久久ER99热精品一区二区-久久精品99国产精品日本-久久精品免费一区二区三区-久久综合九色综合欧美狠狠

首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅（sic）

碳化硅（sic） 文章 最新資訊

Microchip首款碳化硅MOSFET 可降低50%開關損耗

  • 隨著對電動公共汽車和其他電氣化重型運輸車輛的需求增加，以滿足更低的碳排放目標，基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類運輸系統(tǒng)提供更高效率。為了進一步擴充其廣泛的碳化硅MOSFET分離式和模塊產(chǎn)品組合，Microchip推出一款全新 ”生產(chǎn)就緒”的1200V數(shù)字柵極驅動器，為系統(tǒng)開發(fā)人員提供多層級的控制和保護，以實現(xiàn)安全、可靠的運輸并滿足嚴格的行業(yè)要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅動器，可降低50%開關損耗對于碳化硅電源轉換設備的設計人員來說，Microchip的Agi
  • 關鍵字： Microchip  碳化硅  MOSFET  

圖騰柱 PFC 級受益于CoolSiC? MOSFET

  • 無橋式圖騰柱功率因數(shù)校正（PFC） 級可用于滿足嚴格的效率標準，但使用硅 MOSFET 時出現(xiàn)的較高損耗是不可接受的，而解決方案則是使用寬帶隙碳化硅（SiC）器件。本文將討論能夠實現(xiàn)這些改進的 SiC器件性能參數(shù)。
  • 關鍵字： 碳化硅  圖騰柱 PFC  體二極管  恢復  電荷  效率  損耗  輸出電容  

意法半導體收購Norstel AB 強化碳化硅產(chǎn)業(yè)供應鏈

  • 近年隨著電動汽車產(chǎn)業(yè)崛起，碳化硅（SiC）功率半導體市場需求激增，吸引產(chǎn)業(yè)鏈相關企業(yè)的關注，國際間碳化硅(SiC)晶圓的開發(fā)驅使SiC爭奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。與硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap，Eg)的半導體；再者，碳化硅具有更高的擊穿電場 (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率組件應用之電子電路的材料，因為用碳化硅制成的芯片即使厚度相對小也能夠經(jīng)受得起相對高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(Ec)和電
  • 關鍵字： 意法半導體  Norstel AB  碳化硅  SiC  

羅姆為電動汽車充電樁打造高效解決方案

  • 引言全球能源短缺和大氣污染問題日益嚴峻,汽車產(chǎn)業(yè)綠色低碳發(fā)展已成為降低全社會碳排放、增強國家競爭力的有效手段。作為領先的功率半導體廠商之一,羅姆一直致力于技術創(chuàng)新,研發(fā)各種高效、高品質的功率器件,為大功率智能充電站提供安全可靠的解決方案,在支持綠色出行的同時助力全面低碳社會的可持續(xù)發(fā)展。縮短充電時間的高輸出挑戰(zhàn)對電動汽車車主來說,縮短充電時間是非常重要的訴求,而大功率充電是其中關鍵的支撐技術。提升續(xù)航距離需要増加電池容量,為縮短充電時間,需要高輸出能力的充電樁,如360kW的充電樁要搭載9個40kW的電源
  • 關鍵字： 充電樁  碳化硅  

意法半導體制造首批8吋碳化硅晶圓

  • 意法半導體（STMicroelectronics）宣布，ST瑞典Norrkoping工廠制造出首批8吋（200mm）碳化硅（SiC）晶圓，這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代功率電子芯片產(chǎn)品原型。將SiC晶圓升級到8吋代表著ST針對汽車和工業(yè)客戶的擴產(chǎn)計劃獲得重要階段性的成功，其鞏固了ST在此一開創(chuàng)性技術領域的領導地位，且提升了功率電子芯片的輕量化和效能，降低客戶獲取這些產(chǎn)品的擁有總成本。 意法半導體制造首批8吋碳化硅晶圓意法半導體首批8吋SiC晶圓質量十分優(yōu)良，對于芯片良率和晶體位錯誤之缺陷非常低。其低缺
  • 關鍵字： 意法半導體  碳化硅  

