- ● 恩智浦和臺積電聯合開發采用臺積電16納米FinFET技術的嵌入式MRAM IP● 借助MRAM，汽車廠商可以更高效地推出新功能，加速OTA升級，消除量產瓶頸● 恩智浦計劃于2025年初推出采用該技術的新一代S32區域處理器和通用汽車MCU首批樣品 荷蘭埃因霍溫——2023年5月22日——恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達克股票代碼：NXPI）近日宣布與臺積電合作交付行業首創的采用16納米
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恩智浦 臺積電 FinFET 嵌入式MRAM
- 眾所周知，現在芯片已經是科技產業的基礎了，信息化、數字化、智能化，哪里都離不開它，并且是越來越重要。但大家也都清楚，美國是全球芯片霸主，壟斷了全球50%左右的芯片市場份額。不僅如此，美國在芯片產業鏈的上游，掌握著好多王牌。比如EDA/IP領域，美國拿下了80%的份額。比如半導體設備領域，美國拿下了70%左右的份額，半導體材料領域，美國拿下了30%左右的份額。同時日本、荷蘭、歐洲等國家和地區，都聽美國的，美國說打壓誰就打壓誰，說不給誰供貨就不給誰供貨，如果算上這些小弟，美國在整個芯片產業鏈的上游，壟斷了幾乎
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14nm 7nm
- 4 月 7 日消息，據外媒報道，ChatGPT 人工智能聊天機器人的大火，推動了相關產品的研發及應用熱潮，也推動了人工智能半導體市場的發展，相關的廠商將從中受益。外媒在報道中提到，三星電子晶圓代工業務部門，就將是人工智能半導體需求擴大的一大受益者，他們已開始量產下一代的人工智能芯片，并被預計將獲得大客戶的更多代工訂單。消息人士透露，三星電子晶圓代工業務部門，已經開始采用 14nm 制程工藝為韓國本土專注于人工智能的無晶圓廠商 FuriosaAI，代工第一代的 Warboy 芯片。Warboy 是一種人工智
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三星 14nm 晶圓代工
- 近日，華為傳出消息，已攻克部分自主替代關鍵環節。在近日華為舉辦的“突破烏江天險 實現戰略突圍—產品研發工具階段總結與表彰會”上，華為輪值董事長徐直軍透露了幾個關鍵信息點。首先，圍繞硬件開發、軟件開發和芯片開發三條研發生產線，華為努力打造自主工具，完成了軟件/硬件開發78款軟件工具的替代，保障了研發作業的連續。另外，華為芯片設計EDA工具團隊聯合國內EDA企業，共同打造了14nm以上工藝所需EDA工具，基本實現了14nm以上EDA工具國產化，預計2023年將完成對其全面驗證。此前3月17日，華為任正非在座談
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華為 14nm EDA 國內EDA
- 意法半導體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄，將在意法半導體位于法國Crolles的現有晶圓廠旁邊新建一座聯合運營的300毫米半導體晶圓廠。新工廠將支持多種半導體技術和工藝節點，包括FD-SOI。ST和GF預計，該晶圓廠將于2024年開始生產芯片，到2026年將達到滿負荷生產，每年生產多達62萬片300毫米晶圓。法國東南部的Crolles，距離意大利邊境不遠，長期以來一直是FD-SOI發展的溫床。從許多方面來看，FD-SOI是一種技術含量較低的方法，可以實現FinF
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FD-SOI GAAFET FinFET
- 英特爾近期于美國檀香山舉行的年度VLSI國際研討會，公布Intel 4制程的技術細節。相較于Intel 7，Intel 4于相同功耗提升20％以上的效能，高效能組件庫（library cell）的密度則是2倍，同時達成兩項關鍵目標：它滿足開發中產品的需求，包括PC客戶端的Meteor Lake，并推進先進技術和制程模塊。 英特爾公布Intel 4制程的技術細節。對于英特爾的4年之路，Intel 4是如何達成這些效能數據？ Intel 4于鰭片間距、接點間距以及低層金屬間距等關鍵尺寸（Critic
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Intel 4 制程技術 FinFET Meteor Lake
- 雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進節點上，兼顧寄生電容電阻的控制和實現更高的晶體管性能變得更具挑戰。泛林集團在與比利時微電子研究中心 (imec) 的合作中，使用了SEMulator3D?虛擬制造技術來探索端到端的解決方案，運用電路模擬更好地了解工藝變化的影響。我們首次開發了一種將SEMulator3D與BSIM緊湊型模型相耦合的方法，以評估工藝變化對電路性能的影響。這項研究的目的是優化先進節點FinFET設計的源漏尺寸和側墻厚
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泛林 5nm FinFET
