采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC? MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技術的優勢為基礎，加快了系統設計的成本優化，實現高效率、緊湊設計和可靠性。第二代產品在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。產品型號：■ IMZC120R012M2H■ IMZC120R017M2H■ IMZC120R022M2H■ IMZC120R026M2H■&
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CoolSiC MOSFET
低壓功率MOSFET設計用于以排水源電壓運行，通常低于100 V，但具有與高壓設計相同的功能。它們非常適合需要高效效率和處理高電流的應用，即使電源電壓很低。關鍵功能包括以下內容： 低抗性（RDS（ON））以減少傳導過程中的功率損失，從而提高能源效率。當設備打開時，低壓MOSFET的排水源電阻特別低，從而地減少了功率損耗。這對于效率至關重要，因為低RD（ON）意味著在傳導過程中降低電阻損失高開關速度，用于快速切換操作；在DC-DC轉換器和高頻切換電路等應用中至關重要。由于其先進的結構和材料，低壓MOSFE
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低壓電源 MOSFET
DC總線電壓為400 V或更大的電氣系統，由單相或三相電網功率或儲能系統（ESS）提供動力，可以通過固態電路保護提高其可靠性和彈性。在設計高壓固態電池斷開連接開關時，需要考慮一些基本的設計決策。關鍵因素包括半導體技術，設備類型，熱包裝，設備堅固性以及在電路中斷期間管理電感能量。本文討論了選擇功率半導體技術的設計注意事項，并為高壓，高電流電池斷開開關定義了半導體包裝，以及表征系統寄生電感和過度流動保護限制的重要性。 寬帶半導體技術的優勢需要仔細考慮以選擇的半導體材料以實現具有的狀態阻力，的離狀態泄漏電流，
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SIC 電池斷開開關
2025年以來，碳化硅產業迎來關鍵發展節點，正式步入8英寸產能轉換的重要階段。在這一背景下，繼中國電科30臺套SiC外延設備順利發貨之后，碳化硅設備領域又傳動態：中導光電拿下SiC頭部客戶重復訂單。 近日，中導光電的納米級晶圓缺陷檢測設備NanoPro-150獲得國內又一SiC頭部客戶的重復訂單，該設備用于SiC前道工藝過程缺陷檢測。此外，1月初，該設備產品還成功贏得了國內半導體行業頭部企業的重復訂單。 中導光電表示，公司將在SiC晶圓納米級缺陷檢測領域投入更多的研發資源，通過高精度多
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碳化硅 半導體設備
在工業電子設備中，過壓保護是確保設備可靠運行的重要環節。本文將探討如何使用開關浪涌抑制器替代傳統的線性浪涌抑制器，以應對長時間的過壓情況。與傳統線性浪涌抑制器不同，開關浪涌抑制器能夠在持續浪涌的情況下保持負載正常運行，而傳統線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的
MOSFET 散熱超過其處理能力時切斷電流。可靠的工業電子設備通常配備保護電路，以防止電源線路出現過壓，從而保護電子設備免受損壞。過壓現象可能在電源線路負載快速變化時發生，線路中的寄生電感可能導致高電壓尖峰。這個問題可通過輸入保護電路來解決，比如圖
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過壓保護 開關浪涌 MOSFET
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布推出基于全新MOSFET晶圓制造工藝——REXFET-1而推出的100V大功率N溝道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，為電機控制、電池管理系統、電源管理及充電管理等應用提供理想的大電流開關性能。基于這一創新產品的終端設備將廣泛應用于電動汽車、電動自行車、充電站、電動工具、數據中心及不間斷電源（UPS）等多個領域。瑞薩開發的全新MOSFET晶圓制造工藝（REXFET-1）使新產品的導通電阻（MOSFET導通時漏極與源極之間的電阻）
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瑞薩 MOSFET
功率MOSFET的正向導通等效電路（1）：等效電路（2）：說明：功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻變小。詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。功率MOSFET的反向導通等效電路（1）（1）：等效電路（門極不加控制）（2）：說明：即內部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數情況下，因其特性很差，要避免使用。功率MOSFET的反向導通等效電路（2）（1）：等效電路（門極加
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功率器件 MOSFET 電路
得益于固態電路保護，直流母線電壓為400V或以上的電氣系統（由單相或三相電網電源或儲能系統（ESS）供電）可提升自身的可靠性和彈性。在設計高電壓固態電池斷開開關時，需要考慮幾項基本的設計決策。其中關鍵因素包括半導體技術、器件類型、熱封裝、器件耐用性以及電路中斷期間的感應能量管理。在本文中，我們將討論在選擇功率半導體技術和定義高電壓、高電流電池斷開開關的半導體封裝時的一些設計注意事項，以及表征系統的寄生電感和過流保護限值的重要性。寬帶隙半導體技術的優勢在選擇最佳半導體材料時，應考慮多項特性。目標是打造兼具最
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SiC 高電壓電池 斷開開關
