碳化硅(sic)mosfet 文章最新資訊

速看！SiC JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)白皮書(shū)完整版

隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來(lái)越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！http://cqxgywz.com/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來(lái)了！http://cqxgywz.com/article/202503/467644.htm)中我們重點(diǎn)介紹了SiC JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)，本文將介紹演示和測(cè)試結(jié)果。演
關(guān)鍵字： SiC JFET 并聯(lián)設(shè)計(jì)

三安與意法半導(dǎo)體重慶8英寸碳化硅晶圓合資廠正式通線

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST) ，和中國(guó)化合物半導(dǎo)體龍頭企業(yè)（涵蓋LED、碳化硅、光通信、RF、濾波器和氮化鎵等產(chǎn)品）三安光電近日宣布，雙方在重慶設(shè)立的8英寸碳化硅晶圓合資制造廠（即“安意法半導(dǎo)體有限公司”，以下簡(jiǎn)稱(chēng)安意法）現(xiàn)已正式通線。這一里程碑標(biāo)志著意法半導(dǎo)體和三安正朝著于2025年年底前實(shí)現(xiàn)在中國(guó)本地生產(chǎn)8英寸碳化硅這一目標(biāo)穩(wěn)步邁進(jìn)，屆時(shí)將更好地滿(mǎn)足中國(guó)新能源汽車(chē)、工業(yè)電源及能源等市場(chǎng)對(duì)碳化硅日益增長(zhǎng)的需求。三安光電和意法
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碳化硅與硅：為什么 SiC 是電力電子的未來(lái)

在這里，我們比較了碳化硅（SiC）與硅以及在汽車(chē)和可再生能源等行業(yè)的電力電子中的應(yīng)用。我們將探討硅和碳化硅之間的顯著差異，并了解 SiC 為何以及如何塑造電力電子的未來(lái)。硅（Si）到碳化硅（SiC）：改變電力電子的未來(lái)電力電子技術(shù)在過(guò)去幾年中取得了前所未有的進(jìn)步。硅（Si）等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料一直主導(dǎo)著電力電子和可再生能源行業(yè)。然而，碳化硅（SiC）的出現(xiàn)徹底改變了這一領(lǐng)域，為卓越的性能和效率鋪平了道路。無(wú)與倫比的效率、熱性能和高壓能力使碳化硅成為用于電子和半導(dǎo)體器件的下一代半導(dǎo)體材料。硅與
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800V與碳化硅成為新能源汽車(chē)電驅(qū)的新寵，器件性能與可靠性還有上升空間

1 我國(guó)能源汽車(chē)已突破1000萬(wàn)輛，今年將增長(zhǎng)24%據(jù)賽迪顧問(wèn) 2024 年 12 月發(fā)布的數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)顯示，我國(guó)新能源汽車(chē)的新車(chē)全球市占率有望穩(wěn)居七成以上，我國(guó)從汽車(chē)大國(guó)邁向汽車(chē)強(qiáng)國(guó)的步伐更加堅(jiān)實(shí)。據(jù)中國(guó)汽車(chē)工業(yè)協(xié)會(huì)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2024年我國(guó)汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)分別完成3128.2萬(wàn)輛和3143.6萬(wàn)輛，同比分別增長(zhǎng)3.7％和4.5％，繼續(xù)保持在3000萬(wàn)輛以上規(guī)模，產(chǎn)銷(xiāo)總量連續(xù)16年穩(wěn)居全球第一。其中，新能源汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)首次突破1000萬(wàn)輛，分別達(dá)到1288.8萬(wàn)輛和1286.6萬(wàn)輛，同比分別增長(zhǎng)34.4％和35.5
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格力：SiC工廠整套環(huán)境設(shè)備均為自主制造

