碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊
SiC MOSFET 界面陷阱檢測升級：Force-I QSCV 方法詳解
- 電容-電壓 (C-V) 測量廣泛用于半導體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關鍵參數(shù)。傳統(tǒng)基于 SMU 施加電壓并測量電流的準靜態(tài)方法適用于硅 MOS，但在?SiC MOS 器件上因電容更大易導致結果不穩(wěn)定。為解決這一問題，Keithley 4200A-SCS 引入?Force-I QSCV 技術，通過施加電流并測量電壓與時間來推導電容，獲得更穩(wěn)定可靠的數(shù)據(jù)。Force-I QSCV 技術在 SiC 功率 MOS 器件上體現(xiàn)出多項優(yōu)勢。比如僅需 1 臺帶前
- 關鍵字： 202509 SiC MOSFET 界面陷阱檢測 QSCV 泰克
英飛凌推出采用Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2
- 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2。這款新型半導體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度，專為應對工業(yè)應用的高性能和高可靠性要求而設計，例如電動汽車充電機、光伏逆變器、不間斷電源、電機驅(qū)動和固態(tài)斷路器等。采用Q-DPAK封裝的CoolSiC??MOSFET 1200V G2這款CoolSiC 1200 V G2所采用的技術相較于上一代產(chǎn)品有顯著的提升，可在導通電阻（
- 關鍵字： 英飛凌 CoolSiC MOSFET 1200V
iDEAL與電力系統(tǒng)專家Richardson Electronics, Ltd.簽署SuperQ MOSFET技術合作伙伴協(xié)議
- 繼推出首批基于 SuperQ 的芯片之后，此舉標志著自 25 多年前超級結技術以來，硅 MOSFET 架構的首次重大進步。賓夕法尼亞州里海谷，2025 年 7 月 31 日 – iDEAL Semiconductor 是一家專注于實現(xiàn)突破性效率的無晶圓廠功率半導體公司，該公司宣布將與電力和射頻專家 Richardson Electronics 合作。根據(jù)該協(xié)議，iDEAL 將獲得 Richardson Electronics 的設計團隊和銷售專家的支持，以擴展其基于公司新型專利、最先進 SuperQ 技術
- 關鍵字： iDEAL Richardson SuperQ MOSFET
第三代半導體洗牌GaN躍居主角
- 拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新報告指出，第三代半導體產(chǎn)業(yè)競爭日益激烈，氮化鎵（GaN）功率元件憑借其高頻、高功率特性，在5G/6G基地臺、航空航天、AI運算等應用領域快速崛起。拓墣預估，2025年全球GaN功率半導體市場規(guī)模將達7.5億美元，年增率高達62.7%，至2030年將擴大至43.8億美元，年復合成長率（CAGR）達42.3%。GaN組件具備優(yōu)異電性能與高可靠性，除了主流通訊以及工業(yè)應用外，也加速滲透至智慧城市、無線充電與醫(yī)療設備等新興場景。隨中國大陸等地積極推動產(chǎn)業(yè)自主，全球GaN供應鏈本土化進程加速，各國
- 關鍵字： 第三代半導體 GaN 拓墣產(chǎn)業(yè)研究院 SiC
固態(tài)隔離器如何與MOSFET或IGBT結合以優(yōu)化SSR？
- 固態(tài)繼電器 （SSR） 是各種控制和電源開關應用中的關鍵組件，涵蓋白色家電、供暖、通風和空調(diào) （HVAC） 設備、工業(yè)過程控制、航空航天和醫(yī)療系統(tǒng)。固態(tài)隔離器利用無芯變壓器技術在 SSR 的高壓側和低壓側之間提供隔離。基于 CT 的固態(tài)隔離器 （SSI） 包括發(fā)射器、模塊化部分和接收器或解調(diào)器部分。每個部分包含一個線圈，兩個線圈由二氧化硅 （SiO2） 介電隔離柵隔開（圖 1）。磁耦合用于在兩個線圈之間傳輸信號。該技術與標準CMOS處理兼容，可用于分立隔離器或集成柵極驅(qū)動器IC。圖 1.分立 SSI 中使
