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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊

將電流傳感器集成到EV用SiC功率模塊中

  • 功率半導體研究實驗室 Silicon Austria Labs （SAL） 完成了將電流傳感器集成到電源模塊中的概念驗證，該模塊旨在用于電動汽車牽引逆變器和 DC-DC 轉換器。該實驗室表示，這項技術可以提高效率，同時減小牽引逆變器和其他基于下一代碳化硅 （SiC） 功率器件的超大電流電力電子設備的尺寸和重量。新功率模塊的核心是由 Asahi Kasei Microdevices 設計的非接觸式、無磁芯電流傳感器。新芯片取代了當今許多電動汽車中部署的基于磁芯的電流傳
  • 關鍵字： 電流傳感器  EV  SiC  功率模塊  

東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。四款器件于今日開始支持批量出貨。四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體
  • 關鍵字： 東芝  DFN8×8  650V  SiC MOSFET  

東芝在SiC專利申請中挑戰泰科天潤

  • 中國功率芯片開發商泰克天潤（Global Power Technology） 在碳化硅 （SiC） 功率技術專利申請排名中面臨東芝的挑戰。法國分析機構 KnowMade 的最新數據顯示，2025 年第一季度全球申請了 840 多個新專利族。本季度的專利申請活動以東芝在 SiC 功率器件專利領域的加速發展為標志，以匹配 Global Power Technology的專利數量。這家中國公司在過去四個季度一直是排名靠前的專利申請人，幾乎完全專注于 SiC MOSFET 結構的設計。第一季度授予了 420 多個
  • 關鍵字： 東芝  SiC  專利申請  泰科天潤  

工程師必看！從驅動到熱管理：MOSFET選型與應用實戰手冊

  • MOSFET因其獨特的性能優勢，已成為模擬電路與數字電路中不可或缺的元件，廣泛應用于消費電子、工業設備、智能手機及便攜式數碼產品中。其核心優勢體現在三個方面：驅動電路設計簡化，所需驅動電流遠低于BJT，可直接由CMOS或集電極開路TTL電路驅動；開關速度優異，無電荷存儲效應，支持高速工作；熱穩定性強，無二次擊穿風險，高溫環境下性能表現更穩定。這些特性使MOSFET在需要高可靠性、高效率的場景中表現尤為突出。近年來，隨著汽車、通信、能源、消費、綠色工業等大量應用MOSFET產品的行業在近幾年來得到了快速的發
  • 關鍵字： MOSFET  

CHIPS 法案、電動汽車關稅加劇了Wolfspeed的現金危機

  • 在特朗普政府縮減美國《芯片法案》并提升汽車關稅后，Wolfspeed（歐勝）的新任首席執行官需要面臨更為嚴峻的現金危機。作為車用碳化硅行業的領導廠商，Wolfspeed近年來投入數十億美元在美國建立SiC制造能力，可惜備受汽車經濟低迷和關稅前景的打擊陷入持續虧損中，現在公司轉向提供AI數據中心電源以促進增長，不過該公司正在尋求第11章法規的債權保護。“作為我們貸方談判的一部分，我們可能會選擇在法庭內或庭外尋求選擇，”兩周前接任首席執行官的羅伯特·費爾 （Robert Feurle） 說。據報道，資產管理公
  • 關鍵字： CHIPS  Wolfspeed  SiC  

SiC開始加速批量上車

  • 在新能源汽車技術的演進歷程中，碳化硅（SiC）技術已成為推動行業發展的關鍵力量。作為第三代半導體的代表材料，SiC 憑借其卓越的性能優勢，已深度融入新能源汽車的核心系統，開啟了新能源汽車性能提升與技術創新的新篇章。從高端豪華車型到大眾普及款，從純電動到混合動力，SiC 技術的應用范圍不斷拓展，正以前所未有的速度實現批量上車，重塑新能源汽車的技術格局與市場競爭態勢。碳化硅實現多價格區間車型覆蓋SiC 技術已成為車企在新能源汽車賽道上差異化競爭的核心要素，如今已廣泛覆蓋 10 萬至 150 萬元價格區間的車型
  • 關鍵字： SiC  

SiC襯底市場 去年營收減9%

  • TrendForce最新研究，2024年汽車、工業需求走弱，SiC基板出貨量成長放緩，與此同時，市場競爭加劇，產品價格大幅下跌，導致2024年全球N-type（導電型）SiC基板產業營收年減9%，為10.4億美元。進入2025年，即便SiC基板市場持續面臨需求疲軟、供給過剩的雙重壓力，然而，長期成長趨勢依舊不變，隨著成本逐漸下降、半導體元件技術不斷提升，未來SiC應用將更為廣泛，特別是在工業領域的多樣化。 同時，市場競爭激烈的環境下，加速企業整合，重新塑造產業發展格局。TrendForce分析各供應商營收
  • 關鍵字： SiC  襯底  TrendForce  

