- 日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”(PCIM Asia 2014 )。本次展會于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕，東芝半導體&存儲產品公司此次將展示其最新的、應用在電力領域的技術和產品?！ ≌故井a品簡介: 1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) 東芝在IGBT的基礎上成功研發出“注入增強”(IE：Inject
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東芝 IEGT SiC
- 5月29日，國內首批產業化6英寸碳化硅外延晶片在位于廈門火炬高新區的瀚天天成電子科技(廈門)有限公司投產，并交付第一筆商業訂單產品， 成為國內首家提供商業化6英寸碳化硅外延晶片的生產商。
據悉，碳化硅是繼第一代硅、鍺和第二代砷化鎵等材料之后的第三代新型半導體材料。碳化硅半導體儀器大禁帶寬度、高臨界場強和高熱導率等優良特性，成為制作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想半導體材料。
瀚天天成電子科技(廈門)有限公司總經理鄭忠惠介紹，6英寸碳化硅外延晶片相對于4英寸碳化硅外延晶片具有巨大
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碳化硅 外延晶片
- 三菱電機今年以“創新功率器件構建可持續未來”為題，攜帶六款全新產品，于6月17至19日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2014中隆重亮相?！ 〗衲暾钩龅漠a品范圍跨越六大領域，包括：工業應用、變頻家電應用、可再生能源應用、鐵路牽引和電力應用、電動汽車應用以及碳化硅器件應用?！ ≡谛庐a品方面，這次展出的全新第7代IGBT模塊，適合應用在工業驅動和太陽能發電上。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片;具有650V、1200V和1700V三種電壓等級;提高利用門極電阻優化dv/dt的可控性;涵蓋模塊電流7
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三菱電機 PCIM 碳化硅
- 致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創新SiC MOSFET器件設計用于效率至關重要的大功率工業應用，包括用于太陽能逆變器、電動汽車、焊接和醫療設備的解決方案?！ ∶栏呱罁碛欣肧iC半導體市場增長的良好條件，據市場研究機構Yole Développement預計，從201
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美高森美 MOSFET SiC
- 日前，CISSOID 公司與上海諾衛卡電子科技有限公司簽訂在華銷售 CISSOID 產品的經銷協議，后者將會幫助CISSOID公司的高溫半導體產品在中國市場大范圍推廣?！ ≈Z衛卡公司將其在碳化硅方面的專業技術與 CISSOID 的技術及其產品組合完美結合在一起，形成獨一無二的競爭力。例如：SiC 電源開關專用的隔離式柵極驅動器HADES 技術;高溫 SiC MOSFET;及 SiC 傳感元件的高溫信號調節器?！ ISSOID公司營銷拓展副總裁Jean-Christophe Doucet先生表示，為保
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CISSOID 諾衛卡 SiC
- 2014年慕尼黑上海電子展產品亮點 TDK公司為變頻器提供一款采用了愛普科斯(EPCOS)?CeraLink?技術的全新直流鏈路電容器。CeraLink?技術是以PLZT陶瓷材料為基礎(鉛鑭鋯鈦酸)，使用的容值范圍為1?微法?至100?微法，額定直流電壓為400?伏。另一款電容器的額定直流電壓為800伏，容值為5?微法。 CeraLink?新技術在功率變換器的直流鏈路的穩定性和濾波方面具有很多優勢-特別與傳統電容器技術相比：由于該款新電容
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TDK 電容器 CeraLink SiC
- 與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業也圍繞這些元件展開了激烈的開發競爭。
SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
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SiC GaN
- 最近，碳化硅(SiC)的使用為BJT賦予了新的生命，生產出一款可實現更高功率密度、更低系統成本且設計更簡易的...
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光伏逆變器 SiC BJT
- 通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。
目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關研發。
比如，羅姆通過研磨等工序將SiC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
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三菱電機 SiC
- 通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。
目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關研發。
比如，羅姆通過研磨等工序將SiC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
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SiC 二極管
- 新日本無線的這款新MUSES音頻系列產品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)，粗銅線有利于降低損耗提高效率，SiC-SBD專長于高速開關動作，再加上注重最佳音質的制造工藝技術，能夠實現高音質音響效果。
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新日本無線 SiC-SBD MUSES
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布將擴充其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列，為其現有的6A、8A和12A產品陣容中增添一款10A產品。該產品將于即日起批量交付。
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東芝 碳化硅
- 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 擴展碳化硅(SiC)肖特基產品系列，推出全新的650V解決方案產品系列，新型二極管產品瞄準包括太陽能逆變器的大功率工業應用。
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美高森美 SiC
- GaN和SiC將區分使用 2015年，市場上或許就可以穩定采購到功率元件用6英寸SiC基板。并且，屆時GaN類功率元件 ...
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功率 半導體 SiC GaN
- 在SiC及GaN等新一代功率半導體領域，以韓國和中國為代表的亞洲企業的實力不斷增強。不僅是元件及模塊，零部件領域也顯著呈現出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導體國際學會“ICSCRM2013”(日本宮崎縣PhoenixSeagaiaResort)上，最近開始擴大SiC晶圓業務的亞洲企業紛紛出展。
山東天岳先進材料科技有限公司(SICC)展出了將從2014年4月開始對外銷售的直徑2～4英寸(50mm～100mm)的SiC裸晶圓。該公司當前的目標
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SiC 晶圓
碳化硅（sic）介紹
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