思考電力電子應用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導體材料時，都會不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因為氮化鎵或碳化硅是電力電子應用中最先進的寬禁帶技術。市場研究公司Yole Développement在其報告中指出，電力電子應用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個更大的帶隙，可以進一步提高功率器件性能。
n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長至1.1億美元
由碳化硅電力設備市場驅動，n型碳化硅基
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GaN SiC
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作為符合IEEE 802.3標準的48V以太網供電 (PoE) 系統的開關，能夠通過以太網線纜向無線接入點、VoIP網絡電話、銷售點終端、呼叫系統、IP網絡監控鏡頭及樓房管理設備等終端應用供電。
在局域網路由器及中跨設備等供電設備內，100V N通道MOSFET把電源接到五類或六類網線。然后網線就會借由消除供終端設備內的電源降低成本，并提供電力和數據。該器件還保障了終端用戶，因為以太網
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Diodes MOSFET
集LED照明解決方案、化合物半導體材料、功率器件和射頻于一體的全球著名制造商和行業領先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半橋功率模塊 CAS300M17BM2。業界首款全碳化硅1.7kV功率模塊的誕生更加確立了CREE公司在碳化硅功率模塊技術領域的領導地位。該模塊不但能在高頻下工作還具有極低的功耗，非常適用于高功率電機驅動開關和并網逆變器等應用。目前世強已獲授權代理SiC系列產品。
圖：CAS300M17BM2模塊外觀圖
世強代理的CAS300M17BM2 碳化硅功率模塊采用行業標準
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CREE SiC
碳化硅(sic)mosfet介紹
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