自央視頻官方獲悉，格力電器董事長(zhǎng)董明珠在紀(jì)錄片中，再次回應(yīng)外界對(duì)格力造芯片質(zhì)疑，并談到了格力建設(shè)的芯片工廠，直言“是大家把芯片看得太神秘”。董明珠表示，造芯片不是格力電器孤勇地冒險(xiǎn)，是作為中國(guó)制造企業(yè)的責(zé)任與擔(dān)當(dāng)。格力做了亞洲第一座全自動(dòng)化的碳化硅工廠，整個(gè)芯片的制造過(guò)程是自己完成的。而在芯片工廠制造的過(guò)程中，格力解決了一個(gè)最大的問(wèn)題。“傳統(tǒng)的芯片工廠用的環(huán)境設(shè)備都是進(jìn)口的，比如恒溫狀態(tài)，而這正好是格力強(qiáng)項(xiàng)。所以我們自主制造了整套系統(tǒng)的環(huán)境設(shè)備，要比傳統(tǒng)的降溫模式更節(jié)能，而這可以降低企業(yè)的成本。”董明珠也
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從硅到碳化硅過(guò)渡，碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者？

電力電子器件高度依賴(lài)于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)（圖1），這使其在電動(dòng)汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。圖1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術(shù)？眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術(shù)替代傳統(tǒng)硅技術(shù)，基于雙極結(jié)型晶體管（B
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第 4 代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應(yīng)用的性能和耐久性

簡(jiǎn)介本白皮書(shū)重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專(zhuān)為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。基于在碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新定義行業(yè)基準(zhǔn)。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項(xiàng)重要設(shè)計(jì)要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗(yàn)證，為硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用的全面性能設(shè)定了基準(zhǔn)。市場(chǎng)上的某些廠商只關(guān)注特定品質(zhì)因數(shù)?(FOM)，如導(dǎo)通損耗、室溫下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 則采用了一
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英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢(shì)并進(jìn)一步推動(dòng)系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車(chē)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。這兩個(gè)產(chǎn)品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC? Generation 2（G2）?技術(shù)，其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專(zhuān)門(mén)用于中高功率開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）開(kāi)發(fā)，包括AI服務(wù)器、可再生能源、充電樁、電動(dòng)交通工
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開(kāi)關(guān)性能大幅提升！M3S 與M2 SiC MOSFET直觀對(duì)比

安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術(shù)已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗均較低，提供 650 V 和 1200 V 兩種電壓等級(jí)選項(xiàng)。本白皮書(shū)側(cè)重于探討專(zhuān)為低電池電壓領(lǐng)域的高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的先進(jìn) onsemi M3S 650 V SiC MOSFET 技術(shù)。通過(guò)各種特性測(cè)試和仿真，評(píng)估了 MOSFET 相對(duì)于同等競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品的性能。第一篇介紹SiC MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)、M3S 技術(shù)和產(chǎn)品組合（三代進(jìn)化，安森美 EliteSiC MOSFET 技術(shù)發(fā)展解析
關(guān)鍵字：電源轉(zhuǎn)換電動(dòng)汽車(chē) MOSFET

英飛凌達(dá)成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：開(kāi)始交付首批產(chǎn)品

●? ?英飛凌開(kāi)始向客戶(hù)提供首批采用先進(jìn)的200 mm碳化硅（SiC）晶圓制造技術(shù)的SiC產(chǎn)品●? ?這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn)，為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供一流的SiC功率技術(shù)●? ?200 mm SiC的生產(chǎn)將鞏固英飛凌在所有功率半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)英飛凌200mm SiC晶圓英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進(jìn)展。公司將于2025年第一季度向客戶(hù)提供首批基于先進(jìn)的200 mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲
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三代進(jìn)化，安森美 EliteSiC MOSFET 技術(shù)發(fā)展解析