鄭有炓院士：第三代半導體迎來新發(fā)展機遇

  • 半導體材料是信息技術的核心基礎材料，一代材料、一代技術、一代產(chǎn)業(yè)，半個多世紀來從基礎技術層面支撐了信息技術翻天覆地的變化，推動了電子信息科技產(chǎn)業(yè)可持續(xù)蓬勃發(fā)展。同樣地，信息技術和電子信息科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求又驅動了半導體材料與技術的發(fā)展。第三代半導體材料及其應用第三代半導體是指以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導體材料，它是繼20世紀50年代以Ge、Si為代表的第一代半導體和70年代以GaAs、InP為代表的第二代半導體之后于90年代發(fā)展起來的新型寬禁帶半導體材料，即禁帶寬度明顯大于Si（1.12 eV）和Ga
  • 關鍵字： 第三代半導體  SiC  

汽車電氣化的部分關鍵技術及ST的解決方案

  • 1? ?汽車電氣化的趨勢和挑戰(zhàn)汽車市場中與電氣化相關的應用是減少交通碳排放影響的關鍵因素。中國領導人在2020年9 月提出中國要在2030年碳達峰，2060 年實現(xiàn)碳中和的目標。為了實現(xiàn)碳中和，減少能源使用中的碳排放是其中的重要一環(huán)。電能是清潔、高效的能源品種，用電能作為主要的能源消耗可以大幅減少碳排放。同時也要發(fā)展低排放的清潔能源作為主要發(fā)電的能源。中國交通運輸行業(yè)碳排放占比達10%，而公路運輸占其中的74%，主要來自燃油車的排放。因此，發(fā)展電動汽車并逐漸從燃油車過渡到電動汽車對減少
  • 關鍵字： 202108  SiC  BMS  

清潔安全的汽車將由功能電子化和自動駕駛賦能

  • 未來的汽車將是清潔和安全的汽車，由先進的汽車功能電子化和自動駕駛技術賦能。安森美半導體汽車戰(zhàn)略及業(yè)務拓展副總裁 Joseph Notaro1? ?功率器件賦能電動汽車電動車可幫助實現(xiàn)零排放，其市場發(fā)展是令人興奮和充滿生機的，隨著電動車銷售不斷增長，必須推出滿足駕駛員需求的基礎設施，以提供一個快速充電站網(wǎng)絡，使他們能夠快速完成行程，而沒有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領域的要求正在迅速發(fā)展，需要超過350 kW 的功率水平和95% 的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點，緊湊
  • 關鍵字： 202108  SiC  汽車  OBC  

安森美半導體：為關鍵應用推出系列綠色解決方案

  • 1? ?關注關鍵應用的節(jié)能減排安森美半導體提供所有應用的電力電子解決方案，也專注于一些關鍵應用，包括能源基礎設施（太陽能轉換、儲能、電動車充電站/ 樁）、工業(yè)、云計算和5G 基礎設施。這些市場都有其獨特的技術挑戰(zhàn)。這些挑戰(zhàn)由相同因素的不同組合驅動：提高能效、減小尺寸和質量以及優(yōu)化系統(tǒng)成本或擁有成本。例如太陽能轉換，從集中式逆變器到組串式逆變器的轉變消除了逆變器的單點故障風險。如果一個組串式逆變器停止工作，仍可用其他組串來發(fā)電。它還有個額外的好處，就是能對較少量的面板進行最大功率點追蹤。
  • 關鍵字： 202107  SiC  

碳化硅基板及磊晶成長領域 環(huán)球晶布局掌握關鍵技術

  • 由于5G、電動車、高頻無線通信及國防航天等新興科技趨勢的興起，產(chǎn)業(yè)對于高頻率、低耗損的表現(xiàn)需求日益增加，如何在高溫、高頻率及高電壓等惡劣環(huán)境作業(yè)下?lián)p失較少功率的化合物半導體材料，備受產(chǎn)業(yè)期待。而基于碳化硅（SiC）芯片制作寬能隙半導體的器件，能夠滿足傳統(tǒng)硅基半導體所不能滿足的諸多優(yōu)點。放眼全球化合物半導體大廠，碳化硅（SiC）晶圓的供應以美國大廠Cree為首，是具有上下游整合制造能力的整合組件制造商（IDM），在碳化硅之全球市占率高達六至七成。磊晶廠則以美國的II-VI Incorporated為代表；模
  • 關鍵字： 碳化硅  寬能隙半導體  

