3d-mimo 文章最新資訊

東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成

　　東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲(chǔ)器事業(yè)的副社長(zhǎng)成毛康雄于6日舉行的投資人說(shuō)明會(huì)上表示，將沖刺N(yùn)AND Flash產(chǎn)量，目標(biāo)在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴(kuò)增至2015年度的3倍水準(zhǔn)(以容量換算)。　　關(guān)于已在2016年度開(kāi)始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash，成毛康雄指出，將強(qiáng)化3D Flash的生產(chǎn)，目標(biāo)在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準(zhǔn)。　　東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。　　日經(jīng)、韓國(guó)先驅(qū)報(bào)(
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Cell on Peri構(gòu)造有利IDM提升3D NAND Flash競(jìng)爭(zhēng)力

　　Cell on Peripheral Circuit(以下簡(jiǎn)稱(chēng)Cell on Peri)構(gòu)造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營(yíng)開(kāi)發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類(lèi)似此一構(gòu)造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
關(guān)鍵字： 3D NAND 美光

2016年下半3D NAND供應(yīng)商上看4家三星仍將具產(chǎn)能技術(shù)優(yōu)勢(shì)

　　DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應(yīng)3D NAND Flash的主要業(yè)者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲(chǔ)器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash，三星獨(dú)家供應(yīng)3D NAND Flash的狀況將改變，不過(guò)，三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構(gòu)邁進(jìn)，短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢(shì)。　　三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
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3D保護(hù)玻璃市場(chǎng)產(chǎn)值將于18年超越2D保護(hù)玻璃

　　觸摸屏的保護(hù)玻璃，又稱(chēng)之為保護(hù)蓋，用來(lái)保護(hù)顯示屏和觸控面板。為了適應(yīng)智能機(jī)的不同設(shè)計(jì)需求，保護(hù)玻璃有不同的形狀。保護(hù)玻璃通常位于顯示器和觸控面板的頂部，再根據(jù)保護(hù)玻璃的形狀分為2D，2.5D和3D等。隨著智能手機(jī)廠商越來(lái)越在外形和時(shí)尚設(shè)計(jì)方面競(jìng)爭(zhēng)，舒適的手感和靈敏的觸控反應(yīng)越來(lái)越重要，這也鼓勵(lì)著觸控面板廠商開(kāi)發(fā)形狀更好的保護(hù)玻璃。　　2016年用于手機(jī)的3D保護(hù)玻璃出貨量預(yù)計(jì)將增至4,900萬(wàn)片，占手機(jī)用保護(hù)玻璃市場(chǎng)總量的3.1%。IHS預(yù)測(cè)2017年其出貨量將飛漲103.9%達(dá)1億片的規(guī)模，
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3D NAND成半導(dǎo)體業(yè)不景氣救世主

　　韓媒NEWSIS報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對(duì)策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進(jìn)入量產(chǎn)的技術(shù)，在這之前業(yè)界采用的是水平結(jié)構(gòu)，3D垂直堆疊技術(shù)成為克服制程瓶頸的解決方案。　　3D NAND比20納米級(jí)產(chǎn)品的容量密度高，讀寫(xiě)速度快，耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲(chǔ)器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小?；谏鲜鰞?yōu)點(diǎn)，對(duì)于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺(tái)的相關(guān)服務(wù)，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
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是時(shí)候?yàn)?G“競(jìng)賽”設(shè)定一個(gè)新標(biāo)準(zhǔn)了

　　天線設(shè)計(jì)和測(cè)量是挑戰(zhàn)的核心　　在這個(gè)移動(dòng)設(shè)備數(shù)量比人類(lèi)數(shù)量還要多的世界里，人們很容易忘記：15年前我們的生活中還沒(méi)有智能手機(jī)。從1G到4G，每一代移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)都為我們帶來(lái)了更快的通信速度和更多新的應(yīng)用，廣泛影響了人們的個(gè)人和職業(yè)生活。如今，整個(gè)行業(yè)都為有望在2017到2020年到來(lái)的5G而躁動(dòng)。5G引領(lǐng)的新一代網(wǎng)絡(luò)速度高達(dá)10 Gbit/s，超低延遲約1毫秒(比4G快50倍)，給我們的工作和生活帶來(lái)了無(wú)限可能，智慧城市、無(wú)人駕駛、關(guān)鍵醫(yī)療、“物的聯(lián)網(wǎng)”革命都指日可待。　　毋庸置疑，正在全球上演的科技競(jìng)賽
關(guān)鍵字： 5G MIMO

MIMO線性化電路為綠色網(wǎng)絡(luò)部署鋪平道路

　　Maxim Integrated Products, Inc 推出SC2200雙通道RF功率放大器線性化電路(RFPAL)，幫助設(shè)計(jì)者實(shí)現(xiàn)低功耗、低成本、小尺寸RF前端。　　與補(bǔ)償操作相比，線性化電路使功率放大器功耗降低達(dá)70%。此外，器件將物料清單(BOM)成本降低達(dá)50%，尺寸比市場(chǎng)上的其它數(shù)字預(yù)失真(DPD)方案小8倍。SC2200應(yīng)用只需1平方英寸電路板空間，大大提高功率放大器效率，而兩條通道滿(mǎn)載工作時(shí)的功耗小于1.5W。這有助于制造商提高競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，幫助運(yùn)營(yíng)商實(shí)現(xiàn)降低運(yùn)營(yíng)和部署成本的要求。
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5G的未來(lái)將收斂于四大方向

