久久ER99热精品一区二区-久久精品99国产精品日本-久久精品免费一区二区三区-久久综合九色综合欧美狠狠

首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊

英飛凌OptiMOS 6 80V MOSFET樹立領(lǐng)先AI服務(wù)器平臺DC-DC功率轉(zhuǎn)換效率新標(biāo)準(zhǔn)

  • 簡介英飛凌OptiMOS? 6 80 V——最新的功率MOSFET技術(shù)，通過廣泛的產(chǎn)品組合設(shè)定了新的行業(yè)基準(zhǔn)性能，包括PQFN 3.3x3.3，SuperSO8、雙面散熱PQFN 5x6 以及源極向下 PQFN 3.3x3.3封裝。 OptiMOS? 6 80 V 系列非常適合電信、服務(wù)器和太陽能等高頻開關(guān)應(yīng)用。OptiMOS? 6 80 V 的性能改進也體現(xiàn)了其在電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的優(yōu)勢。關(guān)鍵特性l??與 SSO8 中的 5 相比，RDS(on) OptiMOS?減少24%
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌   OptiMOS 6   MOSFET  電信  電池管理系統(tǒng)  

MOSFET失效分析

  • MOSFET 是芯片的基本單元，MOSFET是為了實現(xiàn)數(shù)字電路中0和1的開關(guān)，他有三個電極，源極、柵極和漏極，簡化模型如下 圖
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  雪崩失效  SOA失效  失效分析  

SiC市場發(fā)展周期修正

  • Power SiC市場持續(xù)轉(zhuǎn)型。繼2019年至2024年間前所未有的投資浪潮后，Yole Group表示，行業(yè)現(xiàn)正進入調(diào)整周期。汽車市場放緩導(dǎo)致硅碳需求下降，硅碳供應(yīng)鏈發(fā)生了轉(zhuǎn)變。 利用率下降、產(chǎn)能過剩和投資減少的循環(huán)引發(fā)了行業(yè)參與者的擔(dān)憂。盡管放緩，SiC仍是電氣化路線圖的核心，預(yù)計到2030年設(shè)備收入將接近100億美元。行業(yè)首個重大投資周期由2019-2024年資本支出熱潮推動，造成了顯著的上游產(chǎn)能過剩。設(shè)備資本支出在2023年達到約30億美元的峰值，導(dǎo)致上游硅碳價值鏈出現(xiàn)顯著產(chǎn)能過剩。20
  • 關(guān)鍵字： SiC  yole  

ROHM車載40V/60V MOSFET產(chǎn)品陣容中新增高可靠性小型新封裝產(chǎn)品

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，適用于主驅(qū)逆變器控制電路、電動泵、LED前照燈等應(yīng)用的車載低耐壓（40V/60V）MOSFET產(chǎn)品陣容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封裝產(chǎn)品。新封裝產(chǎn)品與車載低耐壓MOSFET中常見的TO-252（6.6mm×10.0mm）等封裝產(chǎn)品相比，體積可以更小，通過采用鷗翼型引腳*1，還提高了其在電路板上安裝時的可靠性。另外，通過采用銅夾片鍵合*2技術(shù)，還能支持大電流。采用本封裝的產(chǎn)品已于2025年11月起陸續(xù)投入量產(chǎn)（樣品單價50
  • 關(guān)鍵字： ROHM  MOSFET  

英飛凌高功率碳化硅技術(shù)升級優(yōu)化 助力Electreon動態(tài)無線充電道路系統(tǒng)升級

  • ●? ?動態(tài)無線充電道路系統(tǒng)可在客車與卡車行駛于道路及高速公路上時為其充電●? ?英飛凌定制碳化硅模塊可大幅提高功率密度，使電動汽車搭載更小的電池，實現(xiàn)24小時全天候運行●? ?動態(tài)無線充電道路系統(tǒng)解決方案是減少交通運輸領(lǐng)域碳排放的一項關(guān)鍵創(chuàng)新Electreon?的動態(tài)無線充電系統(tǒng)采用英飛凌的碳化硅模塊，大幅提升了其性能、可靠性與能效英飛凌科技股份公司將為領(lǐng)先的電動汽車（EV）無線充電解決方案提供商 Electreon提供定制碳化硅（S
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  碳化硅  Electreon  無線充電道路  動態(tài)無線充電道路  

