10月24日，士蘭微發布公告稱，近期，士蘭明鎵SiC功率器件生產線已實現初步通線，首個SiC器件芯片已投片成功，首批投片產品各項參數指標達到設計要求，項目取得了階段性進展。士蘭明鎵正在加快后續設備的安裝、調試，目標是在今年年底形成月產2000片6英寸SiC芯片的生產能力。士蘭微表示，公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術的開發，性能指標達到業內同類器件結構的先進水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅功率模塊上，參數指標較好，繼續完成評測，即將向客戶送樣。據了解，2017年12月1
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士蘭微 士蘭明鎵 SiC 功率器件
引言在工業、汽車和儀器儀表應用中，因操作不當、存在電氣噪聲的操作環境，甚至雷擊造成的大瞬態電壓可能會形成巨大壓力，導致通信端口和基礎電子設備受損。對此，ADI推出了信號和電源隔離式ADM3055E/ADM3057E CAN FD收發器，能夠承受其中許多瞬態電壓，并保護敏感的電子設備。根據IEC標準和瞬態電壓大小，瞬態電壓可分為靜電放電(ESD)、電快速瞬變脈沖群(EFT)和浪涌。通過ADM3055E/ADM3057E CAN FD收發器的片內集成保護，可實現4級IEC 61000-4-2 ESD保護、IE
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浪涌保護 CAN FD收發器
意法半導體的L99LDLH32線性穩流器為使用輕量級?CAN FD Light 協議控制動態汽車照明提供了一個簡便的集成解決方案。OLED 燈可以從很小的表面發射明亮、均勻和高對比度的光線，新驅動器與OLED完美匹配，讓設計師能夠創造復雜的圖案和光效，增強汽車的安全性和外觀設計視覺效果。L99LDLH32有32個可在1mA至15mA范圍內獨立編程的穩流電源，可以單獨驅動車內外燈具的每個像素，還提供8 位分辨率的整體調光功能。當用車輛電池電壓供電時，驅動器最高輸出電壓35 V，覆蓋較寬的發射極正向
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意法半導體 CAN FD Light 多像素驅動器 汽車照明設計
現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優勢和優越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
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GaN 氮化鎵 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
隨著電動汽車 (EV) 制造商競相開發成本更低、行駛里程更長的車型，電子工程師面臨降低牽引逆變器功率損耗和提高系統效率的壓力，這樣可以延長行駛里程并在市場中獲得競爭優勢。功率損耗越低則效率越高，因為它會影響系統熱性能，進而影響系統重量、尺寸和成本。隨著開發的逆變器功率級別更高，每輛汽車的電機數量增加，以及卡車朝著純電動的方向發展，人們將持續要求降低系統功率損耗。過去，牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而，隨著半導體技術的進步，碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場效應晶體管具有比IGBT更高
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TI 功能安全 柵極驅動器 SiC 逆變器
2022年9月23日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現已被 Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關損耗、在更高速度下提升效率，同時提高系統功率密度。這些FET經優化適合車載充電器、軟開關DC/DC
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貿澤 D2PAK-7L UnitedSiC SiC FET
CAN和485都是工業通信中常用的現場總線，做好通信總線的隔離防護是產品可靠、穩定的重要前提。那么該如何做好通信總線的隔離防護呢？隔離方案眾多，該如何選擇適合的方案呢？本文為您解答！一、通信總線為什么要隔離？目前大多數產品對外通訊部分可總結為：MCU+收發器+外部總線，其中大多數常用的MCU 都集成有CAN或UART鏈路層控制器。從MCU發出的電平信號一般為5V或3.3V，為達到與總線連接和遠傳的目的，往往需要在MCU與總線間加收發器，它起到電平轉換的作用。采用總線通信方式必然涉及到外部通信走線，CAN和
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金升陽 CAN&485 總線隔離
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，已于今日開始出貨。 新產品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約
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東芝 SiC MOSFET
