移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構，這種架構常見于電動汽車車載充電器、工業電池充電器、工業電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過
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SiC FET
2022年5月10日-12日，一年一度的PCIM Europe盛大開幕，作為全球領先的功率半導體供應商，瑞能半導體攜SiC?Diodes和SiC?MOSFETs，第三代肖特基二極管G3 SBD、第五代軟恢復二極管 G5 FRD等多款旗艦產品重磅回歸PCIM Europe展會，全方位展示行業領先的技術、產品應用和解決方案，和諸多業內伙伴共話智能制造行業在全球范圍內的可持續發展。PCIM Europe即歐洲電力電子系統及元器件展，是電力電子、智能運動、可再生能源和能源管理領域最具影響力的博
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SiC MOSFET 瑞能半導體 PCIM Europe
深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations近日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列門極驅動板。新款驅動器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊，其應用范圍包括電動汽車、混合動力和燃料電池汽車（包括巴士和卡車）以及建筑、采礦和農用設備的大功率汽車和牽引逆變器。SCALE EV板級門極驅動器內部集成了兩個增強型門極驅動通道、相關供電電源和監控遙測電路。新驅動板已通過汽車級認證和ASIL B認證，可實現AS
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Power Integrations IGBT SiC 模塊驅動器 SCALE EV PI
英飛凌科技股份公司近日發布了一項全新的CoolSiC?技術，即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。這款先進的碳化硅（SiC）芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列，以及采用基于.XT互連技術的分立式封裝，具有非常廣泛的產品組合。M1H芯片具有很高的靈活性，適用于必須滿足峰值電力需求的太陽能系統，如光伏逆變器。同時，這款芯片也是電動汽車快充、儲能系統和其他工業應用的理想選擇。CoolSiC技術取得的最新進展使得柵極驅動電壓窗口明顯增大，從而降低了既定芯片面積下的導通電阻。與此同時，隨著柵極運行
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SiC 太陽能 MOSFET
_____日前，泰克攜手方案合作伙伴忱芯科技向北京理工大學深圳汽車研究院交付了一臺全自動化SiC功率模塊動態測試系統，此為今年度向客戶交付的第五臺SiC功率模塊動態測試系統，亦是大灣區的首臺全自動化SiC功率模塊動態測試系統。此系統集成了來自泰克的專門針對第三代半導體測試的硬件設備，從而解決了“測不準”、“測不全”、“不可靠”這三個難題的挑戰。忱芯作為泰克科技的解決方案合作伙伴，在去年“碳化硅功率半導體及應用研討會”上結成了全范圍的戰略合作聯盟，進行深度整合資源，圍繞寬禁帶功率半導體測試領域開展全產業鏈的
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Tektroni SiC 動態測試系統
日本電產伺服株式會社正式推出搭載有Can-Bus通信功能的無刷直流電機。該電機主要用于自動售貨機的推貨機構?！按钶d有Can-Bus通信功能的無刷直流電機”Can-Bus (Controller Area Network-Bus：控制器局域網總線技術) 是一種被稱之為車用總線標準的、使汽車、火車內部的組件相互連接的內部通信網絡。其特點是微控制器和設備無需主機即可相互通信。Can-Bus最初是為汽車內部的多路復用電氣配線設計的，被要求具有抗噪音性，現在被廣泛用于傳輸設備中的控制信息，也用于運輸設備、機床等機器
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日本電產 伺服電機 Can-Bus
半導體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產體制，該系列產品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達8V，非常適用于基地臺、數據中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數據中心實現低功耗和小型化一般來說，GaN組件具有優異的低導通電阻和高速開關性能，有助降低各種電源功耗和實現外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開關工作時的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題，RO
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SiC GaN ROHM
一、測試工裝準備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負載儀二、測試項目進行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線測試1）空載測試驅動空載輸出12V，gs驅動為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2）加載 24轉55V 2A dcdc驅動信號波形如下：帶載 6.6k 15V驅動信號單脈沖寬度，3uS左右總結由于輕負載，溫度始終未超過50度。開關速度方面優于硅基產品，以后有對應設備
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SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
測試設備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個低壓直流穩壓源，所以這穩壓電源既用于給開發板電源供電，又用于半橋母線電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載，可恒流或者恒壓或者恒負載，測試電源的帶載能力非常好用。③信號發生器產生不同頻率的可調制的方波信號，用于MOS管的驅動④示波器觀察驅動信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說明書中電路按照上述描述修改：兩個直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線上加上12V電
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SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評估板，有幸參與評估板的測試。拿到評估板的第一感覺就是扎實，評估板四層PCB的板子厚度達到了30mm；高壓區域也有明顯的標識。
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SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。
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SiC 碳化硅 MOSFET
本文對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區別進行說明。
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SiC 碳化硅 SBD
反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數，所以不僅要比較trr的數值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
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SiC 碳化硅 SBD
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