MEMS傳感器是當今最熱門的傳感器種類，MEMS技術使傳感器微型化、低功耗、集成化成為可能，是未來傳感器技術的發展方向之一。本文編譯自傳感器寶典——《現代傳感器手冊——原理、設計和應用》，說明了MEMS電容式傳感器、MEMS觸覺傳感器、MEMS壓電式加速度計等常見傳感器的原理和構造，可選自己感興趣的部分MEMS傳感器知識閱讀。如需《現代傳感器手冊——原理、設計和應用》（美第五版，790P，PDF）一書電子文檔，可在傳感器專家網公眾號后臺回復【現代傳感器手冊】獲取下載鏈接。本文內容較全面，可按目錄獲取需要的
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MEMS 傳感器
從目前公開的DRAM（內存）技術來看，業界認為，3D DRAM是DRAM技術困局的破解方法之一，是未來內存市場的重要發展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業技術痛點？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內存）單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量內存的數字電子設備。DRAM開發主要通過減小電路線寬來提高集成度
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3D DRAM 存儲
2023 年 12 月 24 日，北京賽微電子股份有限公司發布關于全資子公司 MEMS-OCS 啟動量產的公告，全資子公司 Silex Microsystems AB 以 MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems 的縮寫，即微電子機械系統，簡稱為微機電系統）工藝為某客戶制造的 OCS（Optical Circuit Switch 的縮寫，即光鏈路交換器件）完成了工藝及性能驗證（工藝開發與試產的總耗費時間超過 7 年），并于 2023 年 12 月 22 日收到該客戶發出的
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MEMS-OCS 賽微電子
開發下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
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3D NAND
●? ?HAL 3930-4100（單芯片）和 HAR 3930-4100（雙芯片）是兩款精確的霍爾效應位置傳感器，具備穩健的雜散場補償能力，并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級，可以集成到汽車安全相關系統中，最高可達 ASIL D 級●? ?目標汽車應用場景包括轉向角位置檢測、變速器位置檢測、換檔器位置檢測、底盤位置檢測、油門和制動踏板位置檢測**TDK株式會社利用適用于汽車和工業應用場景的新型
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TDK ASIL C 3D HAL傳感器
浙江芯晟微機電制造有限公司開業儀式舉行，標志著總投資5.4億元的高端MEMS芯片制造項目正式投產。據湖州莫干山高新區官微消息，日前，浙江芯晟微機電制造有限公司開業儀式舉行，標志著高端MEMS芯片制造項目正式投產。據悉，浙江芯晟微機電制造有限公司MEMS芯片制造項目總投資5.4億元，位于高新區城北園區的核心區域，占地74畝，新增建筑面積8.9萬平方米，項目一期建成6英寸晶圓高端MEMS芯片量產線，將進一步優化湖州市德清縣芯片制造產業結構。
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MEMS 機電 芯晟微電機
●? ?全新霍爾效應傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數字 SENT 協議。●? ?卓越的角度測量以及符合 ISO 26262 標準的開發水平，以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車和工業應用場景提供支持。TDK 株式會社近日宣布，其 Micronas 直接角霍爾效應傳感器系列產品增添了新成員，現推出面向汽車和工業應用場景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測的
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TDK 3D HAL 位置傳感器
3D ToF智能相機能藉助飛時測距（Time of Flight；ToF）技術，在物流倉儲現場精準判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無人搬運車移動順暢，加速物流倉儲行業自動化。2020年全球疫情爆發，隔離政策改變人們的消費模式與型態，導致電商與物流倉儲業出現爆炸性成長；于此同時，人員移動的管制，也間接造成人力不足產生缺工問題，加速物流倉儲行業自動化的進程，進而大量導入無人搬運車AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
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3D ToF 相機 物流倉儲 自動化 臺達
近日，三星電子宣布計劃在明年生產第 9 代 V-NAND 閃存，據爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產。早在 5 月份，據歐洲電子新聞網報道，西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知，固態硬盤的數據傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
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V-NAND 閃存 3D NAND
1. 2022年增長了46%?2023年初，市場調研公司Gartner發布了全球前20名半導體廠商的排名，從營收漲跌幅來看，ADI（Analog Devices, Inc.）2022年營收同比增長46%，在全球前20大半導體廠商中營收增長幅度最大（注：部分原因來自于2021年對Maxim的收購）。而2022年全球半導體業市場表現低迷，據Garner統計，2022年全球半導體收入增長1.1%。 ? ? ? ? ? ? ? &nb
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202310 ADI 放大器 數據轉換器 DSP MEMS
動態隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內存的數字電子設備，如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅動了DRAM的微縮，隨著技術在節點間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發展，以提高單位面積的存儲單元數量。（NAND指“NOT AND”，意為進行與非邏輯運算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個行業的發展，因為它能推動存儲器技術的突破，而且每平方微米存儲單元數量的增加意味著生產成本的降低。l DRAM技
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3D DRAM 泛林
MEMS加速度計對于檢測故障情況、幫助防止意外斷電或避免發生其他代價高昂的事件至關重要。作為一名負責為狀態監控(CbM)應用選擇和安裝合適傳感器的工程師，需要在做出選擇之前仔細考慮多個關鍵參數，然而這些參數常常被忽視。本文將討論您在做出選擇時應特別留意的一些關鍵標準。問題:為狀態監控選擇MEMS加速度計時，有哪些關鍵但經常被忽視的參數？答案:在MEMS加速度計的選擇過程中，經常被低估或忽視的關鍵參數有傳感器的量程、帶寬和諧振頻率。如果這些參數太低或僅能勉強滿足需求，將會導致測量效果不理想。簡介MEMS加速
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ADI MEMS
電容式微機械超聲換能器（CMUT）是利用MEMS微加工技術制作的超聲換能器，具有低聲阻抗、寬帶寬、體積小等優點。然而，相比于壓電式超聲換能器，CMUT存在發射靈敏度較低、輸出聲壓不夠高等問題。據麥姆斯咨詢報道，為了解決CMUT聲發射能力弱、輸出聲壓低的問題，中北大學研究人員根據CMUT工作原理與阻抗匹配理論設計了匹配電路，實現信號源端到CMUT的最大功率傳遞，以此提升CMUT的聲發射性能，為CMUT的實際應用提供解決方案。相關研究成果已發表于《傳感器與微系統》期刊。單個CMUT陣元由許多CMUT微元構成，
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MEMS CMUT
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