碳化硅！文章最新資訊

英飛凌CoolSiC碳化硅MOSFET獲豐田bZ4X車(chē)型采用

英飛凌宣布，其碳化硅功率半導(dǎo)體器件被豐田新款純電動(dòng)車(chē)型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應(yīng)用于該車(chē)的車(chē)載充電器（OBC）與直流 - 直流轉(zhuǎn)換器（DC/DC）中。對(duì)于歐洲電子工程新聞網(wǎng)的讀者而言，這一消息清晰體現(xiàn)出碳化硅的應(yīng)用正加速突破牽引逆變器領(lǐng)域，延伸至汽車(chē)核心的功率轉(zhuǎn)換模塊；同時(shí)也凸顯出車(chē)企正愈發(fā)廣泛地采用寬禁帶半導(dǎo)體器件，以實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車(chē)快充提速、續(xù)航提升等可量化的性能優(yōu)化。碳化硅深度融入豐田電動(dòng)汽車(chē)功率電子系統(tǒng)據(jù)官方消息，豐田此次為 bZ4X 的車(chē)載充電器和直流 - 直
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碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相

在碳化硅（SiC）技術(shù)的應(yīng)用中，許多工程師對(duì)SiC的性能評(píng)價(jià)存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問(wèn)題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開(kāi)這些誤區(qū)的真相（誤區(qū)一見(jiàn)：碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相），并介紹英飛凌如何通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。常見(jiàn)誤區(qū)2：“SiC的性能主要看單位面積導(dǎo)通電阻Rsp，電阻越小，產(chǎn)品越好。與平面柵相比，溝槽柵SiC的電阻在高溫下漂移更大，這是否會(huì)影響可靠性”01多元化的性能評(píng)價(jià)更全面Rsp并非唯一評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)雖然Rsp越小
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散熱難題終結(jié)者！細(xì)數(shù)碳化硅T2PAK封裝的優(yōu)勢(shì)

電動(dòng)汽車(chē) (EV)、可再生能源系統(tǒng)和人工智能 (AI) 數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域電氣化進(jìn)程的持續(xù)提速，正不斷給電源系統(tǒng)帶來(lái)更大壓力，對(duì)電源系統(tǒng)的效率、小型化及低溫運(yùn)行能力提出了更高要求。這構(gòu)成了一個(gè)長(zhǎng)期存在的難題：功率密度的提升與系統(tǒng)尺寸的縮減往往會(huì)造成嚴(yán)重的散熱瓶頸。這是當(dāng)下電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員面臨的核心挑戰(zhàn)，高效的散熱管理已成為一大設(shè)計(jì)難關(guān)。全球市場(chǎng)正加速碳化硅 (SiC) 技術(shù)的應(yīng)用落地，但散熱設(shè)計(jì)卻時(shí)常成為掣肘 SiC 性能發(fā)揮的因素。傳統(tǒng)封裝方案往往力不從心，難以滿足大功率碳化硅
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安森美全鏈路碳化硅解決方案，賦能AI時(shí)代高效能源變革

安森美（onsemi）憑借其業(yè)界領(lǐng)先的Si和SiC技術(shù)，從變電站的高壓交流/直流轉(zhuǎn)換，到處理器級(jí)的精準(zhǔn)電壓調(diào)節(jié)，為下一代AI數(shù)據(jù)中心提供了從3kW到25-30kW HVDC的供電全環(huán)節(jié)高能效、高密度電源解決方案。特別是近期，安森美攜手英偉達(dá)，共推下一代AI數(shù)據(jù)中心加速向800V直流供電方案轉(zhuǎn)型，這種技術(shù)能力的廣度和深度使安森美成為少數(shù)能以可擴(kuò)展、可實(shí)際落地的設(shè)計(jì)滿足現(xiàn)代AI基礎(chǔ)設(shè)施嚴(yán)苛供電需求的公司之一。在2025 PCIM Asia 展會(huì)期間，安森美 SiC JFET產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理Brandon Beck
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年終盤(pán)點(diǎn)：英飛凌2025年碳化硅領(lǐng)域重磅產(chǎn)品與技術(shù)驚艷亮相

歲末將至，回顧2025年科技領(lǐng)域，英飛凌在碳化硅（SiC）賽道成績(jī)斐然，憑借一系列創(chuàng)新產(chǎn)品與前沿技術(shù)，為行業(yè)發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力，成為行業(yè)矚目的焦點(diǎn)。小編貼心地按照產(chǎn)品發(fā)布和技術(shù)發(fā)布這兩大板塊，給大家挑選部分亮點(diǎn)產(chǎn)品，方便各位看官全方位了解，咱們這就開(kāi)整！01產(chǎn)品發(fā)布：多元布局，精準(zhǔn)覆蓋多領(lǐng)域需求1CoolSiC? MOSFET G2 1200V和1400V單管：多種封裝組合全面升級(jí)，滿足多樣化應(yīng)用場(chǎng)景11.8CoolSiC? MOSFET G2 1200V單管CoolSiC? MOSFET G2 1400V
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英飛凌高功率碳化硅技術(shù)升級(jí)優(yōu)化助力Electreon動(dòng)態(tài)無(wú)線充電道路系統(tǒng)升級(jí)

