安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。SiC Combo JFET 技術概覽對于需要常關器件的應用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯使用，以創建共源共柵（cascode）結構。在這種設置中，SiC JFET負責處理
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安森美 SiC Combo JFET
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。SiC Combo JFET技術概覽對于需要常關器件的應用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯使用，以創建共源共柵（cascode）結構。在這種設置中，SiC JFET負責處理高
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SiC Combo JFET 安森美
之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiC? MOSFET G2的產品特點及導通特性 （參考閱讀： CoolSiC? MOSFET Gen2性能綜述 ， CoolSiC? MOSFET G2導通特性解析 ） ，今天我們分析一下在軟開關和硬開關兩種場景下，如何進行CoolSiC? MOSFET G2的選型。G2在硬開關拓撲中的應用除了R DS(on) ，開關損耗在SiC MOSFET的選型中也扮演著非常重要的角色。因為SiC往往工
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英飛凌 MOSFET
近日，深圳基本半導體股份有限公司（簡稱“基本半導體”）宣布完成D輪融資，融資金額達1.5億元人民幣。本輪融資由中山火炬開發區科創產業母基金與中山金控聯合投資，資金將主要用于碳化硅功率器件的技術研發、產能擴張以及市場拓展?；景雽w成立于2016年，是一家專注于碳化硅功率器件研發與制造的高新技術企業。其核心產品包括1200V/20A JBS碳化硅二極管、1200V平面柵碳化硅器件以及10kV/2A SiC PiN二極管等。這些產品以低損耗、高頻率等優勢，廣泛應用于電動汽車、軌道交通、光伏逆變器和航空航天等領
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基本半導體 碳化硅
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中?！癰Z5”作為豐田與比亞迪豐田電動車科技有限公司（以下簡稱“BTET”）、一汽豐田汽車有限公司（以下簡稱“一汽豐田”）聯合開發的跨界純電動汽車，由一汽豐田于2025年6月正式發售。此次采用的功率模塊由羅姆與正海集團的合資企業——上海海姆?？?/li>
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羅姆 SiC MOSFET 豐田 純電車型
在10kW-50kW中高功率應用領域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現并存趨勢。分立方案憑借更高設計自由度和靈活并聯擴容能力突圍——當單管功率不足時，只需并聯一顆MOSFET即可實現功率躍升，為工業電源、新能源系統提供模塊之外的革新選擇。然而，功率并非是選用并聯MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并聯還可以降低開關能耗，改善導熱性能。考慮到熱效應對導通損耗的影響，并聯功率開關管是降低損耗、改善散熱性能和提高輸出功率的有效辦法。然而，并非所有器件都適合并聯， 因為參數差異會影響均流特性。本文
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意法半導體 SiC MOSFET
就在去年，「搶占 SiC，誰是電動汽車市場的贏家？」「第三代半導體，來勢洶洶」「碳化硅:滲透新能源車半壁江山 第三代半導體百億級市場拉開帷幕」……這樣的形容是 SiC 的專屬標簽，市場利好，一片光明。好景沒有一直延續下去?！赶⒎Q 2025 年中國 SiC 芯片價格將下降高達 30%」「SiC 價格跳水, 開啟下半場戰役」……新能源車爆火，那 SiC 怎么了？核心矛盾：需求增長 VS 產能狂飆根據預測 2025 年全球 SiC 襯底產能預計達 400 萬片，需求預測僅 250 萬片。從需求側來看
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SiC
據路透社援引彭博社報道，在關于即將破產的傳聞出現近一個月后，Wolfspeed 現在正面臨一次重大動蕩。由 Apollo 全球管理公司領導的債權人正準備根據破產計劃接管公司。報道稱，這家陷入困境的碳化硅巨頭預計將在幾天內公布一項預包裝破產計劃——旨在迅速削減數十億美元的債務。在鎖定重組協議后，Wolfspeed 將要求債權人就計劃進行投票，然后正式申請第 11 章保護，報道補充道。由意法半導體領導的對頭將受益根據 TrendForce 的觀察，由于破產程序的不確定性，Wolfspeed 的 Si
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碳化硅 意法半導體 功率器件