- 關鍵字： 固態(tài)隔離器 MOSFET IGBT 優(yōu)化SSR
Microchip與臺達電子簽署碳化硅解決方案合作協(xié)議，共創(chuàng)電源管理未來
- 隨著人工智能（AI）快速發(fā)展與萬物電氣化進程加速，市場對更高的電源效率與可靠性的需求持續(xù)增長。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日宣布與全球電源管理與智能綠色解決方案領導者臺達電子工業(yè)股份有限公司（Delta Electronics, Inc.）（以下簡稱“臺達電子”）簽署全新合作協(xié)議。雙方將攜手在臺達設計中應用Microchip的mSiC?產(chǎn)品與技術，通過雙方合作加速創(chuàng)新型碳化硅（SiC）解決方案、節(jié)能產(chǎn)品及系統(tǒng)的開發(fā)，助力構建更可持續(xù)的未來。Microchip負責高功
- 關鍵字： Microchip 臺達 碳化硅 SiC 電源管理
iDEAL的SuperQ技術正式量產(chǎn)，推出150V與200V MOSFET
- iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術現(xiàn)已全面量產(chǎn)，首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時，一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進入送樣階段。SuperQ是過去25年來硅基MOSFET設計領域的首次重大突破，在硅功率器件中實現(xiàn)了前所未有的性能與效率提升。該架構突破了硅材料在導通與開關方面的物理瓶頸，將n型導電區(qū)域擴大至高達95%，并將開關損耗較競爭產(chǎn)品降低高達2.1倍。該結構不僅改善了器件的電阻與功率損耗，同時保留了硅材料的諸多優(yōu)勢，包括高強度、量產(chǎn)能力強以及在175°C結溫下的可靠性
- 關鍵字： iDEAL MOSFET SuperQ
選型必看！MOSFET四大非理想?yún)?shù)詳解
- 幾乎所有的書籍資料，在講解MOSFET的時候，都喜歡先從微觀結構去分析MOSFET基于半導體特性的各種結構，然后闡述這些結構導致其參數(shù)的成因。但是這種方式對于物理基礎較弱的應用型硬件工程師是非常不友好的，導致大家看了大量的表述沒有理解，沒有汲取到營養(yǎng)。各種三維、二維的圖形，各式各樣，也不統(tǒng)一。本章節(jié)，我們從應用的角度，來看我們選擇一個開關的器件，當選擇了一個MOSFET之后，他并不是一個完全理想的開關器件。通過其不理想的地方，理解他的一些關鍵參數(shù)。后續(xù)的內(nèi)容，我們再通過微觀結構去理解一下導致這些參數(shù)的原因
- 關鍵字： 選型指南 MOSFET 無源器件
基本半導體子公司注冊資本增至2.1億元
- 7月9日，深圳基本半導體股份有限公司子公司——基本封裝測試（深圳）有限公司完成工商變更登記，公司注冊資本從1000萬元大幅增至2.1億元人民幣，由母公司基本半導體和深圳市投控基石新能源汽車產(chǎn)業(yè)私募股權投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）共同注資。此舉標志著基本半導體在車規(guī)級碳化硅領域的戰(zhàn)略布局又邁出重要一步，為后續(xù)研發(fā)創(chuàng)新和產(chǎn)能擴充奠定堅實基礎。戰(zhàn)略資本加持 助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展本次增資得到了深圳市投控基石新能源汽車產(chǎn)業(yè)基金的戰(zhàn)略支持，是對基本半導體在新能源汽車功率器件領域技術積累和市場優(yōu)勢的充分認可。該基金是
- 關鍵字： 基本半導體 碳化硅 車規(guī)級
基于onsemi NCP51752隔離式SiC MOSFET閘極驅(qū)動器評估板