●? ?動(dòng)態(tài)無(wú)線充電道路系統(tǒng)可在客車(chē)與卡車(chē)行駛于道路及高速公路上時(shí)為其充電●? ?英飛凌定制碳化硅模塊可大幅提高功率密度，使電動(dòng)汽車(chē)搭載更小的電池，實(shí)現(xiàn)24小時(shí)全天候運(yùn)行●? ?動(dòng)態(tài)無(wú)線充電道路系統(tǒng)解決方案是減少交通運(yùn)輸領(lǐng)域碳排放的一項(xiàng)關(guān)鍵創(chuàng)新Electreon?的動(dòng)態(tài)無(wú)線充電系統(tǒng)采用英飛凌的碳化硅模塊，大幅提升了其性能、可靠性與能效英飛凌科技股份公司將為領(lǐng)先的電動(dòng)汽車(chē)（EV）無(wú)線充電解決方案提供商 Electreon提供定制碳化硅（S
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全硅RC緩沖器，用于碳化硅MOSFET

Melexis正在制造全硅RC緩沖器，用于集成在碳化硅動(dòng)力模塊中。目前正在向潛在客戶采樣，所有零件將是新零件編號(hào)“MLX91299”的變體，并以裸芯片形式交付，準(zhǔn)備與電源模塊內(nèi)的MOSFET和二極管芯片進(jìn)行頂部線連接。反金屬化兼容燒結(jié)和焊接。該硅吸收器設(shè)計(jì)用于直流鏈路，最高可達(dá)1000伏直流，峰值可達(dá)1200伏，擊穿額定值將超過(guò)1500伏。據(jù)公司介紹，它們“在電壓超過(guò)150伏時(shí)保持恒定電容，并在10nA附近表現(xiàn)出泄漏電流”。“有多種R和C組合，比如4.3nF在1.45Ω或1.1nF在5.23Ω。”具體生產(chǎn)
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禾望電氣選擇Wolfspeed，憑借先進(jìn)的碳化硅技術(shù)助力風(fēng)能未來(lái)

創(chuàng)新型碳化硅功率解決方案的全球引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司近日宣布與全球可再生能源解決方案創(chuàng)新者深圳市禾望電氣股份有限公司（禾望電氣，Hopewind）達(dá)成合作。兩家公司通過(guò)將 Wolfspeed 尖端的 2.3 kV LM Pack 模塊集成到禾望電氣先進(jìn)的高度模塊化、輕量化的 950 Vac 風(fēng)電變流器之中，共同推動(dòng)下一代風(fēng)電解決方案的開(kāi)發(fā)。作為中國(guó)最大的風(fēng)電變流器供應(yīng)商之一，禾望電氣對(duì)其風(fēng)電解決方案采用了新穎的方法：該產(chǎn)品采用碳化硅（SiC）器件和高可靠性封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了功率密度提升 38% 和
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安森美已完成獲得奧拉半導(dǎo)體Vcore電源技術(shù)授權(quán)

安森美(onsemi) 宣布已與奧拉半導(dǎo)體（Aura Semiconductor）完成Vcore電源技術(shù)及相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）的授權(quán)交易。此項(xiàng)戰(zhàn)略交易增強(qiáng)了安森美的電源管理產(chǎn)品組合與路線圖，加速實(shí)現(xiàn)公司在人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中覆蓋從電網(wǎng)到核心的完整電源樹(shù)的愿景。安森美在硅及碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)域擁有數(shù)十年的創(chuàng)新積累，為固態(tài)變壓器、電源、800 V直流配電以及核心供電等應(yīng)用提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。通過(guò)整合這些技術(shù)，安森美將成為少數(shù)幾家能夠以可擴(kuò)展、實(shí)用的設(shè)計(jì)，滿足現(xiàn)代AI基礎(chǔ)設(shè)施嚴(yán)苛電力需求的公司
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Wolfspeed順利完成財(cái)務(wù)重組，增強(qiáng)財(cái)務(wù)實(shí)力

全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. 公司近日宣布已成功完成其財(cái)務(wù)重整流程，并已退出美國(guó)《破產(chǎn)法》第 11 章的保護(hù)。通過(guò)此次重整，Wolfspeed 將其總債務(wù)削減了約 70%，債務(wù)到期日延長(zhǎng)至 2030 年，年度現(xiàn)金利息支出也隨之降低了約 60%。此外，公司認(rèn)為其保持有充足的流動(dòng)性，可繼續(xù)為客戶提供領(lǐng)先的碳化硅解決方案。憑借由自由現(xiàn)金流生成能力支撐的自籌資金商業(yè)計(jì)劃，Wolfspeed 已蓄勢(shì)待發(fā)，將充分利用其垂直整合的 200 mm 制造基地，并以安全、可擴(kuò)展的本土供應(yīng)鏈為后盾，來(lái)推
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韓國(guó)在釜山啟動(dòng)首個(gè)8英寸碳化硅工廠，年產(chǎn)量預(yù)計(jì)達(dá)3萬(wàn)片晶圓