英飛凌1992年開始碳化硅技術研發，是第一批研發碳化硅的半導體公司之一。2001年推出世界上第一個商用碳化硅二極管，此后生產線不斷升級，2018年收購德國Siltectra公司，2019年推出碳化硅CoolSiCTM MOSFET技術，2024年推出了集成.XT技術的XHPTM 2 CoolSiCTM半橋模塊。英飛凌持續32年深耕碳化硅功率器件，不斷突破不斷創新，持續引領碳化硅技術發展。近日，英飛凌在北京舉辦碳化硅媒體發布會，深入介紹了其在碳化硅功率器件產品及技術方面的進展及其在工業與基礎設施領域的應用和
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英飛凌 碳化硅 能源 工業設備
如今，數據中心迫切需要能夠高效轉換電能的功率半導體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉換效率意味著發熱量減少，從而降低散熱成本。電源系統需要更低的系統總成本和緊湊的尺寸；因此必須提高功率密度，尤其是數據中心的平均功率密度正在迅速攀升。從十年前的每個1U機架通常只有5 kW，增加到現在的20 kW、30 kW 或更高。圖1：數據中心供電：從電網到GPU電源供應器(PSU)還必須滿足數據中心行業的特定需求。人工智能數據中心的PSU應滿足嚴格的Open Rack V3 (ORV3) 基本規范，要求30%到100
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安森美 MOSFET 數據中心
2024年，全球極端天氣頻發，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風、干旱等災害比往年更加嚴重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉型，提升發展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經濟社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導體尤其是碳化硅作為關鍵支撐，如何破局飛速發展的市場與價格戰的矛盾，除了當下熱門的新能源汽車應用，如何在工業儲能等其他應用市場多點開花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發布會上，英飛凌科技工業與基礎設施業務大中華區高管團隊從業務策略、商業模式到產品優勢等多個維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領域30年的深耕積累和
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碳化硅 零碳技術 英飛凌
2024年，全球極端天氣頻發，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風、干旱等災害比往年更加嚴重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉型，提升發展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經濟社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導體尤其是碳化硅作為關鍵支撐，如何破局飛速發展的市場與價格戰的矛盾，除了當下熱門的新能源汽車應用，如何在工業儲能等其他應用市場多點開花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發布會上，英飛凌科技工業與基礎設施業務大中華區高管團隊從業務策略、商業模式到產品優勢等多個維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領域30年的深耕積累和
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英飛凌 碳化硅
12月18日消息，格力電器董事長董明珠日前在《珍知酌見》欄目中表示，格力芯片成功了。據董明珠介紹，格力在芯片領域從自主研發、自主設計、自主制造到整個全產業鏈已經完成。據報道，格力芯片工廠是一座投資近百億元建設的碳化硅芯片工廠。該項目于2022年12月開始打樁建設，2023年4月開始鋼結構吊裝，當年10月設備移入，12個月實現通線。項目規劃占地面積600畝，包含芯片工廠、封測工廠以及配套的半導體檢測中心和超級能源站。值得一提的是，該項目關鍵核心工藝國產化設備導入率超過70%，據稱是全球第二組、亞洲第一座全自
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格力 碳化硅 芯片工廠
/ 編輯推薦 /氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導體，相比于傳統的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參數小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數，極快開關速度使其特別適合高頻應用。碳化硅MOSFET的易驅動，高可靠等特性使其適合于高性能開關電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET產品，對他們的結構、特性、兩者的應用差異等方面進行了詳細的介紹。引 言作為第三代功率半導體的絕代雙驕，氮化鎵晶體
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英飛凌 GaN SiC 電氣工程師
據媒體報道，美國商務部13日宣布，已與德國汽車零部件供應商博世達成初步協議，向其提供至多2.25億美元補貼，用于在加州生產碳化硅（SiC）功率半導體。據悉，這筆資金將支持博世計劃的19億美元投資，改造其位于加州羅斯維爾的工廠，以生產碳化硅功率半導體。此外，美國商務部還將為博世提供約3.5億美元政府貸款。博世計劃于 2026 年開始生產 SiC 芯片，據估計，該項目一旦全面投入運營，可能占美國SiC制造產能的40%以上。
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博世 碳化硅 功率器件
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