- NCP51752是隔離單通道柵極驅(qū)動器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5 A/-9A。 它們設計用于快速切換以驅(qū)動功率MOSFET和SiC MOSFET功率開關。 NCP51752提供短而匹配的傳播延遲。為了提高可靠性、dV/dt免疫力，甚至更快地關閉，NCP51752具有嵌入式負偏置軌機制在GND2和VEE引腳之間。 本用戶指南支持NCP51752的評估板。 它應該與NCP51752數(shù)據(jù)表以及onsemi的應用說明和技術支持團隊一起使用。 本文檔描述了孤立單體的擬
- 關鍵字： onsemi NCP51752 隔離式 SiC MOSFET 閘極驅(qū)動器 評估板
650V GaN器件在高功率應用中對SiC構成挑戰(zhàn)
- 瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺，該平臺具有適用于高功率應用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發(fā)布代表了該公司在收購 Transphorm 并與其控制器和驅(qū)動器 IC 產(chǎn)品線集成后對 GaN 技術的持續(xù)投資。與之前的 35 毫歐姆器件相比，Gen 4+ 平臺的 RDS（on） 和芯片尺寸減小了 14%，直接降低了成本。開關品質(zhì)因數(shù)提高了 50%，而輸出品質(zhì)因數(shù)提高了 20% 以上。在比較測試中，瑞薩電子在 4 kW 電源應用中的損耗比領先的碳化硅 MOSFET 和 JF
- 關鍵字： 650V GaN 器件 高功率應用 SiC
Wolfspeed 1700 V MOSFET技術，助力重塑輔助電源系統(tǒng)的耐用性和成本
- 在幾乎所有電機驅(qū)動、電動汽車、快速充電器和可再生能源系統(tǒng)中，都會配備低功耗輔助電源。雖然相比于主要的功率級，此類電源通常受到的關注較少，但它們?nèi)允菐椭到y(tǒng)高效運行的關鍵組成部分。提高系統(tǒng)可靠性、減小系統(tǒng)尺寸以及縮減系統(tǒng)成本，同時最大限度地降低風險并支持多源采購——設計人員不斷面臨這些經(jīng)常相互矛盾的挑戰(zhàn)。Wolfspeed 推出的工業(yè)級 C3M0900170x 和獲得車規(guī)級認證 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品系列，可在 20 至 200 W 范圍內(nèi)增強輔助電源的
- 關鍵字： Wolfspeed MOSFET 輔助電源系統(tǒng)
香港首座8英寸SiC晶圓廠獲得批準
- 6月25日，香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技局轄下創(chuàng)新科技署宣布，Jizcube Semiconductor （Hong Kong） Limited提交的「新工業(yè)加速計劃」申請已獲得評審委員會批準。獲批項目涉及在香港興建寬禁帶半導體碳化硅 （SiC） 晶圓制造設施。項目總預算超過 7 億港元，將獲得 2 億港元的「新產(chǎn)業(yè)加速計劃」資助。這筆資金預計將大大提升香港的先進半導體制造能力，并加速其在寬禁帶半導體領域的發(fā)展。Jizcube 于 2023 年 10 月在香港注冊成立，并于 2024 年 6 月正式開始運營，同時
- 關鍵字： 香港 8英寸 SiC 晶圓廠
基于SiC的熔絲保護高壓電氣系統(tǒng)
- 在減少排放和實現(xiàn)凈零目標的前進道路上，碳化硅技術將在可持續(xù)發(fā)展應用中發(fā)揮關鍵作用。這些應用可以通過在系統(tǒng)中添加電力電子器件（例如電機驅(qū)動器）或增強現(xiàn)有系統(tǒng)中的電力電子器件以達到更高的電壓并提高效率。隨著越來越多的應用集成電氣系統(tǒng)，對電路保護的需求至關重要。維修或更換組件的成本可能很高，因此設計人員正在實施更強大的電路保護方法。僅限于保護線路的電路中斷裝置對于敏感的電子負載已不再足夠。電子電路中斷解決方案（例如電子熔絲）可以保護線路并限制傳輸?shù)焦收县撦d的短路允通電流和能量，從而可以防止負載自身損壞。傳統(tǒng)電路
- 關鍵字： SiC 熔絲保護
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