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SiC MOSFET 體二極管特性及死區(qū)時間選擇
- 01、SiC MOSFET的體二極管及其關(guān)鍵特性無論是平面柵還是溝槽柵，SiC MOSFET都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其縱向（從漏極到源極）的層狀結(jié)構(gòu)是通用的，如下圖所示：圖1. 溝槽型--英飛凌非對稱溝柵CoolSiC? MOSFET圖2. 平面柵型MOSFETN+襯底(Substrate)：高摻雜，作為漏極。N-外延層(Drift Layer)：低摻雜，用于承受高阻斷電壓。P-body區(qū)：P型阱區(qū)，通過離子注入形成。其上方是源極的N+區(qū)。柵極(Gate)：在SiO2絕緣層（柵氧）之上，用于控制溝道導(dǎo)通。源極
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1200V 碳化硅半橋模塊問世，為 IGBT 方案提供簡易升級路徑
- SemiQ 推出面向數(shù)據(jù)中心制冷與工業(yè)驅(qū)動的半橋系列產(chǎn)品，集成 1mΩ 導(dǎo)通電阻 SiC MOSFET 與并聯(lián)碳化硅二極管，實現(xiàn)高功率轉(zhuǎn)換效率。來源：Anattawut | Dreamstime.comSemiQ 公司開發(fā)的 QSiC Dual3 系列 1200V 半橋 MOSFET 模塊，主要面向數(shù)據(jù)中心制冷系統(tǒng)中的電機驅(qū)動、儲能系統(tǒng)電網(wǎng)變流器以及工業(yè)驅(qū)動設(shè)備。該系列共六款產(chǎn)品，其中兩款的導(dǎo)通電阻 RDS (on) 僅 1mΩ，在 62mm×152mm 封裝內(nèi)實現(xiàn) 240W/in3 的功率密度。QSiC
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SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計要點
- SiC MOSFET 的單管額定電流受芯片面積、封裝散熱、導(dǎo)通電阻等因素限制,常見的單管額定電流多在幾十到兩百安培,而軌道交通、新能源并網(wǎng)、高壓逆變器等場景,往往需要千安級的電流輸出,單管無法滿足。因此,SiC MOSFET的并聯(lián)應(yīng)用的場景越來越普遍。不管是SiC MOSFET還是IGBT,并聯(lián)的目標(biāo)都是實現(xiàn)電流的均勻分布,且消除芯片間的振蕩。為了達到這一目標(biāo),我們需要做到三點:1.并聯(lián)芯片參數(shù)盡可能一致2.功率回路、驅(qū)動回路與散熱結(jié)構(gòu)布局一致3.門極驅(qū)動電路的優(yōu)化設(shè)計作為高速開關(guān)器件,SiC MOSFE
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溝槽柵SiC MOSFET如何成為SST高頻高壓下的最優(yōu)解
- 對于我國的電力電子界來說,固態(tài)變壓器(SST)并非是一個全新的話題,在軌道交通、電網(wǎng)合環(huán)運行、大型超充站項目里都有過試點實踐。受限于高成本、功率器件參數(shù)選擇少、高頻變壓器散熱瓶頸,SST曾經(jīng)的商業(yè)化之路面對的挑戰(zhàn)大于機遇。智算中心800V高壓直流供電系統(tǒng)概念的普及,和未來智能電網(wǎng)的電力潮流雙向流動,讓SST的商業(yè)價值獲得了前所未有的想象力。隨著AI算力向MW級機架演進,傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)已經(jīng)不堪重負(fù),難以承載極端功率密度與能效要求。智算中心正從“算力堆砌”邁入“算電協(xié)同”的關(guān)鍵階段。在這一背景下,SST
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碳化硅賦能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超結(jié) MOSFET
- 碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料特性,在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,從碳化硅如何重構(gòu)電源設(shè)計邏輯出發(fā),剖析其在工業(yè)與服務(wù)器電源場景的應(yīng)用價值。我們已經(jīng)介紹了碳化硅如何革新電源設(shè)計、工業(yè)與服務(wù)器電源。三種替代 Si 和 SiC MOSFET的方案。SiC Cascode JFET的動態(tài)特性、SiC Combo JFET的應(yīng)用靈活性。本文將介紹利用 SiC CJFET替代超結(jié) MOSFET以及開關(guān)電源應(yīng)用。1、利用 SiC CJFET替代
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Vishay推出適用于GaN和SiC開關(guān)應(yīng)用EMI濾波的新型航天級共模扼流圈
- 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2026年4月15日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款新型航天級表面貼裝共模扼流圈---SGCM05339，適用于嚴(yán)苛航空航天應(yīng)用電磁干擾（EMI）濾波和噪聲抑制。 Vishay定制磁芯SGCM05339是GaN和SiC開關(guān)應(yīng)用的理想選擇，這類應(yīng)用的波形會出現(xiàn)銳邊，導(dǎo)致電磁輻射干擾。共模扼流圈還可用于低電流立式電源、分布式電源系統(tǒng)DC/DC轉(zhuǎn)換器，以及太陽能電池
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SiC MOSFET 短路行為解析與英飛凌保護方案探討
- 在設(shè)計常見的DCDC或DCAC等電路時，我們經(jīng)常遇到需要橋臂直通保護的要求。IGBT通常具有5~10us的短路耐受時間，足以應(yīng)付大部分短路工況。然而，對于SiC MOSFET器件來說，問題變得復(fù)雜了。因為在相同的電流等級下，SiC MOSFET的短路耐受時間通常比IGBT小很多。這主要是因為SiC MOSFET的芯片尺寸比傳統(tǒng)的硅基器件小很多，同時非常薄的外延層使得發(fā)熱位置更加集中（詳細(xì)原因闡述見談?wù)凷iC MOSFET的短路能力）。這給短路保護設(shè)計帶來了巨大的挑戰(zhàn)，即使是微小的系統(tǒng)設(shè)計差異也會顯著影響S
