- 據媒體報道，三星作為全球最大的NAND閃存供應商，為了提高新一代NAND閃存的競爭力，將在2024年升級其NAND核心設備供應鏈，各大NAND生產基地都在積極進行設備運行測試。?三星平澤P1工廠未來大部分產線將從第6代V-NAND改為生產更先進的第8代V-NAND，同時正在將日本東京電子（TEL）的最新設備引入其位于平澤P3的NAND生產線，此次采購的TEL設備是用于整個半導體工藝的蝕刻設備。三星的半導體產品庫存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結束時，三星旗下設備解決方案部門的庫存已增至
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三星 NAND 閃存
- 這兩年，DRAM內存芯片、NAND閃存芯片都需求疲軟，導致價格持續處于地位，內存、SSD硬盤產品也越來越便宜。不過，這種好日子似乎要結束了。根據集邦咨詢最新研究報告，預計在2024年，內存、閃存原廠仍然會延續減產策略，尤其是虧損嚴重的閃存，但與此同時，至少在2024年上半年，消費電子市場需求仍不明朗，服務器需求相對疲弱。由于內存、閃存市場在2023年已經處于低谷，價格也來到相對低點，因此 預計在2024年，內存、閃存芯片的市場需求將分別大漲13.0％、16.0％，相比今年高出大約6.5個、5.0
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內存 閃存
- 近日，三星電子宣布計劃在明年生產第 9 代 V-NAND 閃存，據爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產。早在 5 月份，據歐洲電子新聞網報道，西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知，固態硬盤的數據傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
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V-NAND 閃存 3D NAND
- IT之家 8 月 18 日消息，據 DigiTimes 報道，三星電子計劃明年生產第 9 代 V-NAND 閃存，將沿用雙層堆棧架構，超過 300 層。報道稱，這將使三星的進度超過 SK 海力士 —— 后者計劃 2025 年上半年量產三層堆棧架構的 321 層 NAND 閃存。早在 2020 年，三星就已首次引入雙層堆棧架構，生產第 7 代 V-NAND 閃存芯片。▲ 圖源三星IT之家注：雙層堆棧架構指在 300mm 晶圓上生產一個 3D NAND 堆棧，然后在第一個堆棧的基礎上建立另一個堆棧。
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三星 閃存
- 動態隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內存的數字電子設備，如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅動了DRAM的微縮，隨著技術在節點間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發展，以提高單位面積的存儲單元數量。（NAND指“NOT AND”，意為進行與非邏輯運算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個行業的發展，因為它能推動存儲器技術的突破，而且每平方微米存儲單元數量的增加意味著生產成本的降低。l DRAM技
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3D DRAM 泛林
- MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機主板方案，該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內核的高性能 MCU，主頻達到 150MHz，擁有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多個 Timer，多路 PWM，多種通信接口，支持 16 位的 ADC，資源豐富。 該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機，支持 5 軸電機控制，支
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3D 打印機 NXP LPC5528
- 中國上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會展中心舉辦的 2023中國（上海）機器視覺展 (Vision China) 展示最新產品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
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Teledyne Vision China 3D AI成像
- 6月1日，鎧俠宣布開始運營兩個新的研發設施——位于橫濱技術園區的旗艦大樓和Shin Koyasu技術前沿——以加強公司在閃存和固態硬盤（SSD）方面的研發能力。未來，神奈川縣的其他研發職能將轉移到這些新的研發中心，以提高研究效率。隨著新旗艦大樓的加入，橫濱科技園區的規模將幾乎翻一番，使鎧俠能夠擴大其評估閃存和SSD產品的能力，從而提高整體產品開發和產品質量。Shin Koyasu技術前沿將成為半導體領域尖端基礎研究的中心，包括新材料、工藝和器件，此處配備一間最先進的潔凈室。除了下一代存儲技術，鎧俠還從事其
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鎧俠 閃存 SSD
- 據中國臺灣《經濟日報》報道，全球NAND閃存主控芯片供應商慧榮科技（SIMO）公布2023年第1季財報，營收1億2407萬美元，季減38%，年減49%，第1季毛利率42.3%，稅后凈利1116萬美元。報道引述慧榮科技總經理茍嘉章表示，包括NAND大廠在內的主要客戶，目前一致認為市況仍極具挑戰。PC和智能手機終端市場持續呈現疲弱，上下游供應鏈皆將重心放在去化庫存，包括消費級SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲設備供應商，因此影響相關控制芯片的營收。茍嘉章認為，見到一些客戶的下單模式從第2季開始有所改善，再加
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NAND 閃存 主控芯片
- 5 月 5 日消息， 鎧俠和西數展示最新的技術儲備，雙方正在努力實現 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據其公布的技術論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數據還合作開發具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件，這是一個具有實驗性的 3D NAND IC，通過金屬誘導側向
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3D NAND
- 【2023 年 4 月 25日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出業界首款 LPDDR 閃存，助力打造下一代汽車電子電氣（E/E）架構。英飛凌 SEMPER? X1 LPDDR 閃存為汽車域和區域控制器提供至關重要的安全、可靠和實時的代碼執行。該器件的性能是當前NOR 閃存的8 倍，實時應用程序的隨機讀取事務速度提高了 20 倍。這使得軟件定義的車輛具有增強安全性和架構靈活性的高級功能。 下一代汽車更智能、更網聯、更復雜，并
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