碳化硅(SiC)功率器件領域的市場領先者科銳公司將繼續引領高效率電子電力模組變革，宣布推出業界首款符合全面認證的可應用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科銳碳化硅ZFET MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路，與傳統硅器件相比，可實現更高的能源效率。
關鍵字：
科銳 SiC MOSFET
日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業設備，與擁有電力系統和電源封裝技術的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯合開發出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統的Si模塊的設計，由于最大限度地利用了SiC器件的特點，從而大幅改善了電氣特性、機械特性，同時實現了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
關鍵字：
羅姆 SiC MOS
日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV/HEV車(電動汽車/混合動力車)和工業設備的變頻驅動，開發出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開發的高耐熱樹脂，世界首家實現了壓鑄模類型、225℃高溫下工作，并可與現在使用Si器件的模塊同樣實現小型和低成本封裝，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
關鍵字：
羅姆 SiC
據羅姆中國營業本部村井美裕介紹，面對未來的50年，羅姆提出了“相乘戰略”、“功率器件戰略”、“LED戰略”和“傳感器戰略”四大企業戰略。
關鍵字：
羅姆 SiC LED
編者語：在現代工廠的機械設備中，電氣傳動系統所耗費的電能占到了60%~70%，采用節能傳動系統可以為機械設備降低...
關鍵字：
碳化硅 變頻器 節能
富士電機計劃生產采用碳化硅作為原料的功率半導體，并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設一條產線，此為該公司首次在自家工廠設置碳化硅功率半導體的產線，未來預計在2012年春季開始量產。
關鍵字：
富士電機 SiC
引言 隨著現代技術的發展， 功率放大器已成為無線通信系統中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產生技術已成為現代通信對抗的關鍵技術。作為第三代半導體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導率、高擊穿場
關鍵字：
設計 分析 模塊 功率放大器 寬帶 SiC
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
關鍵字：
SiC 寬帶功率放大器 模塊設計 放大電路
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料在...
關鍵字：
LED 碳化硅
安川電機試制出了利用SiC功率元件的電動汽車（EV）行駛系統（圖1）。該系統由行駛馬達及馬達的驅動部構成。通過...
關鍵字：
安川電機 EV行駛系統 SiC
在由Xilinx主辦的會議上市調公司Semico的Richard Wawrzyniak’s作了有關全球ASIC市場的報告。Semico對于傳統的ASIC市場將只有低增長的預測,而可編程邏輯電路(PLD)在帶寬與可移動聯結等日益增長的需求推動下將有大的發展。
關鍵字：
Xilinx Semico SIC
英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產品系列不僅延續了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無需使用隔離套管和隔離膜，使安裝更加簡易、可靠。
獨具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的內部結到散熱器的熱阻與標準非隔離TO-220器件類似。這要歸功于英飛凌已獲得專利的擴散焊接工藝，該技術大大降低了內部芯片到管腳的熱阻，有效地彌補了FullPAK內部隔離層的散
關鍵字：
英飛凌 肖特基二極管 SiC
隨綠色經濟的興起，節能降耗已成潮流。在現代化生活中，人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。
據統計，60%至70%的電能是在低能耗系統中使用的，而其中絕大多數是消耗于電力變換和電力驅動。在提高電力利用效率中起關鍵作用的是功率器件，也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。
在這種情況下，性能遠優于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環境
關鍵字：
豐田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910
使用國產6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結構的GaN MMIC芯片，連續波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續波輸出功率大于10W，帶內增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產SiC襯底的GaN MMIC。
關鍵字：
MMIC SiC GaN 襯底
日產汽車開發出了采用SiC二極管的汽車逆變器。日產已經把該逆變器配備在該公司的燃料電池車“X-TRAIL FCV”上，并開始行駛實驗。通過把二極管材料由原來的Si變更為SiC，今后有望實現逆變器的小型輕量化、提高可靠性。對于電動汽車而言，逆變器的大小一直是布局的制約因素之一。
SiC元件作為具有優異特性的新一代功率半導體備受矚目。SiC的絕緣破壞電場比Si大1位數左右，理論上SiC導通電阻可比Si減小2位數以上。原因是導通電阻與絕緣破壞電場3次方成反比。導通電阻小，因此可
關鍵字：
二極管 SiC 汽車 逆變器 日產
碳化硅（sic）介紹
您好，目前還沒有人創建詞條碳化硅（sic）!
歡迎您創建該詞條，闡述對碳化硅（sic）的理解，并與今后在此搜索碳化硅（sic）的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473