采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級的能效

  • 圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉換器的效率，但是主流半導體開關技術的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數(shù)千瓦電壓下實現(xiàn)99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設計師必須竭力滿足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進行權衡取舍，一個好例子是既要求達到服務器電源的“鈦”標準等能效目標，又要用功率因素校正（PFC）將線路諧波發(fā)射保持在低水平，以幫助電網(wǎng)可靠高效地運行。在大部分情況下，會通過升壓轉換器部分實施PFC，升壓轉換器會將整流后
  • 關鍵字： SiC FET  PFC  

SiC大戰(zhàn)拉開帷幕，中國勝算幾何

  • 近些年，隨著電動汽車以及其他系統(tǒng)的增長，碳化硅（SiC）功率半導體市場正在經(jīng)歷需求的突然激增，因此也吸引了產(chǎn)業(yè)鏈相關企業(yè)的關注。在產(chǎn)業(yè)應用進一步成熟的趨勢下，SiC的爭奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。碳化硅材料之殤SiC器件成本高的一大原因就是SiC襯底貴，目前，襯底成本大約是加工晶片的50%，外延片是25%，器件晶圓生產(chǎn)環(huán)節(jié)20%，封裝測試環(huán)節(jié)5%。SiC襯底不止貴，生產(chǎn)工藝還復雜，與硅相比，碳化硅很難處理、研磨和鋸切，挑戰(zhàn)非常大。所以大多數(shù)企業(yè)都是從Cree、Rohm等供應商購買襯底。SiC器件廣泛用于光伏逆變器、工
  • 關鍵字： SiC  功率半導體  

功率半導體－馬達變頻器內(nèi)的關鍵組件

  • 全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅動工業(yè)應用中的馬達，而全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預期到 2040 年將成長一倍。隨著對能源成本和資源有限的意識不斷提高，未來提升驅動馬達用電效率的需求將會越來越顯著。
  • 關鍵字： IGBT7  SiC MOSFET  馬達變頻器  功率半導體  英飛凌  

以中國帶動世界 意法半導體搶占新能源汽車制高點

  • 意法半導體(STMicroelectronics) 以“意法半導體，科技始之于你”為主題亮相2021年慕尼黑上海電子展，展示其行業(yè)領先的智能出行、電源和能源管理、物聯(lián)網(wǎng)和5G產(chǎn)品及解決方案。 作為意法半導體重要的業(yè)務領域之一，此次展臺的焦點是一輛智能電動轎跑小鵬P7，這款先進的新能源智能汽車的車輛控制單元(VCU)中采用意法半導體的先進的多功能芯片L9788，這是首個集成CAN FD收發(fā)器的U-chip解決方案，符合最高的功能性安全標準，產(chǎn)品競爭優(yōu)勢包括節(jié)省物料清單(BOM)成本、減少印刷電路板(PCB)
  • 關鍵字： 意法半導體  SiC  BMS  

電動汽車BMS的技術趨勢及恩智浦的解決方案

  • 1? ?電動汽車BMS的技術趨勢對恩智浦而言，我們所觀察到的電動汽車制造商在規(guī)劃整個車型電氣化過程中正在面對如下挑戰(zhàn)，這也代表了現(xiàn)在技術發(fā)展的趨勢。1)? ?電池成本的持續(xù)降低是電動車普及以及車廠盈利的重要決勝點。除電芯降本外，還需要不斷優(yōu)化電子電氣以及機械架構，并制作支持自動化組裝的生產(chǎn)線，這樣才能提高生產(chǎn)效率。2)? ?延長里程需要提高比能量，縮短充電時間則要增加比功率，在逐漸挑戰(zhàn)比能量和比功率極限的過程中，電池管理功能安全的等級、診斷的精度
  • 關鍵字： BMS  SiC  
共724條 32/49 |‹ « 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 » ›|

碳化硅（sic）介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅（sic）!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅（sic）的理解，并與今后在此搜索碳化硅（sic）的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473