- 中芯國際發布Q4及全年財報，單季營收首次站上15億美元，全年營收達到了54億美元，年增39%。中芯國際主要收入來源仍來自于成熟工藝，根據財報數據顯示，150/180nm占比為28.6%、55/65nm占比26.8%、40/45nm 占比15.3%、110/130nm 占比5.3%、250/350nm 占比2.9%、90nm 占比2.5%。最先進的28nm及14nm
FinFET工藝則貢獻了18.6%的營收，上一年同期只有5%。對于2022年的情況，中芯國際表
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中芯國際 14nm 28nm
- 觀察2021年主導半導體產業的新技術趨勢，可以從新的半導體技術來著眼。基本上半導體技術可以分為三大類，第一類是獨立電子、計算機和通訊技術，基礎技術是CMOS FinFET。在今天，最先進的是5奈米生產制程，其中有些是FinFET 架構的變體。這是大規模導入極紫外光刻技術，逐步取代多重圖形光刻方法。 圖一 : 半導體的創新必須能轉化為成本可承受的產品。我們知道，目前三星、臺積電和英特爾等主要廠商與IBM 合作，正在開發下一代3/2奈米，在那里我們會看到一種新的突破，因為他們最有可能轉向奈米片全環繞
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CMOS FinFET ST
- 中芯國際聯席CEO趙海軍透露了公司的先進工藝的情況，表示FinFET工藝已經達產，每月1.5萬片，客戶不斷進來。在最近的財報電話會上，中芯國際聯席CEO趙海軍透露了公司的先進工藝的情況，表示“我們的FinFET工藝已經達產，每月1.5萬片，客戶多樣化，不同的產品平臺都導入了。(這部分)產能處于緊俏狀態，客戶不斷進來。”根據之前的報道，中芯國際的FinFET工藝有多種類型，其中第一代FinFET工藝是14nm及改進型的12nm，目前1.5萬片產能的主要就是14/12nm工藝，第二代則是n+1、n+2工藝，已
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中芯國際 FinFET
- 2021年6月30日，近日新浪微博@烏合麒麟被網友指責轉發不實消息、造謠。雙方就“14nm芯片經過優化和新技術支持，是否可以比肩7nm性能”的問題論戰了多日，最終于6月27日烏合麒麟發布了一條收回道歉的聲明，并且他在這則聲明中提到了一些他對于3D封裝技術的理解。 “烏合麒麟”口中的14+14nm 3D封裝技術能成為國產芯片的希望嗎？ 關于他們爭論的問題，筆者認為可以從兩個方面探討： *采用14nm工藝制造的芯片是否可以通過3D封裝等技術最終達到肩比7nm的性能？ 這個說法本身沒問題。 *這個
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14nm 3D封裝
- 今年1月份，Intel宣布更換CEO，銷售出身的司睿博在2月份離職，由技術派出身的Pat Gelsinger（帕特·基辛格）接任，他之前在Intel工作了30年。 基辛格是工程師出身，30多年中參與了14款處理處理器研發，還是486處理器的架構師，2000年還擔任過首任CTO，可以說資深半導體技術專家了，他的回歸對Intel意義重大。 技術派掌握CEO，Intel未來的發展重點就是重振先進工藝，而基辛格也挖來了一位舊臣——Sanjay Natarajan，目前是應用材料科技公司的副總裁，后者是全球最大
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Intel 14nm
- 中芯國際昨晚發布了2020年Q4財報，收入66.71億元，同比增長10.3％，凈利潤12.52億元，同比增長93.5％。 盡管財務表現很不錯，但是中芯國際的先進工藝也受到了美國拉黑的影響，14/28nm工藝在Q4季度的營收占比只有5%，相比上個季度的14.6%大幅下滑。 中芯國際沒有公布具體原因，但結合早前的報道來看，在失去華為麒麟710A的訂單之后，中芯國際的14nm工藝營收顯然受到了嚴重影響，導致先進工藝發展面臨萎縮。 不過中芯國際顯然不會放棄先進工藝的研發、生產，在財報會議上，聯席CEO梁
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華為 14nm 中芯國際 麒麟710
- 日前，中芯國際聯席CEO梁孟松博士在投資者調研會議上透漏了公司最新進展，特別是在先進工藝上的最新情況。梁博士表示，14 納米在去年第四季度進入量產，良率已達業界量產水準。隨著我們展現出的研發執行能力，客戶對中芯國際技術的信心也在逐步增強，我們將持續提升產品和服務競爭力，引入更多的海內外客戶。我們第二代先進工藝技術n+1正在穩步地推進中，n+1正在做客戶產品驗證，目前進入小量試產，產品應用主要為高性能運算。相對于第一代先進技術，第二代技術平臺以低成本客制化為導向，第二代相較于14納米，性能提高20%，功率減
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中芯國際 14nm
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