未來(lái)5G通訊，會(huì)著重在更多服務(wù)與系統(tǒng)的整合，因此，必須從終端使用者的角度來(lái)思考，才能符合真正的市場(chǎng)需求。
關(guān)鍵字： 5G MIMO

3D Touch還不夠好用？蘋(píng)果可能另有其謀

任何一個(gè)行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，都有義務(wù)去推進(jìn)新技術(shù)的發(fā)展，隨著后續(xù)功能的適配，3D Touch的未來(lái)一片光明。
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醫(yī)療新巨頭誕生：6000萬(wàn)美元的大合并！

　　去年10月，全球3D打印醫(yī)療應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)3D Medical，與頂級(jí)醫(yī)學(xué)圖像處理技術(shù)開(kāi)商Mach7合并。如今，這樁交易已經(jīng)宣布完成，合并后的新公司被稱(chēng)為Mach7 Technologies，并將在澳大利亞證交所上市，交易代碼M7T。　　據(jù)悉，3D Medical原本就以向醫(yī)生提供針對(duì)不同病人的3D打印各種定制器官和骨骼模型而知名;而Mach7的主要業(yè)務(wù)則是醫(yī)學(xué)影像技術(shù)。在這筆總額高達(dá)6000萬(wàn)美元的合并交易完成之后，新公司將會(huì)把總部設(shè)在澳洲的墨爾本。　　據(jù)了解，3D Medical和Ma
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存儲(chǔ)“芯”發(fā)展剖析3D NAND閃存市場(chǎng)現(xiàn)狀

國(guó)內(nèi)大力扶持存儲(chǔ)，各種巨額的投資項(xiàng)目爭(zhēng)議不小，但是為了存儲(chǔ)自主的未來(lái)，也值。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 3D NAND

多天線終端測(cè)試方法的演進(jìn)、理論與實(shí)踐

　　摘要: 多入多出(MIMO，Multi-Input Multi-Output)多天線技術(shù)是高速無(wú)線通信的發(fā)展趨勢(shì)，隨著商用設(shè)備的出現(xiàn)，針對(duì)多天線技術(shù)的測(cè)試方法——MIMO OTA 受到了廣泛的關(guān)注。目前大部分人對(duì)MIMO OTA 的理解停留在觀望階段，由于信道模型的引入，技術(shù)的復(fù)雜性使得各種測(cè)試方案眾說(shuō)紛紜。本文將從信道模型開(kāi)始闡述MIMO OTA 的基本概念，分類(lèi)介紹四種主要的測(cè)試方案，通過(guò)我們對(duì)信道模型的驗(yàn)證結(jié)果，從電
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2016年R&S無(wú)線終端測(cè)試技術(shù)研討會(huì)圓滿(mǎn)落幕

　　隨著移動(dòng)通信市場(chǎng)蓬勃發(fā)展，LTE網(wǎng)絡(luò)大規(guī)模商用以及各大運(yùn)營(yíng)商陸續(xù)加大對(duì)移動(dòng)終端設(shè)備的財(cái)政補(bǔ)貼，移動(dòng)終端設(shè)備的生產(chǎn)、認(rèn)證及運(yùn)營(yíng)商入庫(kù)測(cè)試等已然成為市場(chǎng)中的熱點(diǎn)。隨著LTE技術(shù)的不斷更新以及相關(guān)測(cè)試規(guī)范組織發(fā)布更多的新功能如下行3CC載波聚合以及多階MIMO等，工程師將面臨比以往更大的測(cè)試挑戰(zhàn)。為了幫助工程師克服這些挑戰(zhàn)，羅德與施瓦茨公司(R&S公司)于2016年3月14日-19日在北京、上海和深圳三個(gè)城市舉辦了“2016年R&S無(wú)線終端測(cè)試技術(shù)研討會(huì)”。　　 &nb
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投資10nm/3D NAND　晶圓廠設(shè)備支出今年增3.7%

　　國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)最新報(bào)告指出，3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術(shù)投資，將驅(qū)動(dòng)2016年晶圓廠設(shè)備支出攀升，預(yù)估2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?In-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出將增長(zhǎng)3.7%，達(dá)372億美元;而2017年則可望再成長(zhǎng)13%，達(dá)421億美元。　　SEMI指出，2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%;預(yù)測(cè)2016年上半年晶圓廠設(shè)備支出可望緩慢提升，下半年則將開(kāi)始加速，為2017年儲(chǔ)備動(dòng)能。2017年相關(guān)支出可望回復(fù)兩位數(shù)成
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中國(guó)砸240億美元躍進(jìn)3D NAND閃存時(shí)代

國(guó)內(nèi)終于要有了存儲(chǔ)，剩下的問(wèn)題就是國(guó)產(chǎn)閃存應(yīng)該如何與三星、Intel、東芝們競(jìng)爭(zhēng)呢？初期的價(jià)格戰(zhàn)是不可避免的，但長(zhǎng)久來(lái)看還得是技術(shù)立足。
關(guān)鍵字： 3D NAND 存儲(chǔ)