碳化硅（SiC）在耐高溫、耐電壓和電力效率方面優(yōu)于傳統(tǒng)硅，全球領(lǐng)導(dǎo)者如英飛凌和 Wolfspeed 正在爭(zhēng)先。現(xiàn)在，韓國(guó)也加大了力度——Maeil 商業(yè)報(bào)紙報(bào)道，釜山已開(kāi)啟了韓國(guó)首個(gè) 8 英寸碳化硅功率半導(dǎo)體工廠。據(jù)報(bào)道，釜山廣域市政府于 17 日宣布，EYEQ Lab 在釜山吉昌完成了其新的總部和生產(chǎn)設(shè)施。該工廠投資了 1000 億韓元，使韓國(guó)首次能夠完全本土化生產(chǎn) 8 英寸碳化硅功率半導(dǎo)體。如《韓國(guó)先驅(qū)報(bào)》所強(qiáng)調(diào)，釜山廣域市政府將項(xiàng)目的完成視為一個(gè)關(guān)鍵里程碑，旨在提升國(guó)內(nèi)8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)并
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三安宣布 8 英寸 SiC 芯片生產(chǎn)線投產(chǎn)完成

8 月 27 日，三安在投資者關(guān)系平臺(tái)上宣布，其湖南三安半導(dǎo)體基地的 8 英寸碳化硅（SiC）芯片生產(chǎn)線正式投產(chǎn)。湖南三安的 8 英寸 SiC 芯片線從建設(shè)到投產(chǎn)不到一年，進(jìn)展比預(yù)期更快。截至 2025 年 8 月，湖南三安已建立起相對(duì)完整的 SiC 產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)能：6 英寸 SiC 產(chǎn)能為每月 16000 片，8 英寸襯底和外延產(chǎn)能分別為每月 1000 片和 2000 片。此外，該公司還有氮化鎵-on-Silicon 產(chǎn)能為每月 2000 片。湖南三安碳化硅項(xiàng)目的總投資額為160億元人民幣，目標(biāo)是建立一個(gè)兼
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Microchip與臺(tái)達(dá)電子簽署碳化硅解決方案合作協(xié)議，共創(chuàng)電源管理未來(lái)

隨著人工智能（AI）快速發(fā)展與萬(wàn)物電氣化進(jìn)程加速，市場(chǎng)對(duì)更高的電源效率與可靠性的需求持續(xù)增長(zhǎng)。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日宣布與全球電源管理與智能綠色解決方案領(lǐng)導(dǎo)者臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司（Delta Electronics, Inc.）（以下簡(jiǎn)稱“臺(tái)達(dá)電子”）簽署全新合作協(xié)議。雙方將攜手在臺(tái)達(dá)設(shè)計(jì)中應(yīng)用Microchip的mSiC?產(chǎn)品與技術(shù)，通過(guò)雙方合作加速創(chuàng)新型碳化硅（SiC）解決方案、節(jié)能產(chǎn)品及系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)，助力構(gòu)建更可持續(xù)的未來(lái)。Microchip負(fù)責(zé)高功
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基本半導(dǎo)體子公司注冊(cè)資本增至2.1億元

7月9日，深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司子公司——基本封裝測(cè)試（深圳）有限公司完成工商變更登記，公司注冊(cè)資本從1000萬(wàn)元大幅增至2.1億元人民幣，由母公司基本半導(dǎo)體和深圳市投控基石新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)私募股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）共同注資。此舉標(biāo)志著基本半導(dǎo)體在車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局又邁出重要一步，為后續(xù)研發(fā)創(chuàng)新和產(chǎn)能擴(kuò)充奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。戰(zhàn)略資本加持助力新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)發(fā)展本次增資得到了深圳市投控基石新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)基金的戰(zhàn)略支持，是對(duì)基本半導(dǎo)體在新能源汽車(chē)功率器件領(lǐng)域技術(shù)積累和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)的充分認(rèn)可。該基金是
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基本半導(dǎo)體完成1.5億元D輪融資，加速碳化硅領(lǐng)域布局

近日，深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司（簡(jiǎn)稱“基本半導(dǎo)體”）宣布完成D輪融資，融資金額達(dá)1.5億元人民幣。本輪融資由中山火炬開(kāi)發(fā)區(qū)科創(chuàng)產(chǎn)業(yè)母基金與中山金控聯(lián)合投資，資金將主要用于碳化硅功率器件的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)能擴(kuò)張以及市場(chǎng)拓展。基本半導(dǎo)體成立于2016年，是一家專注于碳化硅功率器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)。其核心產(chǎn)品包括1200V/20A JBS碳化硅二極管、1200V平面柵碳化硅器件以及10kV/2A SiC PiN二極管等。這些產(chǎn)品以低損耗、高頻率等優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、軌道交通、光伏逆變器和航空航天等領(lǐng)
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