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2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存,32層堆棧
- 摘要:由于智能手機、SSD市場需求強烈,閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價,這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中,存儲芯片是最優(yōu)先的,也是全國各地都爭著上馬的項目,其中國家級的存儲芯片基地在武漢,投資超過240億美元,之前是新芯科技主導(dǎo),現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo),預(yù)計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存,而且是32層堆棧的,起點不算低。 2015年中,國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市,由武漢新芯科技公司負責(zé)建設(shè),今年3月份12寸晶圓廠正式動工,整個項目預(yù)
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2017年中國將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存
- 由于智能手機、SSD市場需求強烈,閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價,這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中,存儲芯片是最優(yōu)先的,也是全國各地都爭著上馬的項目,其中國家級的存儲芯片基地在武漢,投資超過240億美元,之前是新芯科技主導(dǎo),現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo),預(yù)計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存,而且是32層堆棧的,起點不算低。 2015年中,國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市,由武漢新芯科技公司負責(zé)建設(shè),今年3月份12寸晶圓
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推動“大眾創(chuàng)業(yè)、萬眾創(chuàng)新”
- 中國重慶渝北區(qū)仙桃數(shù)據(jù)谷近日建立 “ ARM架構(gòu)集成電路產(chǎn)業(yè)支持平臺”,該平臺將為在重慶渝北區(qū)落戶的IC設(shè)計企業(yè)提供ARM IP購買、技術(shù)服務(wù)、設(shè)計工具、培訓(xùn)等全方位支持。 該平臺的建立將直接推動重慶本地以IC設(shè)計為代表的電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新項目發(fā)展,凡在重慶仙桃數(shù)據(jù)谷落地的電子與集成電路設(shè)計相關(guān)企業(yè)今后都能申請此平臺支持,重慶渝北區(qū)政府將對符合條件的項目與企業(yè)提供優(yōu)惠補貼,幫助其迅速并以優(yōu)惠價格獲得ARM IP、設(shè)計工具以及相關(guān)培訓(xùn)與技術(shù)支持等。該平臺的建立有利于IC設(shè)計企業(yè)降
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大陸IC產(chǎn)業(yè) 國家意志崛起
- 回顧2011~2015年資料,中國IC產(chǎn)業(yè)年產(chǎn)值增幅保持在10%以上,近2年增長幅度更是維持在20%左右,而制造端從2012年起增速逐步上升,至2015年產(chǎn)值年增率更是來到25%,充分體現(xiàn)中國在IC制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面強烈的國家意志。 一、中國IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值 與IC制造業(yè)產(chǎn)值 積 體電路產(chǎn)業(yè)在國家經(jīng)濟發(fā)展和國家安全中占有至關(guān)重要的地位,2000年以來,中國政府發(fā)表了一系列IC產(chǎn)業(yè)重點扶持和發(fā)展政策從未間斷,其中“國家積體電 路發(fā)展推進綱要”提出目標:中國積體電路產(chǎn)業(yè)
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中關(guān)村集成電路設(shè)計園要當“全球芯創(chuàng)中心”
- 很多國際企業(yè)與大師來中國,不一定是對中國有多么深的感情,而是因為中國的市場。因為海外可能沒有這么大的市場,或市場已經(jīng)發(fā)展完了,而只有中國才有這種投資建設(shè)的需求。 北京中關(guān)村集成電路(IC)設(shè)計園正是看到了這點。一方面,積極扶植園內(nèi)中小型企業(yè),另一方面,建立海外對接平臺力圖吸引國際化的創(chuàng)業(yè)團隊,為他們提供在華企業(yè)注冊、辦公條件、項目投融資等眾多便利條件。“我們按照世界一流園區(qū)來建造,成為‘全球‘芯’創(chuàng)中心’只是一個時間問題。”北京中關(guān)村集成電路設(shè)計園發(fā)展有限責(zé)任公司副總經(jīng)理指出。 據(jù)悉,園區(qū)將打造創(chuàng)
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通過主動輸出放電功能來保護敏感和昂貴的負載
- 傳統(tǒng)上,一直用高效率開關(guān)穩(wěn)壓器給這類器件供電,但是開關(guān)穩(wěn)壓器可能有潛在的噪聲干擾問題以及瞬態(tài)響應(yīng)和布局限制。因此, 低壓差(LDO)線性穩(wěn)壓器在這類應(yīng)用以及其他低壓轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中開始受到關(guān)注。本文通過介紹LDO和其他穩(wěn)壓器面臨的挑戰(zhàn)以及凌力爾特公司的LT306x 系列穩(wěn)壓器,說明了在新的電路設(shè)計方法和改進的芯片制造工藝下LDO的特點以及應(yīng)用前景。
- 關(guān)鍵字: LDO 線性穩(wěn)壓器 IC 負載 201610
美光3D NAND創(chuàng)新低成本制程分析
- 美光公司日前開始量產(chǎn)其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體,包含該元件的首批商用下游產(chǎn)品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟(SSD)。如圖1所示,這款產(chǎn)品的連續(xù)讀取/寫入速度分別高達每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅(qū)動器(HDD)改善了90倍,據(jù)稱也更加耐用。 Crucial SSD的售價為200美元,這使其成為筆記型電腦應(yīng)用最具吸引力的選項,而且我們發(fā)現(xiàn)有越來越多的電腦設(shè)備開始利用SSD取代傳統(tǒng)HDD。HDD也許將逐漸被市場所淘汰,不過必須承認的
- 關(guān)鍵字: 美光 3D NAND
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