Boost電路的工作過程

  • Boost電源電路是一種DC-DC升壓電路，能夠?qū)⒌碗妷荷叩捷^高電壓。其基本原理是利用電感儲能和電容儲能的方式，通過開關(guān)管的開關(guān)控制，將輸入電壓進行短時間內(nèi)的變化，從而使輸出電壓得到升壓。通過調(diào)整開關(guān)管的開關(guān)頻率和占空比，可以控制輸出電壓的大小和穩(wěn)定性。開關(guān)電源的主要部件包括：輸入源、開關(guān)管、儲能電感、控制電路、二極管、負載和輸出電容。如果功率不是特別大，IC廠家會將開關(guān)管、控制電路、二極管集成到一顆電源管理芯片中，極大簡化了外部電路。按照是否集成MOSFET，可以將電源IC分類為轉(zhuǎn)換器、控制器。從集成
  • 關(guān)鍵字： Boost電路  工作過程  MOSFET  電源芯片  

全硅RC緩沖器，用于碳化硅MOSFET

  • Melexis正在制造全硅RC緩沖器，用于集成在碳化硅動力模塊中。目前正在向潛在客戶采樣，所有零件將是新零件編號“MLX91299”的變體，并以裸芯片形式交付，準(zhǔn)備與電源模塊內(nèi)的MOSFET和二極管芯片進行頂部線連接。反金屬化兼容燒結(jié)和焊接。該硅吸收器設(shè)計用于直流鏈路，最高可達1000伏直流，峰值可達1200伏，擊穿額定值將超過1500伏。據(jù)公司介紹，它們“在電壓超過150伏時保持恒定電容，并在10nA附近表現(xiàn)出泄漏電流”。“有多種R和C組合，比如4.3nF在1.45Ω或1.1nF在5.23Ω。”具體生產(chǎn)
  • 關(guān)鍵字： 全硅 RC 緩沖器  碳化硅 MOSFET  電壓瞬變抑制  

硅質(zhì)原材料價格上漲，而6英寸基材則引發(fā)價格戰(zhàn)

  • 截至2025年11月，碳化硅（SiC）市場正處于價值重新評估和結(jié)構(gòu)分歧的關(guān)鍵階段。在價格方面，低端散裝硅碳材料因成本失控而價格上漲，而主流6英寸硅碳基材在供應(yīng)過剩下持續(xù)暴跌。然而，在應(yīng)用方面，SiC卓越的導(dǎo)熱率使其成為英偉達Rubin平臺和臺積電先進封裝中AI芯片散熱的戰(zhàn)略材料，預(yù)示著由高性能計算應(yīng)用驅(qū)動的高價值增長第二波浪潮。硅基價格趨勢：原材料上漲壓力，高端基材價格大幅降幅SiC市場在定價動態(tài)上展現(xiàn)出明顯的差異。一方面，散裝SiC材料的價格——如黑色和綠色SiC粉末及顆粒——一直在上漲。根據(jù)包括CIP
  • 關(guān)鍵字： 硅質(zhì)原材料  6英寸  SiC  

iDEAL Semiconductor以SuperQ? MOSFET為高壓電池設(shè)定新安全標(biāo)準(zhǔn)

  • ?iDEAL Semiconductor, 是高效能功率硅的領(lǐng)導(dǎo)者，今天宣布推出其 SuperQ? MOSFET 技術(shù)，專門設(shè)計用來解決高壓（72V 及更高）電池管理系統(tǒng)（BMS）中關(guān)鍵的安全與效率權(quán)衡問題。此新平臺為 BMS 放電開關(guān)的最重要安全指標(biāo)——短路耐受能力（SCWC）——設(shè)定了業(yè)界基準(zhǔn)。電動移動、無人機與專業(yè)電動工具中高壓電池組的普及帶來了高風(fēng)險挑戰(zhàn)：在外部短路事件中防止災(zāi)難性故障，此時電流可能激增至數(shù)千安培。放電 MOSFET 是唯一負責(zé)在這些極端條件下隔離電池組的元件。“在高能量
  • 關(guān)鍵字： iDEAL  MOSFET  高壓電池  

內(nèi)阻很小的MOS管為什么會發(fā)熱？

  • Source、Drain、Gate分別對應(yīng)場效應(yīng)管的三極：源極S、漏極D、柵極G（里這不講柵極GOX擊穿，只針對漏極電壓擊穿）。一、MOSFET的擊穿有哪幾種？? ? ? ? ?先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達到1uA。所以從器件結(jié)構(gòu)上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。1、 Drain-》Source穿通擊穿? ? ? &n
  • 關(guān)鍵字： MOS管  MOSFET  發(fā)熱  

