Analog Devices, Inc. (ADI)與Microsemi Corporation近日聯合推出市場首款用于半橋SiC功率模塊的高功率評估板，在200kHz開關頻率時該板提供最高1200V電壓和50A電流。隔離板的設計旨在提高設計可靠性，同時減少創建額外原型的需求，為電源轉換和儲能客戶節省時間、降低成本并縮短上市時間。ADI公司和Microsemi將在2018年3月4日至8日于美國得克薩斯州圣安東尼奧舉行的APEC 2018展會上展示該評估
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ADI SiC
推動高能效創新的安森美半導體?(ON?Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)推出最新650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產品，擴展了SiC二極管產品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術提供更高的開關性能、更低的功率損耗，并輕松實現器件并聯。 安森美半導體最新發布的650?V?SiC?二極管系列提供6安培(A)到50?A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復、低正向壓、不受溫度影響的電流穩定性、高浪涌容
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安森美 SiC
納微 (Navitas)半導體宣布其現場應用及技術營銷總監黃萬年將在2018年1月30日于中國臺北舉辦的“2018前瞻電源設計與功率組件技術論壇”上發表“利用氮化鎵(GaN)功率IC實現下一代電源適配器設計”的主題演講。他將分享如何利用業內首個及唯一的氮化鎵(GaN)功率IC在各種電力系統中顯著提高速度、效率和密度的嶄新見解。納微是這項活動的銀級贊助商，該活動為具有創新性的制造商、合作伙伴及客戶提供了一個交互論壇，以交流加速采用新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件的專業知識。 黃萬年
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納微 SiC
近年來，出于地球溫室化對策和減少空氣污染的考慮，對汽車的環保性能要求越來越高。世界各國均已制定了新能源汽車的開發和引進計劃，未來新能源汽車的普及將會進一步加速。其中，中國新能源汽車市場發展勢頭最為迅猛。隨著中國新能源汽車市場的迅速壯大和新能源汽車技術的快速發展，越來越多的中國新能源汽車品牌開始走出國門，投身到波瀾壯闊的世界新能源汽車市場。 作為全球知名半導體制造商， ROHM一直以來都將汽車市場為主要目標領域，通過開發并提供SiC元器件、電源IC、控制IC等滿足最新汽車電子化需求的創新型高
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ROHM SiC
隨著技術的不斷更新換代，以及電動汽車市場的巨大助力，SiC產品有望迎來快速增長期。
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電動汽車 SiC
近日，863計劃先進制造技術領域“大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究”課題通過了技術驗收。
通常，國際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料稱之為第三代半導體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度、熱導率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優勢，特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯，由于第三代半導體材料的制造裝備對設備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場分布、設備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質量和成品率的關鍵技術有很高的
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半導體 SiC
碳化硅電力電子器件的發展現狀分析-SiC電力電子器件中，SiC二極管最先實現產業化。2001年德國Infineon公司率先推出SiC二極管產品，美國Cree和意法半導體等廠商也緊隨其后推出了SiC二極管產品。
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碳化硅
摘要 本文評測了主開關采用意法半導體新產品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結果證明，新SiC碳化硅開關管提升了開關性能標桿，讓系統具更高的能效，對市場上現有系統設計影響較大。 前言 市場對開關速度、功率、機械應力和熱應力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限。 寬帶隙半導體器件因電、熱、機械等各項性能表現俱佳而被業界看好，被認為是硅半導體器件的替代技術。在這些新材料中，兼容硅
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MOSFET SiC
接近62%的能源被白白浪費
美國制造創新網絡(目前稱為MgfUSA)已經闡明了美國制造業規劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯網自不必說，而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關注到了汽車減重設計，本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創新研究院“美國電力創新研究院” Power Amercia(PA)其關注點同樣在于能源的問題。這是一個關于巨大的能源市場的創新中心。
圖1：整體的能源轉換效率約在38
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SiC GaN
近年來，SiC(碳化硅)因其優異的節能效果和對產品小型化、輕量化的貢獻，在新能源汽車、城市基礎設施、環境/能源，以及工業設備領域的應用日益廣泛。與同等額定電流的IGBT產品相比，SiC產品憑借更低的開關損耗，可實現設備中冷卻機構的小型化。同時，通過更高頻率的開關動作，還可實現線圈和電容器等周邊元器件的小型化。可見，SiC是可以同時實現設備節能化、小型化和輕量化的“理想的元器件”。
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ROHM SiC 汽車
在經過多年的疑慮和猶豫之后，SiC器件終于迎來了春天。
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SiC Cree
效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優勢。c科技股份公司開始批量生產EASY 1B——英飛凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年PCIM展會上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產品系列的其他模塊平臺和拓撲。如今，英飛凌能夠更好地發揮碳化硅技術的潛力。 英飛凌工業功率控制事業部總裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已達到轉折點，考慮到成本效益，它
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英飛凌 碳化硅
SiC在電源轉換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優勢。當然，要進行大批量生產，逆變器除了靜態和動態性能之外，還必須具備適當的可靠性，以及足夠的閾值電壓和以應用為導向的短路耐受能力等。可與IGBT兼容的VGS=15V導通驅動電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
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電源轉換器 SiC MOSFET 逆變器 201707
效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優勢。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)開始批量生產EASY 1B——英飛凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年PCIM展會上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產品系列的其他模塊平臺和拓撲。如今，英飛凌能夠更好地發揮碳化硅技術的潛力。 英飛凌工業功率控
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英飛凌 碳化硅
三菱電機于6月27至29日在上海世博展覽館舉行的PCIM Asia 2017(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)展會中，以十款新型功率器件強勢登場，其中第7代IGBT模塊更首次作全電壓、全封裝及全系列展出(三菱電機展位號：E06)。 三菱電機以“創新功率器件構建可持續未來”為主題，今年展出的功率器件應用范圍跨越五大領域，包括：變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業應用和新能源發電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產品。 變頻家電市場 在變頻家電應用方面，三菱電機展出
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三菱電機 碳化硅
碳化硅（sic）介紹
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