- MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機主板方案,該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內核的高性能 MCU,主頻達到 150MHz,擁有 512KB 片上 Flash ,256KB RAM ,有多個 Timer,多路 PWM,多種通信接口,支持 16 位的 ADC,資源豐富。 該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示,480*320 分辨率,支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機,支持 5 軸電機控制,支
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3D 打印機 NXP LPC5528
- 中國上海,2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會展中心舉辦的 2023中國(上海)機器視覺展 (Vision China) 展示最新產品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進的 3D 解決方案,Teledyne DALSA、e2v 和 FL
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Teledyne Vision China 3D AI成像
- 與Menlo Microsystems的合作將新的開關技術引入PXI射頻多路復用開關,以顯著地提高性能。2023年6月26日,于英國Clacton-on-sea。Pickering Interfaces公司作為生產用于電子測試及驗證領域的信號開關與仿真解決方案的主要廠商,于今日發布了一款采用新的開關技術的PXI/PXIe射頻多路復用開關模塊新產品。新款基于MEMS的射頻多路復用開關是無線通訊和半導體測試的理想選擇,與傳統 EMR(電磁繼電器)開關相比,操作壽命大大延長(高達300倍)、切換速度更快(高達6
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Pickering MEMS 微機電系統 射頻開關模塊
- ■ 1260 hPa和4060 hPa雙量程絕對壓力氣壓計,數字輸出,Qvar?檢測技術,防水封裝■ 測量精度高,耐候性出色,適用于燃氣表、水表、天氣監測、空調和家用電器2023年6月13日,中國 – 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)在工業市場上推出了首款 MEMS 防水/防液絕對壓力傳感器,納入十年供貨保證計劃。意法半導體 AMS MEMS 子產品部總經理 Simone Ferri
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意法半導體 MEMS 防水壓力傳感器
- 由于MEMS壓力傳感器的制作過程中存在著許多不可控因素,例如,制備環境、工藝誤差、設備誤差等,因此,整個MEMS壓力傳感器的穩健優化設計是極其重要的。本文對電容式MEMS壓力傳感器進行優化設計,以期為后續研究開發電容式MEMS壓力傳感器奠定必要的基礎依據。
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202305 MEMS 壓力傳感器 電容式 優化設計
- 5 月 5 日消息, 鎧俠和西數展示最新的技術儲備,雙方正在努力實現 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據其公布的技術論文,鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,讀取延遲縮小到 40 微秒。此外,鎧俠和西部數據還合作開發具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件,這是一個具有實驗性的 3D NAND IC,通過金屬誘導側向
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3D NAND
- 據麥姆斯咨詢報道,使用雷達傳感器監測生命體征的研究已經進行了幾十年。該技術能夠對心跳和呼吸頻率進行持續的非接觸式監測,并具有低功耗和小PCB尺寸的優勢。憑借創新的60 GHz雷達傳感器,其在消費電子產品中的應用正在成為現實。在老齡化社會中,健康監測將發揮越來越重要的作用。健康問題最好能在早期階段被發現,從而避免住院或至少盡可能縮短住院時間。人們希望在自己熟悉的環境中過著自主和獨立的生活,直到晚年。此外,年輕人對更加個性化和自主的醫療服務感興趣。通過隨時監測健康狀態,人們有可能在早期發現疾病和精神壓力并采取
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MEMS 傳感器
- 近日,外媒《BusinessKorea》報道稱,三星的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業化,并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法,據稱這將改變存儲器行業的游戲規則。3D DRAM是什么?它將如何顛覆DRAM原有結構?壹摩爾定律放緩,DRAM工藝將重構1966年的秋天,跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發明了動態隨機存取存儲器(DRAM),而在不久的將來,這份偉大的成就為半導體行業締造了一個影響巨大且市場規模超千億美元的產業帝國。DRA
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3D DRAM 存儲器
- 據外媒《BusinessKorea》報道,三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業化,并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導體研究所副社長兼工藝開發室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區三成洞韓國貿易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示,3D DRAM被認為是半導體產業的未來增長動力。考慮到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況,業界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然,而不是一種方向。與現有
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存儲 3D DRAM
- 國內EDA行業領導者芯和半導體,由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設計分析方面的杰出表現,近日在半導體行業國際在線平臺3D InCites的評選中,獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱號。? “Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產品的設計,這一事件引起了我們極大的關注。“3D InCites創始人Fran?oise von Trapp表示,” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D InCi
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芯和半導體榮 3D InCites Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎
- 國內EDA行業領導者芯和半導體,由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設計分析方面的杰出表現,近日在半導體行業國際在線平臺3D InCites的評選中,獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱號。?“Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產品的設計,這一事件引起了我們極大的關注。“3D?InCites創始人Fran?oise von Trapp表示,” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D
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芯和半導體 3D InCites Herb Reiter年度最佳設計工具供應商獎
- 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝(用于移動應用程序、數據中心和人工智能)的性能,就需要對架構、材料和核心制造流程進行復雜且代價高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料,包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料,以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動 SoC 平臺,包括一個或多
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3D NAND DRAM 5nm SoC
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