PCIM2025論文摘要 | 400V SiC MOSFET助力服務(wù)器和人工智能電源實現(xiàn)更高的效率和功率密度

  • 內(nèi)容摘要400V SiC MOSFET技術(shù)可以實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。簡要介紹了該器件的概念和特性。在用于服務(wù)器應(yīng)用的電源(PSU)中對其優(yōu)勢進行了研究，該電源在176V-265V交流輸入和50V輸出電壓下可提供3.3kW的功率。該設(shè)備采用三電平飛跨電容圖騰柱PFC。文中討論了啟動期間對飛跨電容充電的注意事項。PSU的尺寸為72mmx40mmx192mm，在230VAC輸入電壓下，PSU總峰值效率超過97.6%，功率密度大于100W/in3。簡介服務(wù)器和電信應(yīng)用的發(fā)展趨勢是功率密度不斷提高。例如，開
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  MOSFET  服務(wù)器  人工智能  

禾望電氣選擇Wolfspeed，憑借先進的碳化硅技術(shù)助力風(fēng)能未來

  • 創(chuàng)新型碳化硅功率解決方案的全球引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司近日宣布與全球可再生能源解決方案創(chuàng)新者深圳市禾望電氣股份有限公司（禾望電氣，Hopewind）達成合作。兩家公司通過將 Wolfspeed 尖端的 2.3 kV LM Pack 模塊集成到禾望電氣先進的高度模塊化、輕量化的 950 Vac 風(fēng)電變流器之中，共同推動下一代風(fēng)電解決方案的開發(fā)。作為中國最大的風(fēng)電變流器供應(yīng)商之一，禾望電氣對其風(fēng)電解決方案采用了新穎的方法：該產(chǎn)品采用碳化硅（SiC）器件和高可靠性封裝技術(shù)，實現(xiàn)了功率密度提升 38% 和
  • 關(guān)鍵字： 禾望電氣  Wolfspeed  碳化硅  風(fēng)能  

安森美已完成獲得奧拉半導(dǎo)體Vcore電源技術(shù)授權(quán)

  • 安森美(onsemi) 宣布已與奧拉半導(dǎo)體（Aura Semiconductor）完成Vcore電源技術(shù)及相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)（IP）的授權(quán)交易。此項戰(zhàn)略交易增強了安森美的電源管理產(chǎn)品組合與路線圖，加速實現(xiàn)公司在人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中覆蓋從電網(wǎng)到核心的完整電源樹的愿景。安森美在硅及碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)域擁有數(shù)十年的創(chuàng)新積累，為固態(tài)變壓器、電源、800 V直流配電以及核心供電等應(yīng)用提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。通過整合這些技術(shù)，安森美將成為少數(shù)幾家能夠以可擴展、實用的設(shè)計，滿足現(xiàn)代AI基礎(chǔ)設(shè)施嚴(yán)苛電力需求的公司
  • 關(guān)鍵字： 安森美  奧拉  Vcore  碳化硅  SiC  

英飛凌擴展其CoolSiC?產(chǎn)品系列，推出專為高功率與計算密集型應(yīng)用而設(shè)計的400V和440V MOSFET

  • 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司通過增加頂部散熱（TSC）的TOLT封裝及TO-247-3和TO-247-4封裝擴展其CoolSiC? 400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V（連續(xù)）和455V（瞬態(tài)）的TOLL封裝新產(chǎn)品。新的CoolSiC? MOSFET具有更優(yōu)的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度。其專為滿足高功率與計算密集型應(yīng)用需求而設(shè)計，涵蓋了AI服務(wù)器電源、光伏逆變器、不間斷電源、D類音頻放大器、電機驅(qū)動、固態(tài)斷路器等領(lǐng)域。這款新產(chǎn)品可為這
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  CoolSiC  MOSFET  

英飛凌推出針對工業(yè)與消費類應(yīng)用優(yōu)化的OptiMOS? 7功率MOSFET

  • 各行業(yè)高功耗應(yīng)用的快速增長對功率電子技術(shù)提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在這方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，而針對應(yīng)用優(yōu)化的設(shè)計思路為進一步提升已高度成熟的MOSFET技術(shù)帶來了新的可能性。通過采用這種以具體應(yīng)用場景為核心的設(shè)計理念，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出適用于工業(yè)與消費市場的OptiMOS? 7功率MOSFET系列，進一步擴展其現(xiàn)有的OptiMOS? 7汽車應(yīng)用產(chǎn)品組合。新OptiMOS
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  MOSFET  
共1946條 2/130 « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

碳化硅(sic)mosfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473