在功率半導體領域，碳化硅（SiC）MOSFET因其低功耗、高臨界電場強度和優異的熱導率，被廣泛應用于新能源汽車、智能電網和軌道交通等高壓高頻場景。然而，如何在確保擊穿電壓（BV）的同時優化導通電阻（Ron），一直是行業亟待解決的難題。近日，復旦大學研究團隊在這一領域取得重要突破。據復旦大學研究團隊透露，他們基于電荷平衡理論，通過對離子注入工藝的深度優化，成功設計并制備出正交結構和平行結構兩種布局的1.7kV 4H-SiC電荷平衡輔助SiC MOSFET器件。實驗數據顯示，這兩種新型器件在維持約2.0kV擊
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復旦大學 SiC MOSFET器件
安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢，本文將重點介紹Cascode結構。Cascode簡介碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術具有一些顯著的優勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱為RDS.A）。為了實現最低的RDS.A，需要權衡的一點是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵極處于懸空狀態，那么JFET將完全導通。然而，開關模式在應用中通常需要常關狀態。因此，將SiC JFET與低電壓硅M
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SiC 共源共柵 cascode 安森美
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。功率半導體的損耗對系統整體效率有重大影響，因此在設計階段的仿真驗證中，模型的精度至關重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復現性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運算時間較長等問題，亟待改進。新模型“ROHM Level 3（L3）”通過采用簡化的模型
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ROHM SPICE模型 ROHM Level 3 SiC MOSFET模型
安森美推出了具有卓越 R DS（on） *A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。本文為第一部分，將介紹SiC Combo JFET 技術概覽、產品介紹等。SiC Combo JFET 技術概覽對于需要常關器件的應用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開
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安森美 SiC Combo JFET
根據 MoneyDJ 援引日經新聞的一份報告，電動汽車 （EV） 市場增長放緩，加上中國制造商增產導致供應過剩，導致價格下跌，據報道，這促使日本半導體巨頭瑞薩電子放棄了生產電動汽車碳化硅功率半導體的計劃。日經新聞指出，瑞薩電子最初計劃于 2025 年初在其位于群馬縣的高崎工廠開始生產用于電動汽車的 SiC 功率芯片。然而，該公司此后解散了高崎工廠的 SiC 團隊。日經新聞補充說，預計與中國競爭對手的價格競爭將在中長期內加劇，這使得瑞薩電子作為后來者很難從 SiC 芯片生產中快速獲利。根
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價格戰 Wolfspeed 瑞薩電子 SiC
據當地媒體《一財全球》和IT之家報道，據報道，美國碳化硅 （SiC） 巨頭 Wolfspeed 在與快速崛起的中國競爭對手的激烈競爭中徘徊在破產邊緣，中國最大的碳化硅晶圓廠已在武漢正式投產，旨在供應該國國內產量的 30%。YiCai 報告稱，一個 SiC 晶圓模型的車載測試最快將于下個月開始，而另外近 10 個模型已經在驗證中。不久之后將進行大規模生產和交付。IT Home 表示，該工廠的一期重點是功率器件，計劃年產 360,000 片 6 英寸 SiC 晶圓。另一方面，益財國際補充說，這足以支持超過 1
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碳化硅 Wolfspeed
據日本媒體《日刊工業新聞》報道，據報道，總部位于美國的碳化硅晶圓生產商 Wolfspeed 正在申請第 11 章破產保護。報告指出，這一發展促使日本公司（包括與 Wolfspeed 簽訂了 10 年供應協議的瑞薩電子以及 Rohm）重新評估其戰略計劃。正如日刊工業新聞所說，瑞薩電子可能會受到影響，因為其與 Wolfspeed 于 2023 年簽署了 20 億美元的預付款 10 年碳化硅晶圓供應協議。報告指出，如果 Wolfspeed 根據美國破產法第 11 章申請破產保護，瑞薩電子可能
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Wolfspeed 破產 瑞薩電子 SiC
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