內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊被SMA的太陽能系統采用

  • 全球先進的太陽能發電及儲能系統技術的專業企業SMA Solar Technology AG（以下簡稱“SMA”）在其太陽能系統新產品“Sunny Central FLEX”中采用了內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊。“Sunny Central FLEX”是為大規模太陽能發電設施、儲能系統以及下一代技術設計的模塊化平臺，旨在進一步提高電網的效率和穩定性。羅姆半導體歐洲總裁Wolfram Harnack表示：“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實
  • 關鍵字： 羅姆  ROHM  SiC MOSFET  功率模塊  太陽能  

英飛凌重返SiC JFET，實現更智能、更快速的固態配電

  • Infineon Technologies 開發了用于固態保護和配電設計的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產品。JFET 通過反向偏置 PN 結上的電場來控制電導率，而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss） 和 2.3 mΩ （1200 V BDss） 的超低 R DS（ON），可顯著降低導通損耗。大體通道優化的 SiC JFET 在短路
  • 關鍵字： 英飛凌  SiC  JFET  固態配電  

利用 SMFA 系列非對稱 TVS 二極管實現高效 SiC MOSFET 柵極保護

  • 引言碳化硅（ SiC）MOSFET在電源和電力電子領域的應用越來越廣泛。隨著功率半導體領域的發展，開關損耗也在不斷降低。隨著開關速度的不斷提高，設計人員應更加關注MOSFET的柵極驅動電路，確保對MOSFET的安全控制，防止寄生導通，避免損壞功率半導體。必須保護敏感的MOSFET柵極結構免受過高電壓的影響。Littelfuse提供高效的保護解決方案，有助于最大限度地延長電源的使用壽命、可靠性和魯棒性。 柵極驅動器設計措施關于SiC-MOSFET驅動器電路的穩健性，有幾個問題值得考慮。除了驅動器安全切換半導
  • 關鍵字： 碳化硅  MOSFET  電源  功率半導體  

電源管理小技巧：功率 MOSFET 特性

  • 以Vishay SiE848DF的數據手冊圖作為參考示例，這是一款采用 PolarPAK? 封裝的 N 溝道 30 V 溝槽功率 MOSFET。MOSFET 的封裝限制為 60A 和 25°C。阻斷電壓是多少？阻斷電壓 BVDSS 是可以施加到 MOSFET 的最大電壓。當驅動感性負載時，這包括施加的電壓加上任何感性感應電壓。對于感性負載，MOSFET 兩端的電壓實際上可以是施加電壓的兩倍。MOSFET 的雪崩特性是什么？這決定了 MOSFET 在雪崩條件下可以承受多少能量。如果超過最大漏源電壓并且電流沖
  • 關鍵字： 電源管理  MOSFET  功率MOSFET  

新型SiC模塊，可將安裝面積減少一半

  • ROHM宣稱其新型SiC模塊已「達到業界頂級水平」，這使得安裝面積顯著減少。
  • 關鍵字： SiC  功率器件  ROHM  

格力家用空調搭載SiC芯片突破100萬臺

  • 4月22日下午，格力電器召開2025年第一次臨時股東大會，相比過往歷次股東大會都被安排在格力地產總部辦公樓，本次股東大會首次被安排在格力電器珠海碳化硅芯片工廠舉行。據悉，該工廠自2024年投產以來，其碳化硅功率芯片在家用空調中的裝機量已經突破100萬臺。SiC材料具有高耐壓、高頻率、高效率等優勢，能夠顯著提升空調的能效。搭載SiC芯片后，空調的電能轉換效率得到優化，制冷制熱效果增強，實現能耗降低，同時可以提升產品性能、降低能耗，增強格力空調的市場競爭力。格力該工廠是全球第二座、亞洲首座全自動化6英寸碳化硅
  • 關鍵字： 格力  家用空調  SiC  

碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術可靠性真相

  • 全社會都在積極推動低碳化轉型，而低碳化的背后其實是電氣化。在 新型電氣能源架構 中，相比于從前，一次能源到終端用戶的 能源轉換次數增多 。雖然可再生能源是免費的，但是這種多層級的能源轉換，每一步都會帶來一定的能耗損失，因此 追求更高效的能源轉化效率至關重要 。SiC正是功率半導體的 能效提升技術 ，它的出現滿足了低碳化時代兩大全新的市場需求：1能效創新： SiC技術在光伏、儲能、數據中心等大功率電源管理領域，能夠顯著
  • 關鍵字： 英飛凌  碳化硅  溝槽柵技  

清純半導體和微碧半導體推出第3代SiC MOSFET產品

  • 近日，清純半導體和VBsemi（微碧半導體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產品平臺，標志著功率半導體技術在快充效率、高功率密度應用等領域取得了重大突破。01清純半導體推出第3代SiC MOSFET產品平臺4月21日，清純半導體官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術平臺，該平臺首款主驅芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導通電阻低至8mΩ，比導通電阻系數Rsp達到2.1 mΩ·cm2，處于國際領先水平。source：清純半導體（圖為清純半導體1、2、3代產品比電阻Rs
  • 關鍵字： 清純半導體  微碧半導體  第3代  SiC MOSFET  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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