CAN和485都是工業通信中常用的現場總線，做好通信總線的隔離防護是產品可靠、穩定的重要前提。那么該如何做好通信總線的隔離防護呢？隔離方案眾多，該如何選擇適合的方案呢？本文為您解答！一、通信總線為什么要隔離？目前大多數產品對外通訊部分可總結為：MCU+收發器+外部總線，其中大多數常用的MCU 都集成有CAN或UART鏈路層控制器。從MCU發出的電平信號一般為5V或3.3V，為達到與總線連接和遠傳的目的，往往需要在MCU與總線間加收發器，它起到電平轉換的作用。采用總線通信方式必然涉及到外部通信走線，CAN和
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金升陽 CAN
針對LED智能照明解決方案，Microchip 的MCU集成了獨立于內核的外設模塊來實現開關電源控制、邏輯控制和通信功能。相比于純模擬或ASIC實現方案，可顯著提升靈活性。本方案加入安森美NCV78343矩陣控制芯片，實現CAN/LIN通訊矩陣大燈方案。PIC16F1779可獨立控制多達四個LED通道，這是大多數現成LED驅動器控制器所不具備的一項獨特能力，特別適合組合式大燈/尾燈的設計。LED調光引擎由單片機中集成的模擬外設組成，通過MCC配置將這些模塊連接起來，構成四個獨立的LED調光驅動器。一旦配置
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Microchip SAC CAN Matrix Headlight PIC16F1779 NCV78343
領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，昨天美國時間舉行了剪彩儀式，慶祝其位于新罕布什爾州哈德遜 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工廠的落成。該基地將使安森美到2022年底的SiC晶圓產能同比增加五倍，在哈德遜的員工人數幾乎翻兩番。此擴張使安森美能完全控制其SiC制造供應鏈，從SiC粉末和石墨原料的采購，到封裝好的SiC器件的交付。這使安森美能為其客戶提供必要的供應保證，以滿足對基于SiC的方案迅速增長的需求。SiC對于提高電
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安森美 碳化硅工廠 SiC
移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長的車載充電器、軟開關 DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業）和 IT/服務器電源應用實現量身定制。它們采用熱性能增強型封裝，為需求最大效率、低傳導損失和高性價比的高功耗應用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態下，第四
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UnitedSiC Qorvo 750V SiC FET
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出RX 32位MCU產品家族的新成員——RX660微控制器（MCU）產品群。新產品支持5V工作電壓，為暴露在高電磁干擾下的家用電器和工業設備提供卓越的噪聲容限。RX660作為瑞薩高端RX通用MCU產品中首個支持5V的器件，也是RX產品家族中首款內置CAN FD控制器的器件，可實現高速數據通信。全新RX660 MCU的高工作電壓可以省去目前許多3V MCU所需的外部噪聲抑制元件，讓用戶能夠減少開發時間與元件成本，提高系統質量。近年來，由于功能安
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瑞薩電子 32位 MCU CAN FD
Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封裝選項，Qorvo 的 SiC FET可為車載充電器、軟開關 DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業）以及IT/服務器電源等快速增長的應用量身定制，能夠為在熱增強型封裝中實現更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益的高功率應用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時具有9mΩ的業界更低 RDS(on)，其額定值分別為 9、11、18、23、33、
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UnitedSiC Qorvo 電源 SiC FET
由于 SiC 具有更快的開關速度，因此對于某些拓撲結構，可縮減無源元器件如電感器的尺寸以降低系統尺寸和成本。光伏發電和大規模儲能變得越來越重要，最終將取代所有的污染性能源。由于可再生能源目前僅占全球總發電量的一小部分，因此 SiC 將有長遠的發展路向。隨著電動車采用率的增加，充電樁將大規模部署，另外，SiC 最終還將成為電動車主驅逆變器的首選材料，因為它可減少車輛的整體尺寸和重量，且能效更高，可延長電池使用壽命。安森美首席碳化硅專家，中國汽車OEM技術負責人 吳桐 博士安森美 (onsemi) 在收購上游
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202207 安森美 SiC
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