1? ?中國新能源汽車市場的需求特點首先，中國的電動化發展速度很快，中國企業的創新力旺盛，而且直接從傳統汽車向新能源汽車過渡，沒有美國或歐洲企業所面臨的復雜的“技術遺產”問題。相比歐美，新興的中國車企更期待新能源汽車。在中國，功率轉換系統在汽車中的應用非常廣泛，這就是為什么ST專注于與中國客戶合作開發電源管理系統。ST汽車和分立器件產品部大眾市場業務拓展負責人公司戰略辦公室成員Giovanni Luca SARICA2? ?SiC在成本上有優勢嗎SiC解決方案的成本
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新能源汽車 SiC
中國化合物半導體全產業鏈制造平臺 -- 三安集成于日前宣布，已經完成碳化硅MOSFET器件量產平臺的打造。首發1200V 80mΩ產品已完成研發并通過一系列產品性能和可靠性測試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開關電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機驅動等應用領域，有助于減小系統體積，降低系統功耗，提升電源系統功率密度。目前多家客戶處于樣品測試階段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET隨著中
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三安集成 碳化硅 MOSFET
GaN（氮化鎵）作為新一代半導體材料，正有越來越廣泛的應用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅動器、內部保護和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業電源，可以實現2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業方面的機會？此次GaN FET的突破性技術是什么？為此，電子產品世界記者線上采訪了TI高壓電源應用產品業務部GaN功率器件產品線經理Steve Tom。TI高壓電源應用產品業務部GaN功率器件產品線經理Steve Tom1? ?GaN在電源領
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GaN FET SiC
隨著電動汽車（EV）數量的增加，對創建更加節能的充電基礎設施系統的需求也在日益增長，如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動汽車相比，新型電動汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開發快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動汽車充電至80％，行駛大約250 km。根據聯合充電系統和Charge de Move標準， 快速DC充電站 可提供高達400 kW的功率。今天，我們將研究驅動更快、更安全、更高效的充電器的半導體技術
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EV SiC IGBT MOSEFT CMTI
領先的碳化硅(SiC)功率半導體制造商 UnitedSiC 近日宣布與益登科技簽署代理協議，益登科技是總部位于臺灣的半導體產品主要分銷商和解決方案供應商。益登科技將與UnitedSiC合作，助其將產品推向亞洲市場，為包括電動汽車、電池充電、IT基礎設施、可再生能源和電路保護等高增長應用領域的客戶提供產品方案。UnitedSiC全球銷售和營銷副總裁Yalcin BulutUnitedSiC全球銷售和營銷副總裁Yalcin Bulut 表示：“亞洲市場正在迅速崛起，急需采用能夠實現新產品差異化的新技術。益登的
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SiC 電動汽車
隨著物聯網，大數據和人工智能驅動的新計算時代的發展，對半導體器件的需求日益增長，對器件可靠性與性能指標的要求也更加嚴苛。以碳化硅為代表的第三代半導體開始逐漸受到市場的重視，國際上已形成完整的覆蓋材料，器件，模塊和應用等環節的產業鏈。全球新一輪的產業升級已經開始，正在逐漸進入第三代半導體時代。 碳化硅，作為發展的最成熟的第三代半導體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場等優勢，是制造高壓高溫功率半導體器件的優質半導體材料。已在智能電網，軌道交通，新能源，開關電源等領域得到了應用，展現出了優良的性質和廣闊的
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碳化硅，半導體
目前，碳化硅市場正處于快速增長中，根據各大咨詢機構統計，碳化硅在電源的功率因數校正（PFC）、太陽能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高頻開關電源等領域都擁有非常廣闊的市場。與傳統硅材料相比，新一代的寬禁帶半導體材料碳化硅可提供高場強、高能隙，以及高電子移動速度和熱導率，讓下一代半導體器件的性能得到革命性提升。
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安森美 SiC 碳化硅
羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結構(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統3引腳封裝類型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開關性能，并將開關損耗降低多達35%。SiC-MOSFET特別適合在服務器電源、UPS系統、太陽能逆變器和新能源汽車充電站中的節能使用。通過使用TO-247-4L封裝，驅動器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著降低功耗，對于必須提供不間斷電源的高性能應
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MOSFET 碳化硅 UPS
推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor)，推出一款適用于?太陽能逆變器應用?的?全SiC功率模塊?，該產品已被全球領先的電源和熱管理方案供應商臺達選用，用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。?NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術的使用提供了實現太陽能逆變器等應用中所要求高能效水平所需的低反向恢復和快速
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MOSFET SiC PIM 光伏逆變器
寬禁帶?材料實現了較當前硅基技術的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態系統，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設計人員在仿真中實現其應用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建模可以進行系統級仿真
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IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
中國新能源汽車電驅動領域高科技公司臻驅科技（上海）有限公司（以下簡稱“臻驅科技”）與全球知名半導體廠商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）宣布在中國（上海）自由貿易區試驗區臨港新片區成立“碳化硅技術聯合實驗室”，并于2020年6月9日舉行了揭牌儀式。與IGBT*1等硅（Si）功率元器件相比，碳化硅（SiC）功率元器件具有傳導損耗、開關損耗*2小、耐溫度變化等優勢，作為能夠顯著降低損耗的半導體，在電動汽車車載充電器以及DC/DC轉換器等方面的應用日益廣泛。自2017年合作以來，臻驅科技和羅姆就采
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MOSEFT SiC
我國正在大力進行新基建，工業物聯網、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時，SiC、GaN等第三代半導體材料風生水起，奠定了堅實的發展基礎。充電樁、工業物聯網、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導體）亞太區功率分立器件和模擬產品部區域營銷及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產品世界記者的采訪，分享了對工業市場的預測，并介紹了ST的新產品。ST亞太區 功率分立器件和模擬產品部 區域營銷及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業電源市場
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電源 SiC IGBT GaN
汽車電動化領域的領先供應商——緯湃科技(以下簡稱“Vitesco”)近日宣布選擇SiC功率元器件的領軍企業——羅姆(以下簡稱“ROHM”)作為其SiC技術的首選供應商,并就電動汽車領域電力電子技術簽署了開發合作協議(2020年6月起生效)。通過使用SiC功率元器件,大陸集團旗下的Vitesco將能夠進一步提高電動汽車用電力電子器件的效率。由于SiC功率元器件具有高效率等特性,因而可以更有效地利用電動汽車電池的電能。這將非常有助于延長電動汽車的續航里程并削減電池體積。Vitesco電氣化技術事業部執行副總裁
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SiC 電氣
隨著硅與化合物半導體材料在光電子、電力電子和射頻微波等領域器件性能的提升面臨瓶頸，不足以全面支撐新一代信息技術的可持續發展......
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寬禁帶 半導體 SiC GaN
2020年2月，碳化硅的領導廠商之一英飛凌祭出了650V CoolSiC? MOSFET，帶來了高性能和高功效。它是如何定義性能和應用場景的？下一步產品計劃如何？碳化硅業的難點在哪里？為此，電子產品世界等媒體視頻采訪了英飛凌科技電源與傳感系統事業部大中華區開關電源應用高級市場經理陳清源先生。英飛凌科技 電源與傳感系統事業部大中華區 開關電源應用高級市場經理 陳清源據悉，此次英飛凌推出了8款650V CoolSiC? MOSFET產品，采用2種插件TO-247封裝，既可采用典型的TO-247 三引腳封裝，也
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MOSEFT 碳化硅 SMD
碳化硅（sic）介紹
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