SiC 器件性能表現(xiàn)突出，能實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)，有效應(yīng)對(duì)關(guān)鍵環(huán)境和能源成本挑戰(zhàn)，也因此越來(lái)越受到電力電子領(lǐng)域的青睞。與硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比，SiC 器件的運(yùn)行頻率更高，有助于實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)、減少散熱、提高能效，并減輕電源轉(zhuǎn)換器的重量。其獨(dú)特的材料特性可以減少開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗。與 Si MOSFET 相比，SiC 器件的電介質(zhì)擊穿強(qiáng)度更高、能量帶隙更寬且熱導(dǎo)率更優(yōu)，有利于開(kāi)發(fā)更緊湊、更高效的電源轉(zhuǎn)換器。安森美 (onsemi)的 1200V?分立器件和模塊中的 M3S
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深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在SiC襯底激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

據(jù)深圳平湖實(shí)驗(yàn)室官微消息，為降低材料損耗，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室新技術(shù)研究部開(kāi)發(fā)激光剝離工藝來(lái)替代傳統(tǒng)的多線切割工藝，其工藝過(guò)程示意圖如下所示：激光剝離工藝與多線切割工對(duì)照：有益效果：使用激光剝離工藝，得到6/8 inch SiC襯底500μm和350μm產(chǎn)品單片材料損耗≤120 μm，出片率提升40%，單片成本降低約22%。激光剝離技術(shù)在提高生產(chǎn)效率、降低成本方面具有顯著效果，該工藝的推廣，對(duì)于快速促進(jìn)8 inch SiC襯底產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程有著重要意義。不僅為SiC襯底產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了輕資產(chǎn)、高效益的新模式，也為其他硬質(zhì)
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第4代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應(yīng)用的性能和耐久性

簡(jiǎn)介本白皮書(shū)重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專(zhuān)為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。基于在碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新定義行業(yè)基準(zhǔn)。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項(xiàng)重要設(shè)計(jì)要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗(yàn)證，為硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用的全面性能設(shè)定了基準(zhǔn)。市場(chǎng)上的某些廠商只關(guān)注特定品質(zhì)因數(shù) (FOM)，如導(dǎo)通損耗、室溫下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 則采用了一種更為廣泛
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英飛凌達(dá)成200mm碳化硅（SiC）新里程碑：開(kāi)始交付首批產(chǎn)品

英飛凌在200mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進(jìn)展。公司將于2025年第一季度向客戶(hù)提供首批基于先進(jìn)的200mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地制造，將為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供先進(jìn)的SiC功率技術(shù)，包括可再生能源系統(tǒng)、鐵路運(yùn)輸和電動(dòng)汽車(chē)等。此外，英飛凌位于馬來(lái)西亞居林的生產(chǎn)基地正在從150mm晶圓向直徑更大、更高效的200mm晶圓過(guò)渡。新建的第三廠區(qū)將根據(jù)市場(chǎng)需求開(kāi)始大批量生產(chǎn)。英飛凌200mm SiC晶圓Rutger Wijburg博士—英飛凌科技首席運(yùn)營(yíng)官我們正在按計(jì)劃實(shí)施SiC產(chǎn)品
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詳談碳化硅蝕刻工藝——干法蝕刻

碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中起到了關(guān)鍵作用，現(xiàn)分述如下:干法蝕刻概述碳化硅反應(yīng)離子蝕刻碳化硅反應(yīng)離子蝕刻案例ICP的應(yīng)用與優(yōu)化1、干法蝕刻概述干法蝕刻的重要性精確控制線寬：當(dāng)器件尺寸進(jìn)入亞微米級(jí)（<1μm）時(shí)，等離子體蝕刻因其相對(duì)各向異性的特性，能夠精確地控制線寬，成為SiC蝕刻的首選方法。化學(xué)穩(wěn)定性挑戰(zhàn)：SiC的化學(xué)穩(wěn)定性極高（Si-C鍵合強(qiáng)度大），使得濕法蝕刻變得困難。濕法
關(guān)鍵字：碳化硅蝕刻工藝干法蝕刻