SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點進行介紹。
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SiC 碳化硅
碳化硅（SiC）是比較新的半導體材料。本文來了解一下它的物理特性和特征。
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SiC 碳化硅
意法半導體（ST）作為全球領先的汽車半導體供應商之一，多年前就開始布局新能源汽車領域，在2019年正式成立新能源車技術創新中心，推出了SiC牽引電機逆變器的整體解決方案。該方案按照功能安全IS026262標準流程開發，滿足ASIL D等級?；贏utoSAR的軟件架構和模型化的軟件算法，為客戶前期方案評估和后續開發提供了便利，大大縮短了整個研發周期。
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SiC 碳化硅 牽引逆變器
電源與能源管理對人類社會未來的永續發展至關重要。意法半導體汽車和離散組件產品部（ADG）執行副總裁暨功率晶體管事業部總經理Edoardo MERLI說明，從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標。?圖二圖三顯示的是一些關于如何利用電力科技實現各種節能目標的具體數據，圖中是對全球電力消耗狀況的統計。僅就工業領域來說，如果能將電力利用效率提升1%，
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ST 碳化硅 汽車 工業 SiC
電源與能源管理對人類社會未來的永續發展至關重要。意法半導體汽車和離散組件產品部（ADG）執行副總裁暨功率晶體管事業部總經理Edoardo MERLI指出，由于全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標。 意法半導體汽車和離散組件產品部（ADG）執行副總裁暨功率晶體管事業部總經理Edoardo MERLI僅就工業領域來說，如果能將電力利用效率提升1%，就能節省95.
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ST GaN SiC
搭配電動車市場的快速成長，近年環旭電子（上海證券交易所股票代碼: 601231）開始布局切入功率半導體國際大廠的電源模塊的組裝生產與測試，近期獲得相當多歐美與日系客戶青睞，預計在2022正式量產電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據調研機構Canalys的報告指出，2021年上半年全球電動車銷量為260萬輛，與去年同期相比大幅成長160%，成長率遠高于全球整體汽車市場的26%。電動汽車市場成長帶動關鍵功率半導體組件和模塊需求，其中第三代半導體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
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環旭電子 電動車用逆變器 IGBT SiC 電源模塊
搭配電動車市場的快速成長，近年環旭電子（上海證券交易所股票代碼: 601231）開始布局切入功率半導體國際大廠的電源模塊的組裝生產與測試，近期獲得相當多歐美與日系客戶青睞，預計在2022正式量產電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據調研機構Canalys的報告指出，2021年上半年全球電動車銷量為260萬輛，與去年同期相比大幅成長160%，成長率遠高于全球整體汽車市場的26%。電動汽車市場成長帶動關鍵功率半導體組件和模塊需求，其中第三代半導體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
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基礎半導體元器件領域的專家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應商Nexperia而言是一項戰略性舉措，旨在擴展高壓寬禁帶半導體器件產品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業級器件，重復反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉換應用實現超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列
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Nexperia 碳化硅 SiC 二極管
移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領先供應商Qorvo?,Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今天宣布，已收購位于新澤西州普林斯頓領先碳化硅（SiC）功率半導體供應商UnitedSiC公司。對UnitedSiC的收購擴大了Qorvo在快速增長的電動汽車（EV）、工業電源、電路保護、可再生能源和數據中心電源市場的影響力。UnitedSiC公司將成為Qorvo基礎設施和國防產品（IDP）業務之一，將由Chris Dries博士領導，他曾是UnitedSiC公司的總裁兼首席執行官，現任Qorv
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SiC 電源
恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布其CAN信號質量提升（SIC）技術已用于TJA146x收發器系列中，并已經成功應用到長安汽車最新的平臺中。恩智浦的CAN SIC技術有效提升了CAN信號質量，使CAN FD網絡能夠在更大型復雜網絡中運行，實現更快的數據傳輸速率。這項經濟高效的技術能夠擴展CAN FD的潛力和靈活性，從而應對下一代汽車的網絡挑戰。中國汽車制造商長安汽車是第一家在生產中采用恩智浦的CAN SIC技術的汽車客戶。●? ?長安汽車成為第一家采
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OEM SiC
碳化硅具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等特點，可以很好地滿足新能源汽車電動化發展趨勢，引領和加速了汽車電動化進程，對新能源汽車發展具有重要意義。我國新能源汽車正處于市場導入期到產業成長期過渡的關鍵階段，汽車產銷量、保有量連續6年居世界首位，在全球產業體系當中占了舉足輕重的地位。新能源汽車產業的飛速發展，極大地推動了碳化硅產業發展與技術創新，為碳化硅產品的技術驗證和更新迭代提供了大量數據樣本。
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碳化硅 新能源汽車 功率半導體 202110 MOSFET SiC
以GaN和SiC為代表第三代半導體正處于高速發展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導體材料也仍在產業中大規模應用。但不可否認，第三代半導體確實具有更多的性能優勢。
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碳化硅 SiC 氮化鎵 GaN 寬禁帶 WBG
近年隨著電動汽車產業崛起，碳化硅（SiC）功率半導體市場需求激增，吸引產業鏈相關企業的關注，國際間碳化硅(SiC)晶圓的開發驅使SiC爭奪戰正一觸即發。與硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap，Eg)的半導體；再者，碳化硅具有更高的擊穿電場 (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率組件應用之電子電路的材料，因為用碳化硅制成的芯片即使厚度相對小也能夠經受得起相對高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(Ec)和電
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意法半導體 Norstel AB 碳化硅 SiC
半導體材料是信息技術的核心基礎材料，一代材料、一代技術、一代產業，半個多世紀來從基礎技術層面支撐了信息技術翻天覆地的變化，推動了電子信息科技產業可持續蓬勃發展。同樣地，信息技術和電子信息科技產業發展需求又驅動了半導體材料與技術的發展。第三代半導體材料及其應用第三代半導體是指以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導體材料，它是繼20世紀50年代以Ge、Si為代表的第一代半導體和70年代以GaAs、InP為代表的第二代半導體之后于90年代發展起來的新型寬禁帶半導體材料，即禁帶寬度明顯大于Si（1.12 eV）和Ga
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第三代半導體 SiC
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