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英飛凌第二代SiC MOSFET性能解析及設(shè)計要點
- 在新能源革命與工業(yè)數(shù)字化的浪潮中，功率半導(dǎo)體作為核心“能量管家”，直接決定著電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率、密度與可靠性。英飛凌作為全球功率器件的領(lǐng)軍者，憑借其深耕碳化硅（SiC）領(lǐng)域的技術(shù)積淀，推出了CoolSiC? MOSFET G2系列產(chǎn)品，以全方位的性能突破，重新定義了SiC MOSFET的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，為光伏、儲能、電動汽車充電等關(guān)鍵領(lǐng)域注入強勁動力。相比于G1單管器件僅有650V/1200V兩檔電壓等級，G2系列電壓等級更加全面，涵蓋400V/650V/750V/1200V/1400V，以及豐富多樣的封裝形式
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第三代半導(dǎo)體的戰(zhàn)略意義：SiC和GaN如何突破硅基芯片的戰(zhàn)場局限
- 很多人想不明白為何美國以軍事用途為由列舉出海量的半導(dǎo)體禁運名單中，其中絕大部分并不是最先進的處理器，而是很多看似工藝并不先進的模擬類芯片。半導(dǎo)體作為現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，其技術(shù)迭代直接推動國防裝備的性能躍升。從第一代硅（Si）半導(dǎo)體到第二代砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體，再到以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，每一次材料體系的革新，都為國防軍事裝備帶來革命性變化。與前兩代半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體具備高飽和電子遷移速率、高擊穿電壓、高熱導(dǎo)率、抗輻射等核心優(yōu)勢，完美適配高溫、高壓、高頻、大
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Vishay采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的1200V SiC MOSFET功率模塊提升功率效率
- 2026年3月17日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模塊---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120，其目標(biāo)在于提升汽車、能源、工業(yè)及通信系統(tǒng)中高頻應(yīng)用的功率效率。Vishay VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS
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為800V應(yīng)用選擇合適的半導(dǎo)體技術(shù)
- 隨著AI數(shù)據(jù)中心向更高功率密度和更高效能源分配演進，高壓中間母線轉(zhuǎn)換器（HV IBC）正逐漸成為下一代云計算供電架構(gòu)中的關(guān)鍵器件。本文針對橫向GaN HEMT、碳化硅MOSFET及SiC Cascode JFET（CJFET）三類寬禁帶功率器件，在近1 MHz高頻開關(guān)條件下用于高壓母線轉(zhuǎn)換器的性能展開對比分析。重點評估了導(dǎo)通損耗、開關(guān)特性、柵極電荷損耗及緩沖電路需求等關(guān)鍵指標(biāo)。同時，本文亦探討了三種諧振轉(zhuǎn)換器拓?fù)洹询B式LLC、單相LLC與三相LLC——對其系統(tǒng)效率與元件數(shù)量的影響。仿真結(jié)果表明，盡管三
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ROHM發(fā)布搭載新型SiC模塊的三相逆變器參考設(shè)計
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，在官網(wǎng)發(fā)布了搭載EcoSiC?品牌SiC塑封型模塊“HSDIP20”、“DOT-247”、“TRCDRIVE pack?”的三相逆變器電路參考設(shè)計“REF68005”、“REF68006”及“REF68004”。設(shè)計者可利用此次發(fā)布的參考設(shè)計數(shù)據(jù)制作驅(qū)動電路板，與ROHM的SiC模塊組合使用，可縮減實際設(shè)備評估的設(shè)計周期。在以大功率工作的功率轉(zhuǎn)換電路中，SiC功率元器件雖有助于提高效率和可靠性，但外圍電路設(shè)計和熱設(shè)計所需的工時往往會增加。ROHM
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ROHM全面啟動新型SiC塑封型模塊的網(wǎng)售！
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，其新型SiC模塊“TRCDRIVE pack?”、“HSDIP20”及“DOT-247”已開始網(wǎng)售。近年來，全球電力緊缺危機加劇，節(jié)能的重要性日益凸顯，這促使更多的應(yīng)用產(chǎn)品通過采用SiC產(chǎn)品來實現(xiàn)高效率的功率轉(zhuǎn)換。這些產(chǎn)品通過Ameya360、Oneyac等電商平臺均可購買。詳見羅姆官方網(wǎng)站。樣品價格型號TRCDRIVE pack?75,000日元/個（不含稅）1200V? A type (Small) (BST400D12P4A101
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化合物半導(dǎo)體襯底市場年復(fù)合增長率達 14%
- 2031 年，化合物半導(dǎo)體襯底與開放式外延片市場規(guī)模合計預(yù)計將接近 52 億美元，年復(fù)合增長率約為 14%。汽車電動化推動碳化硅（SiC）襯底市場發(fā)展，射頻領(lǐng)域仍由砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN）主導(dǎo)，磷化銦（InP）助力光子學(xué)技術(shù)加速發(fā)展，發(fā)光二極管（LED）與微發(fā)光二極管（MicroLED）則依托氮化鎵、砷化鎵、藍寶石及硅基平臺發(fā)展。化合物半導(dǎo)體供應(yīng)鏈正圍繞頭部企業(yè)整合：碳化硅晶圓領(lǐng)域有沃爾夫速（Wolfspeed）、相干公司（Coherent），功率器件領(lǐng)域為英飛凌科技（Infineon Tec
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